Приводятся результаты экспериментальных исследований газодинамических параметров молекулярного пучка, формируемого при пропускании импульсного потока нейтрального газа через ячейку Кнудсена с парами фуллерена. Полученные результаты показывают, что предлагаемый метод может быть успешно использован для получения сверхзвуковых молекулярных пучков практически любых веществ, что представляет интерес при получении эпитаксиальных слоев и тонких пленок из труднолетучих материалов.

Для субмонослойных Cs-покрытий на поверхности GaAs (100), обогащенной Ga, исследованы электронные спектры поверхностных состояний и ионизационная энергия как функция покрытия. Использовался метод пороговой фотоэмиссионной спектроскопии. При Cs-покрытии вблизи половины монослоя в спектре ниже уровня Ферми обнаружены две узкие зоны, индуцированные адсорбцией, что указывает на наличие двух неэквивалентных позиций для атомов Cs при взаимодействии с димерами Ga. Установлено, что Cs-покрытие ~ 0.7 монослоя является насыщающим для оборванных связей Ga и адсорбционная связь имеет преимущественно ковалентный характер. При покрытиях, близких к монослою, впервые наблюдались широкие зоны с энергией 1.9, 2.05 и 2.4 eV, которые могут быть связаны с возбуждением Cs-островков или кластеров и поверхностного Cs-плазмона соответственно. Результаты свидетельствуют о наличии двух фаз адсорбции с сильной и слабой связями. Работа выполнена при поддержке гранта N 98-02-18265 РФФИ и гранта N 99-2.14 программы Миннауки РФ "Поверхностные атомные структуры".

Обнаружено улучшение изолирующих свойств синтезируемого слоя нитрида кремния под влиянием ионной обработки аргоном обратной стороны пластины кремния. Данный результат согласуется с данными инфракрасной спектроскопии, полученными авторами ранее, и связывается с эффектом дальнодействия при ионной имплантации.

Врамках подхода, основанного на сведении 6x 6 и 8x 8 кейновских матричных уравнений куравнению шредингеровского типа, проведены самосогласованные расчеты расщепления Рашбы винверсионных и обогащенных слоях InAs. Пренебрежение вкладом зоны Gamma7 приводит в InAs кзавышению расщепления более чем на 50%. Существенно нелинейный характер зависимости расщепления от двумерного волнового вектораk ограничивает применимость вкачестве характеристики величины эффекта параметра Рашбыalpha (коэффициента при линейном по k члене вспектре), в том числе его значения на уровне Ферми, ввиду сильной зависимости последнего от используемых аппроксимаций для двумерного спектра. Рассчитанные для инверсионного слоя относительные разницы заселенностей спиновых субподзон Delta n/n в2-3раза меньше измеренных Мацуямой и др.[Phys. Rev. B, 61, 15 588 (2000)]. Результаты проведенного вработе экспериментального исследования обогащенных слоев InAs указывают, что величинаDelta n/n вних не превышает расчетного значения ~ 0.02. Показана адекватность врамках использованного подхода описания двумерного спектра, включая спин-орбитальное расщепление, при квазиклассическом квантовании вклассически самосогласованном поверхностном потенциале.

Исследовано нейтронное трансмутационное легирование кристаллов кремния, обогащенных изотопом 30Si, методом электронного парамагнитного резонанса: наблюдались доноры фосфора и возникающие в процессе нейтронного легирования радиационные дефекты. Исследованы сигналы ЭПР неконтролируемой примеси фосфора в30Si до нейтронного легирования (концентрация ~1015 см-3) и фосфора, введенного легированием с дозами ~1·1019 см-2 и~1·1020 см-2 (концентрации P~5·1016 см-3 и~7·1017 см-3 соответственно). Благодаря резкому сужению линий ЭПР фосфора в30Si интенсивность сигналов существенно увеличилась, что позволило контролировать фосфор в образцах с малым объемом (до10-6 мм-3). Разработаны методы контроля концентрации доноровP по сверхтонкой структуре в спектрах ЭПР изолированных атомовP, обменно-связанных пар, троек, четверок и более крупных кластеров доноровP. Вобласти высоких концентрацийP, когда сверхтонкая структура исчезает, концентрация доноровP оценивалась по ширине обменно-суженной линииЭПР. PACS: 81.40.Wx, 61.80.Hg, 61.82.Fk, 76.30.Da

Босько А.л., Бушуев А.в., Прошин И.м. Метод контроля обогащения твэлов в необлученных ТВС реактора РБМК // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.8 Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Ультрадисперсные (нано-)материалы, стр. 76-77

Пономаренко Г.л. Профилирование обогащения кассет для компенсации действия возмущений межкассетных зазоров в активной зоне ВВЭР-1000 // Научная сессия МИФИ-2001. Т.8 Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 142-143

Пономаренко Г.л., Наумов В.и. Технические и экономические выгоды усовершенствованного радиально-аксиального профилирования обогащения ТВС ВВЭР-1000 // Научная сессия МИФИ-2002. Т.8 Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 98-99

Обсуждается метод снижения остаточного фона паров воды, используя «промывку» системы напуска масс-спектрометра обогащенной водой. Представлены оптимальные параметры (Р, t, T), позволяющие снизить фон паров воды.

Разработана модель спроса и предложения на рынке природного урана реакторов зарубежной конструкции. Определено возможное в 2010 году увеличение глубины извлечения изотопа 235U при обогащении урана и сокращение за счет этого потребления природного урана на указанном рынке.