Найдено научных статей и публикаций: 68
11.
"Запечатанный буклет": альтернативный метод сбора данных по сенситивной проблематике
А.Ю. Мягков. "Запечатанный буклет": альтернативный метод сбора данных по сенситивной проблематике // Социологический журнал, № 4, 2001, http://knowledge.isras.ru/sj/
12.
Альтернативная социология
О. Н. Яницкий. Альтернативная социология // Социологический журнал, № 1, 1994, http://knowledge.isras.ru/sj/
13.
Двенадцать гипотез об альтернативной экополитике
О.Н. Яницкий. Двенадцать гипотез об альтернативной экополитике // Социологический журнал, № 4, 1994, http://knowledge.isras.ru/sj/
14.
Альтернативное вычисление инстантонного вклада в beta-функцию в теории Янга - Миллса
Ильгенфриц Э.-М., Казаков Д.И., Мюллер-Пройскер М.. Альтернативное вычисление инстантонного вклада в beta-функцию в теории Янга - Миллса // Письма в ЖЭТФ, том 33, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
15.
Альтернативный способ вычисления собственных значений трансфер-матрицы tau_2-модели при N=2
Показано, что tau_2-модель (модель Бакстера--Бажанова--Строганова) при N=2 с произвольными значениями параметров является частным случаем обобщенной модели Изинга. Модель удовлетворяет условию ``свободных фермионов'', что дает возможность решить ее методом вспомогательного грассманового поля. Найдены явные выражения для статистической суммы на решетке конечных размеров и собственные значения трансфер-матрицы. В данном подходе не возникает вопрос о кратностях собственных значений трансфер-матрицы в отличие от метода функциональных соотношений.
16.
Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий--ртуть--теллур на<<альтернативных>> подложках
Проведено рассмотрение процессов роста гетероэпитаксиальных структур на основе твердого раствора кадмий--ртуть--теллур на "альтернативных" подложках изGaAs иSi методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучены физико-химические процессы роста и механизмы образования дефектов при эпитаксии CdZnTe на атомарно-чистой сингулярной и вицинальных поверхностях подложек из арсенида галлия и пленок CdHgTe на подложках CdZnTe/GaAs. Получены монокристаллические пленки ZnTe на подложках из кремния. Разработаны методы снижения дефектности пленок CdZnTe/GaAs иCdHgTe. Создано оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии, обеспечивающее выращивание гетероэпитаксиальных структурКРТ с высокой однородностью состава по площади на подложках большого диаметра при непрерывном контроле состава в процессе выращивания. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены гетероэпитаксиальные слоиКРТ наGaAs с высокими электрофизическими параметрами.
17.
Альтернативные социальные сообщества в античном мире
В книге рассматривается недостаточно разработанная в отчественной и зарубежной литературе тема альтернативных неформальных социальных сообществ античного мира. Это и объединения людей, не имеющих гражданства, и союзы честолюбивых политических претендентов, и отдельные группы людей, преследующих цели, не совпадающие с главными принципами всего гражданского единства, философские кружки и школы, религиозные и профессиональные объединения.
18.
Формализация содержания альтернативных предложений в функции отбора на основе понятий реляционной алгебры
Файбисович М.л. Формализация содержания альтернативных предложений в функции отбора на основе понятий реляционной алгебры // Научная сессия МИФИ-2001. Т.3 Банки данных и анализ данных. Интеллектуальные системы и технологии. Технологии разработки программных систем, стр. 33-35
19.
Проблема альтернативности в развитии сословно-представительных органов в западной европе и россии
Алексанова В.и. Проблема альтернативности в развитии сословно-представительных органов в Западной Европе и России // Научная сессия МИФИ-2001. Т.6 Проблемы университетского образования. Экономика и управление. Актуальные проблемы гуманитарных наук, стр. 192-193
20.
Выявление закономерностей в альтернативных группах признаков, связанных по экспертному заключению
Янковская А.е. Выявление закономерностей в альтернативных группах признаков, связанных по экспертному заключению // Научная сессия МИФИ-2004. Т.3 Интеллектуальные системы и технологии, стр. 126-127