Найдено научных статей и публикаций: 33   
11.

Механизм глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs / AlGaAs-гетероструктур     

Герловин И.Я., Долгих Ю.К., Елисеев С.А., Ефимов Ю.П., Недокус И.А., Овсянкин В.В., Петров В.В., Бер Б.Я. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
На установке молекулярно-пучковой эпитаксии ЭП-1302 выращены предельно легированные железом гетероструктуры, содержащие объемные слои GaAs и AlxGa1-xAs, а также GaAs / AlGaAs-сверхрешетки. Анализ измеренных методом масс-спектрометрии вторичных ионов профилей вхождения железа показал, что при росте на ориентированных в плоскости [100] подложках предельные концентрации железа для слоев GaAs, а также для GaAs / AlGaAs-сверхрешеток оказываются на 2 порядка меньшими, чем для тройного раствора AlGaAs. Обнаружено, что радикальное увеличение предельной концентрации Fe (вплоть до 5· 1018 см-3) в GaAs / AlGaAs-сверхрешетках может быть достигнуто при росте на подложках, вырезанных с 3o отклонением от плоскости [100]. Существенно, что при таких высоких уровнях легирования в спектрах низкотемпературного (10 K) поглощения и фотолюминесценции сверхрешеток сохраняются узкие экситонные линии. Проанализированы возможные механизмы селективного внедрения железа в GaAs / AlGaAs-гетероструктуры.
12.

Получение изотопно-чистого поликристаллического кремния иисследование его свойств     

Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Королев В.И., Бер Б.Я., Давыдов В.Ю., Калитеевский М.А., Копьев П.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2001
Разработана технология получения изотопов кремния. Получены поликристаллические образцы изотопов 28Si, 29Si и 30Si с обогащением 99.95, 99.5 и 99.9% соответственно. Показано, что энергии оптических фононов изотопически чистых образцов демонстрируют ожидаемую зависимость от величины средней массы изотопа.
13.

Получение изотопно-чистых слоев кремния28Si методом газофазной эпитаксии     

Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Сафронов А.Ю., Королев В.И., Аруев П.Н., Бер Б.Я., Давыдов В.Ю., Забродская Н.В., Забродский В.В., Калитеевский М.А., Копьев П.С., Коварский А.П., Суханов В.Л. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Методом газофазной эпитаксии выращен слой изотопно-чистого кремния 28Si собогащением99.96%. Вторично-ионная масс-спектроскопия ирамановские измерения показывают высокое качество полученного эпитаксиального материала.
14.

Получение изотопно-чистых слоев кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии     

Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Сафронов А.Ю., Королев В.И., Бер Б.Я., Давыдов В.Ю., Денисов Д.В., Калитеевский М.А., Копьев П.С., Коварский А.П., Устинов В.М., Pohl H.-J. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии ствердотельным источником были выращены слои изотопно-чистого кремния 28Si и 30Si собогащением 99.93 и 99.34% соответственно. Методами вторичной ионной масс-спектроскопии и рамановского рассеяния света продемонстрированы высокая изотопная чистота и кристаллическое совершенство полученных слоев.
15.

Транспортные итермоэлектрические свойства полупроводникового силицида рения     

Филонов А.Б., Кривошеев А.Е., Иваненко Л.И., Бер Г., Шуманн И., Суптель Д., Борисенко В.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Проведено комплексное экспериментальное и теоретическое исследование транспортных и термоэлектрических свойств полупроводникового силицида рения ReSi1.75. Монокристаллические образцы чистого и легированного алюминием ReSi1.75 были получены методом зонной плавки с применением оптического нагрева. Температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента Холла и коэффициента Зеебека (термоэдс) измерены в интервале 77-800 K. Концентрация носителей заряда для нелегированного силицида рения при комнатной температуре составляет 1019 см-3, подвижность носителей заряда--- 30 см2/(В·с). Теоретическое исследование транспортных и термоэлектрических свойств включает расчет зонной структуры из первых принципов, оценку эффективных масс носителей заряда, моделирование подвижности электронов и дырок с учетом классических механизмов рассеяния, расчет коэффициента Зеебека. Полученные результаты теоретического моделирования находятся в хорошем соответствии с экспериментальными данными.
16.

