Приведены спектральные характеристики и мощность излучения светодиодов для диапазона длин волн 3.3-7 мкм, изготовленных из структур, содержащих узкозонные слои In(Ga)As, InAsSb(P) или InAs на подложке n+-InAs (ширина полосы ~ lambdamax/10) илиInSb (ширина полосы ~1 мкм), в которых накачка осуществлялась с помощью светодиода из арсенида галлия. Всветодиодах с иммерсионными линзами получен коэффициент преобразования 0.08-3 мВт/А, сравнимый или превосходящий данные для ряда инжекционных светодиодов.

Сообщается о получении пятикомпонентного твердого раствора Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87 с шириной запрещенной зоны 695 мэВ (77 K) и640 мэВ (300 K) изопериодного сInAs. Показано, что в структуре InAs/Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87 реализуется гетеропереход IIрода. Полученный твердый раствор был использован для создания прототипов светодиода и фотодиода с максимумом интенсивности излучения и фоточувствительности в области 1.9 мкм.

Приведены вольт-амперные характеристики, а также спектральные и ватт-амперные характеристики излучения диодов, изготовленных из двойных гетероструктур InAsSbP/InGaAsSb на подложке InAs, при прямом и обратном смещении вдиапазоне температур 25--90oC. Показано, что отрицательная люминесценция, возникающая вследствие экстракции носителей из областей вблизи от p-n-перехода при температурах ~ 90oC, имеет больший коэффициент преобразования, чем электролюминесценция. Показано сужение спектров отрицательной люминесценции вдиодах со встроенными резонаторами.

Приведены спектральные характеристики светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs с активным слоем из InAs и резонатором, образованным широким анодным контактом и поверхностью структуры, излучающих вблизи 3.3 мкм при комнатной температуре. Приведены данные о диаграмме направленности и модовой структуре светодиодов с толщинами 7.5-45 мкм и зависимости положения мод от тока накачки.

Описаны многослойные градиентные структуры InAs1-xSbx/.../InAs1-x-ySbxPy/n-InAs, излучающие в диапазоне длин волн от6 до9 мкм при инжекции/экстракции и оптической накачке.

Представлены спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики светодиодов с активным слоем из InGaAsSb (длина волны излучения1.94 мкм при 300 K) втемпературном диапазоне77-543 K, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии на подложке GaSb и имеющих конструкцию типа флип-чип. Спектральные и мощностные характеристики обсуждаются в связи с особенностями конструкции, поглощением излучения в подложке и джоулевым разогревом. PACS: 85.60.Jb

Проанализированы спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики при прямом и обратном смещении, распределение ближнего поля излучения светодиодов флип-чип на основе гетероструктур с активным слоем из InAsSb (длина волны4.2 мкм, 300 K), имеющих глубину мезы 40--50 мкм и диаметр240 мкм. Обсуждаются фактор увеличения выхода излучения, связанный с особенностями геометрии структуры, и выбор оптимального режима работы светодиода в зависимости от рабочей температуры. PACS:85.60.Jb

Исследованы электрические и оптические свойства эпитаксиальных слоев InGaAsSb с электронным типом проводимости, близких по составу к арсениду индия и согласованных с ним по периоду решетки, полученных на подложках InAs методом жидкофазной эпитаксии из расплавов, легированных теллуром. Слои прозрачны в области 3 мкм благодаря эффекту Мосса--Бурштейна. Приводятся и обсуждаются ватт-амперные и пространственные характеристики электролюминесценции светодиодов на основе InAs, изготовленных в конструкции типа флип-чип, в которых вывод излучения осуществляется через буферные слои n+-InGaAsSb. PACS:85.60.Jb, 78.40.Fy