Приведены результаты измерения концентрации меди и цинка на растровом электронном микроскопе РЭММА 102, оснащенном волновым и энергодисперсионным спектрометрами, в поверхностных слоях исходного образца латуни М161 и образца, эрозированного сфокусированным излучением оптического квантового генератора. Проведено их сравнение с результатами измерений на масс-спектрометре МС 3101 с лазерно-плазменным источником ионов. Показано, что эрозия поверхностного слоя образца латуни приводит в нем к значительному изменению концентрации меди и цинка. Установлено, что режим сканирования образца при отсутствии наложения кратеров от лазерных импульсов на исходной поверхности обеспечивает адекватность состава меди и цинка в лазерной плазме их содержанию в исследуемом образце.

Проведен анализ различных механизмов статической деформации свободно подвешенной пленки сегнетоэлектрического смектика C* во внешнем поперечном электрическом поле. В рамках вариационного подхода получено уравнение, описывающее форму пленки, где учитывается взаимодействие внешнего поля с вектором поляризации и с поверхностными зарядами. Показано, что эффект деформации пленки имеет пороговый характер, что согласуется с экспериментальными данными.

В газовом разряде оптогальваническим методом измерен коэффициент фотоэмиссии gammaph под действием резонансного излучения атомов гелия. Диапазон рабочих токов j/P2He от 2 до 1000 muA/cm2·Torr2 (j --- плотность тока, PHe --- давление газа) и напряженности поля на катоде E/N от 0.45 до 13 kTd (1 Td=10-17 V·cm2). До j/PHe2=10 muA/cm2·Torr2 наблюдается рост gammaph с дальнейшим насыщением на уровне gammaph=0.3±0.01. В отсутствие разряда gammaph=0.35±0.05. Сделан вывод о том, что эмиссионные свойства холодных катодов в газовом разряде определяются адсорбцией рабочего газа поверхностью катода и имплантацией рабочего газа в катод. С учетом этого пересмотрен вклад фотоэмиссии в ток разряда. Показано, что во всех благородных газах в нормальном и слабо аномальном разрядах при диаметре катода dc>> lc (lc --- длина области катодного слоя) разряд носит преимущественно фотоэлектронный характер. В легких благородных газах фотоэлектронный характер разряда сохраняется и для глубоко аномального разряда. С учетом имплантации атомов в катод рассчитана зависимость от энергии коэффициента gamma кинетической и потенциальной эмиссии для атомов гелия и проведено сравнение с имеющимися данными. Оценено влияние имплантации на величину gamma в вакууме. PACS: 79.60.-i

Проведены мессбауэровские исследования наночастиц магнетита со средним размером частиц 7.5 nm в температурном интервале 100-300 K. На основании экспериментальных данных о температурной зависимости сдвигов парциальных спектров ядер 57Fe в подрешетках с использованием формализма метода молекулярных орбиталей сделана количественная оценка коэффициента линейного теплового расширения ультрадисперсных частиц магнетита в исследованном интервале температур alpha=(1.2± 0.2) 10-4 K-1.

Показана возможность локально изменять потенциальную энергию электронов и дырок, локализованных в квантовой яме, с помощью массива квантовых точек, осажденных в непосредственной близости от квантовой ямы. Изменения в потенциальной энергии электронов и дырок в основном обусловлены влиянием напряжений, возникающих в области квантовых точек.

С применением методик комбинационного рассеяния света установлено, что впленках аморфного кремния при наносекундных воздействиях ультрафиолетового лазерного излучения сплотностями энергии от 75 до 150 мДж/см2 образуются нанокристаллы кремния сразмерами от 2 нм и свыделенной ориентацией (110) по нормали кпленке. Всистеме взаимно ориентированных нанокристаллов Si экспериментально обнаружена анизотропная зависимость интенсивности комбинационного рассеяния света вразличных поляризационных геометриях, что позволило определить объемную долю ориентированных нанокристаллов. Эффект ориентации предположительно обусловлен влиянием как макроскопических полей упругих напряжений впленке, так и локальных полей упругих напряжений вокруг нанокристаллов.

Забавкин А.б. Спектроскопические измерения параметров плазмы сильноточного диффузного разряда низкого давления в магнитном поле // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 109-114

Подлепецкий Б.и., Скрипка С.с. Микроэлектронные средства неинвазивного контроля состояния сердечно-сосудистой системы человека // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.1 Экология и рациональное природопользование. Биофизика, медицинская физика и техника. Экономика и управление. Актуальные проблемы гуманитарных наук. Роль естественно-научных дисциплин при подготовке инженеров по наукоемким направлениям, стр. 108-109

Зайцев К.н., Портнов А.а., Сахаров В.к., Хохлов В.ф. Реактор ИРТ МИФИ как источник излучений для нейтрон-захватной терапии опухолей // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.1 Экология и рациональное природопользование. Биофизика, медицинская физика и техника. Экономика и управление. Актуальные проблемы гуманитарных наук. Роль естественно-научных дисциплин при подготовке инженеров по наукоемким направлениям, стр. 109-111

Гаврилов Н.м., Минаев С.а. Возможности фазопеременной фокусировки на второй ступени ускорителя ионов // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 107-109