Термоэлектрическая эффективность монокристаллов полупроводникового силицида рутения     

Кривошеев А.Е., Иваненко Л.И., Филонов А.Б., Шапошников В.Л., Бер Г., Шуманн И., Борисенко В.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Проведено комплексное экспериментальное и теоретическое исследование термоэлектрической эффективности полупроводникового силицида рутения Ru2Si3. Монокристаллические образцы чистого и легированного марганцем Ru2Si3 были получены методом зонной плавки с применением оптического нагрева. Температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента Холла, коэффициента Зеебека и теплопроводности измерены в интервале 100-900 K. Для кристаллов Ru2Si3, легированных марганцем, коэффициент Зеебека является положительным во всем исследованном температурном диапазоне и достигает своего максимального значения 400 мкВ / K приблизительно при 500 K. Значение коэффициента Зеебека для этих кристаллов при комнатной температуре составляет 300 мкВ / K, что в 2раза превышает величину для нелегированного материала. Теоретическое исследование транспортных и термоэлектрических свойств включает расчет зонной структуры из первых принципов, оценку эффективных масс носителей заряда, моделирование подвижности электронов и дырок с учетом классических механизмов рассеивания, расчет коэффициента Зеебека и термоэлектрической эффективностиZT. Полученные результаты теоретического моделирования находятся в хорошем качественном и количественном соответствии с экспериментальными данными. PACS: 72.20.Pa, 71.20.Nr, 72.20.Je
17.

Особенности нейтронного легирования фосфором кристаллов кремния, обогащенных изотопом30Si: исследования методом электронного парамагнитного резонанса     

Баранов П.Г., Бер Б.Я., Годисов О.Н., Ильин И.В., Ионов А.Н., Калитеевский А.К., Калитеевский М.А., Лазебник И.М., Сафронов А.Ю., Пол Х.-Дж., Риманн Х., Абросимов Н.В., Копьев П.С., Буланов А.Д., Гусев А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследовано нейтронное трансмутационное легирование кристаллов кремния, обогащенных изотопом 30Si, методом электронного парамагнитного резонанса: наблюдались доноры фосфора и возникающие в процессе нейтронного легирования радиационные дефекты. Исследованы сигналы ЭПР неконтролируемой примеси фосфора в30Si до нейтронного легирования (концентрация ~1015 см-3) и фосфора, введенного легированием с дозами ~1·1019 см-2 и~1·1020 см-2 (концентрации P~5·1016 см-3 и~7·1017 см-3 соответственно). Благодаря резкому сужению линий ЭПР фосфора в30Si интенсивность сигналов существенно увеличилась, что позволило контролировать фосфор в образцах с малым объемом (до10-6 мм-3). Разработаны методы контроля концентрации доноровP по сверхтонкой структуре в спектрах ЭПР изолированных атомовP, обменно-связанных пар, троек, четверок и более крупных кластеров доноровP. Вобласти высоких концентрацийP, когда сверхтонкая структура исчезает, концентрация доноровP оценивалась по ширине обменно-суженной линииЭПР. PACS: 81.40.Wx, 61.80.Hg, 61.82.Fk, 76.30.Da
18.

Образование высоковозбужденных состояний 6he в реакции 9be((-,tt)t     

Бер М.н., Гуров Ю.б., Карпухин В.c., Котов Н.в., Лапушкин С.в., Печкуров В.а., Порошин Н.о., Телькушев М.в., Чернышев Б.а., Щуренкова Т.д., Алешкин Д.в. - Научная сессия МИФИ-2006. Научно-образовательный центр CRDF. 4 Конференция. Фундаментальные исследования материи в экстремальных состояниях. , 2006
Экспериментальный поиск возбужденных состояний тяжелого изотопа гелия 6Hе, лежащих выше порога развала на два тритона, проводился в реакции поглощения остановившихся (--мезонов 9Be((-,tt)t. Анализировался энергетический спектр для событий с разлетом двух тритонов под углом 1800. Впервые в системе t+t было обнаружено существование узких резонансных состояний 6Hе.
19.

Алмаз и брильянт (публикация автора на scipeople)     

А.А. Сигачёв - Лит.-худодественный журнал "Ветрило Аристофана" , 2011
Литературно-художественная повесть о поиске Истины.
20.

Быть всеславянскому собранию. (публикация автора на scipeople)      

А.А. Сигачёв - Всеславянское Русское Собрание , 2011
Культурно-просветительское общество «Всеславянское Собрание» (КПО ВС) ставит своей целью литературно-художественное единение братских славянских народов: Украины, России, Белоруссии, Болгарии, Сербии, Македонии; предполагается широкое сотворчество в сети Интернет, на страницах газет и журналов. Началом такого культурно-просветительского сотворчества послужило литературно-художественное единение на базе культурных центров посольств в Москве, с Союзом писателей России. Дальнейшее развитие «Всеславянского Собрания» получило при расширении сотворчества с Украиной в регионе Азовья: Публикации литературно-художественного сотворчества (КПО ВС) в сети Интернет: http://vserusso.blogspot.com/2011/07/blog-post.html