Звягин И.П.. Вертикальная прыжковая проводимость через виртуальные состояния в сверхрешетках с контролируемым беспорядком // Письма в ЖЭТФ, том 69, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru

Изучается возникновение поперечного перераспределения носителей в двумерной (2D) системе под действием тангенциального электрического поля и магнитного поля, имеющего тангенциальную компоненту. Показано, что в результате перераспределения носителей возникает холловское напряжение между изолированными электродами, размещенными над и под квантовой пленкой. Это напряжение определяется тензором 2D~проводимости и поперечной статической электрической поляризуемостью 2D~слоя. Найден дополнительный вклад в вертикальное холловское напряжение, обусловленный ориентацией электронных спинов магнитным полем и спин-орбитальным взаимодействием электронов с потенциалом квантовой ямы.

Рассматривается задача определения по первым вступлениям волн, регистрируемых в скважине. Ее решение разбивается на два шага. Сначала автоматически определяются первые вступления, затем полученные времена аппроксимируются непрерывной ломаной по критерию минимума среднеквадратичной погрешности аппроксимации.

В работе рассмотрено влияние высоты пересчета полного электронного содержания в вертикальное электронное содержание (ВЭС) на точность определения положения областей неоднородностей электронной концентрации. Показано, что использование метода разнесенного приема сигналов навигационных спутников для получения значений ВЭС позволяет увеличить точность определения положения структур электронной концентрации в ионосфере, и дает более детальное описание этих структур по сравнению с описанием их в случае использования данных ВЭС в одной точке.

Рассматривается магнитная жидкость, полностью заполняющая вертикальную цилиндрическую полость в недеформируемом горизонтальном слое магнетика, не отличающегося по своим магнитным свойствам от жидкости. Вся система находится в однородном вертикальном магнитном поле. В линейной постановке получено в виде рядов приближенное решение задачи об эволюции начального малого отклонения свободной поверфхности жидкости от плоской равновесной формы. Проведенный эксперимент показывает, что при увеличении (от нуля) напряженности поля первоначально плоская свободная поверхность принимает устойчивую куполообразную форму, причем дальнейший рост поля в некотором ограниченном диапазоне приводит к образованию кольцевого гофра. Наблюдаемые структруры, являющиеся результатом нелинейной стадии развития начального возмущения, качественно сходны с первыми двумя модами полученного решения.

Рассмотрено взаимодействие двух локализованных оптических состояний в структуре, представляющей собой систему двух связанных вертикальных микрорезонаторов. Показано, что взаимодействие двух локализованных оптических мод в связанных микрорезонаторах приводит к расщеплению мод. Проанализированы оптические свойства системы связанных микрорезонаторов, дисперсионные уравнения для собственных оптических мод системы.

Рассмотрено возникновение конвекции жидкости в длинных вертикальных каналах с идеально теплопроводящими стенками в случае, когда температура первоначально покоящейся жидкости линейно уменьшается с высотой, а каналы имеют поперечные сечения в виде кругового или кольцевого секторов. Выписаны критические числа Рэлея и собственные функции краевых задач, представляющие критические движения. Изучено также возникновение конвекции в насыщенной жидкостью пористой среде, заполняющей вертикальный канал с идеально теплопроводящими или же теплоизолирующими стенками, имеющий поперечное сечение в форме кругового сектора.

Рассмотрены двухэлектронная система из двух соседних квантовых точек (КТ) с двумерным (2D) параболическим латеральным удерживающим потенциалом и из двух связанных или двойных пространственно разделенных КТ (горизонтальная или вертикальная "молекула" из КТ) и их поведение во внешнем поперечном магнитном поле. Различными методами (Гайтлера--Лондона, методом молекулярных орбиталей, вариационным методом и методом численной диагонализации гамильтониана) определены энергии основного состояния системы и энергетические спектры с учетом межэлектронного взаимодействия для широкого диапазона значений крутизны удерживающего потенциала, расстояний между центрами КТ (межслоевых расстояний) и внешнего магнитного поля.

Исследуется влияние высокотемпературного отжига на оптические свойства массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs в матрице GaAs, а также на приборные характеристики инжекционного лазера с активной областью на основе массива квантовых точек. Наблюдается сильный коротковолновый сдвиг максимума фотолюминесценции и линии лазерной генерации, изменение интенсивности фотолюминесценции и температурной зависимости пороговой плотности тока. Причиной наблюдаемого поведения, по-видимому, является уменьшение энергии локализации носителей в квантовых точках в результате частичного перемешивания атомов In и Ga, а также повышение структурного упорядочения в слоях Ga(Al)As, выращенных при низкой температуре, в результате высокотемпературного отжига.

Исследованы массивы вертикально совмещенных квантовых точек InGaAs в матрице AlGaAs. Показано, что увеличение ширины запрещенной зоны материала матрицы позволяет увеличить энергию локализации квантовых точек относительно края зоны матрицы, а также состояний смачивающего слоя. При использовании в качестве активной области инжекционного лазера это позволяет снизить термическую заселенность более высоко лежащих состояний и таким образом уменьшить значения пороговой плотности тока при комнатной температуре до 63А/см2. Предложена модель, объясняющая участок отрицательной характеристической температуры, наблюдаемый в области низких температур. Модель основна на предположении перехода от неравновесного к равновесному заселению состояний квантовых точек.