Экспериментально обнаружено увеличение числа и энергии быстрых ионов лазерной плазмы при увеличении угла фокусировки лазерного излучения на плоскую мишень. Численные расчеты показали, что увеличение угла фокусировки в условиях экспериментов приближало средний угол падения излучения лазерного пучка к оптимальному, отвечающему максимальной эффективности резонансного механизма поглощения и, как следствие, к увеличению доли поглощенной лазерной энергии, содержащейся в энергии быстрых электронов, и числа быстрых электронов. В свою очередь, увеличение энергии и числа быстрых электронов приводит к возрастанию числа быстрых элект-ронов, участвующих в формировании самосогласованного электрического поля на краю мишени, и росту напряженности поля, что в конечном счете и является причиной увеличения числа и энергии быстрых ионов.

Методами численного моделирования исследован и оптимизирован механизм сканирования частоты одномодового лазера на красителе со скользящим падением излучения на дифракционную решетку. Механизм перестройки основан на использовании стеклянного клина (оптического редуктора), помещенного в резонатор лазера. Показано, что при использовании резонатора со специально подобранными параметрами можно избежать перескока продольной моды при сканировании частоты лазера в широком диапазоне.

Аналитически расcчитана зависимость объемнoй плотности легких ионов от глубины при скользящем падении пучка на поверхность полубесконечного слоя вещества. Предполагалось, что взаимодействие ионов с атомами среды описывается обратно-степенными потенциалами (V(r)~ r-1/nu ). Расчеты показали, что плотность числа ионов не является монотонной функцией, а достигает своего максимального значения на некоторой глубине внутри вещества. Чем медленнее потенциал взаимодействия спадает с увеличением r (т. е. чем больше параметр nu), тем отчетливее проявляется максимум плотности ионов и тем на больших глубинах этот максимум достигается. На больших глубинах плотность ионов убывает по степенному закону.

В рамках диффузионной модели кинетического уравнения для пучка электронов, падающих по нормали на мишень, получены аналитические формулы для распределений выделенной энергии и инжектированного заряда. При этом в теорию не вводятя эмпирические подгоночные параметры. Вычисленные распределения выделенной энергии для плоского направленного источника электронов в бесконечной среде для C, Al, Sn и Pb хорошо согласуются с данными Спенсера, полученными на основе точного решения кинетического уравнения Бете, которое является исходным и в предположении диффузионной модели.

Выполнено численное исследование образования и динамики пузырьков при быстром падении давления жидкости. Математическая модель основана на лагранжево-эйлеровском подходе к описанию двухфазной смеси и включает в себя уравнения сохранения для несущей фазы, уравнение, описывающее процесс нуклеации, и уравнения динамики пробного пузыря. Для численного решения уравнений несущей фазы применяется схема высокого разрешения типа Годунова, а для жесткой системы обыкновенных дифференциальных уравнений динамики пузыря --- неявный метод Адамса. Моделирование позволяет получить поля газодинамических функций для жидкости, размер и концентрацию пузырей, температуру и давление пара, определить диапазон параметров, в котором жидкость находится в метастабильном состоянии.

В последнее время для выращивания приборных структур с квантовыми ямами наряду с молекулярно-лучевой эпитаксией все больше используют газофазную эпитаксию из металлорганических соединений (МОС-гидридную эпитаксию). Наш опыт работы с фотоприемниками на основе структур с квантовыми ямами, выращенных методом МOС-гидридной эпитаксии, показывает, что они обладают рядом отличий от аналогов, полученных с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии. К таким отличиям следует отнести более существенную асимметрию вольт-амперной характеристики, наличие значительной фоточувствительности при нормальном падении излучения без специальных устройств ввода. Указанные отличия связаны, на наш взгляд, с особенностями процесса эпитаксии. В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования таких фотоприемников на основе структур с квантовыми ямами, обсуждается их связь со структурными особенностями, обусловленными процессом МОС-гидридной эпитаксии.

Работа посвящена теоретическому объяснению характерного для светодиодных гетероструктур на основе AlInGaN падения эффективности электролюминесценции с ростом тока накачки. Врезультате численного моделирования показано, что рост внешнего квантового выхода при малых значениях плотности тока J~ 1 А/см2 обусловлен конкуренцией между излучательной и безызлучательной рекомбинацией. Падение же квантового выхода при плотностях тока J>10 А/см2 связано с уменьшением коэффициента инжекции дырок в активную область. Показано, что в этом эффекте важную роль играет заглубление энергетического уровня акцепторов в эмиттереAlGaN, а также малые значения подвижностей электронов и дырок в p-области. Предложена модификация светодиодной гетероструктуры, в которой спад эффективности с ростом тока накачки наблюдаться не должен. PACS: 42.55.Px, 73.40.Kp, 73.63.Hs, 78.20.Bh, 78.67.De, 85.60.Jb.

Волков С.н., Ремизович В.с. Вычисление углового спектра отраженного излучения при скользящем падении светового потока на плоскую поверхность 2D-среды // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 124-125

Кузовлев А.и., Курнаев В.а., Ремизович В.с., Трифонов Н.н. Зависимость ширины энергетического спектра заряженных частиц, прошедших через мишень, от угла падения пучка на ее поверхность // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 143-144

Быковский Ю.а., Конюхов И.ю., Пекленков В.д., Пономаренко Д.в. Исследование характеристик ионной эмиссии лазерной плазмы в зависимости от угла падения лазерного излучения на мишень // Научная сессия МИФИ-2000. Т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 167-169