Рожков С.С.. О скрытой суперсимметрии Не^3-А // Письма в ЖЭТФ, том 44, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

Старобогатов И.О., Беляев А.Г., Виноградов С.В., Непорент Б.С., Николаев С.Д.,Стаселько Д.И., Шилов В.Б.. Пикосекундная кинетика первичных электронных процессов формирования скрытого изображения в микрокристаллах галоидного серебра // Письма в ЖЭТФ, том 46, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru

Гуфан Ю.М., Кутьин Е.И., Лорман В.Л., Прохоров A.M., Рудашевский Е.Г.. О возможности обменно-обусловленного скрытого парамагнетизма в системе эквивалентных ионов // Письма в ЖЭТФ, том 46, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru

Исследован дихроизм газоразрядной плазмы неона в слабых магнитных полях при зондировании перехода 3s2{-}2p4 монохроматическим лазерным излучением. Выделены оптико-магнитные резонансы собственного макроскопического и скрытого выстраивания уровня 2p4. На их фоне обнаружены резонансы, обусловленные переносом когерентности с уровней 1s2,4,5 и двулучепреломлением крыльев ближайших линий поглощения с уровней 1s4,5. Зарегистрирован новый тип выстраивания~-- интегральное скрытое выстраивание с временем жизни, увеличивающемся с ростом пленения излучения без ограничения, имеющего место при пленении макроскопического выстраивания.

Рассмотрена возможность образования сверхструктур, обусловленных двумя взаимодействующими одно- и двухкомпонентными параметрами порядка в трехподрешеточных магнетиках. Показано, что в общем случае вектор распространения располагается в плоскости XOY, а неприводимые векторы могут вращаться как в одной, так и в двух взаимно перпендикулярных плоскостях. При наличии "скрытого" парамагнетизма сверхструктура образоваться не может.

Для SiC полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором показана возможность стабилизации зарядового состояния поверхности канала, выступающей в таких транзисторах в роли дополнительного "плавающего" затвора, путем ее обработки в водородной плазме при комнатной температуре. Продемонстрировано, что необходимость такой стабилизации особенно актуальна для транзисторов с относительно низкой концентрацией доноров в канале (высоковольтных), в которых поверхностный заряд может сильно модулироваться напряжением стока из-за влияния короткоканальных эффектов.

Построена строгая аналитическая теория блокирующего состояния тиристоров и транзисторов с электростатическим управлением (ТЭУ) и скрытым затвором произвольной формы. Задачи о распределении потенциала в базе, высоте барьера для электронов и вольт-амперной характеристике в подпороговой области решены в квадратурах методом конформных отображений. Показано, что подпороговый ток jd для ТЭУ с нелегированной и слабо легированной базой зависит от потенциалов затвора Ug и стока Ud по закону ln jd прапорционально - Ug(g-Ud/Ug)3/2 вне зависимости от типа проводимости, где g--- коэффициент блокирования. Если база сильно легирована акцепторами, то ln jd прапорционально - (gUg-Ud)2, однако для транзисторов с электростатическим управлением с сильно легированной базой n-типа аналитическое решение задачи невозможно. В качестве примера подробно рассмотрен вариант глубокого скрытого затвора квазиэллиптической формы, соответствующий конфигурациям реальных приборов. В предельных случаях получены простые формулы для g и параметров вольт-амперных характеристик в зависимости от размеров ячейки ТЭУ, легирования базы и потенциала затвора.

Методами комбинационного рассеяния света и инфракрасной спектроскопии исследованы свойства кремниевых структур со скрытыми слоями карбида кремния (SiC), сформированными высокодозовой имплантацией ионов углерода с последующим высокотемпературным отжигом. Также изучено влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на особенности формирования скрытого слоя SiC. Показано, что при одинаковых режимах имплантации и постимплантационного отжига скрытый слой SiC более эффективно формируется в пластинах Cz-Si либо в Si (Cz или Fz), подвергнутом дополнительной имплантации ионов кислорода. Таким образом, кислород способствует формированию слоя SiC благодаря образованию преципитатов SiOx и аккомодации объема в области формирования фазы SiC. Также обнаружен эффект сегрегации углерода и формирования аморфной углеродной пленки на границах зерен SiC.

Проведено исследование скрытых наноразмерных дефектных слоев, сформированных вкристаллахSi иSiC имплантацией водорода сэнергией50 и100 кэВ. Показана высокая чувствительность использованного метода атомно-силовой микроскопии для обнаружения начальных стадий развития водородсодержащих пор имикротрещин вподповерхностных слоях облученных кристаллов, атакже для исследования процессов расслаивания кристаллов вдоль плоскости микротрещин. Врезультате были получены количественные критерии условий создания скрытых дефектных слоев висследованных кристаллах, необходимые для реализации процессов блистеринга и\glqq Smart-Cut\grqq.

Короткова М.а., Коротков Е.в. Скрытая периодичность в символьных текстах // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.5 Информатика, вычислительная техника. Автоматизация. Электронные измерительные системы. Информационные технологии и электроника. Электроника. Микроэлектроника, стр. 97-98