Предложен новый метод определения теплопроводящих свойств алмазных пленок, основанный на фотоакустическом эффекте. С использованием этого метода исследованы алмазные поликристаллические пленки, выращенные на кремнии путем газофазного химического осаждения в плазме СВЧ разряда. Полученная величина коэффициента теплопроводности оказалась примерно вдвое ниже, чем в монокристаллическом алмазе.

Показано применение голографической интерферометрии к решению двух задач: нагревание стеклянной пластины сложным источником тепла и неизотермическое обтекание клина затопленной струей. Автоматизирован процесс выделения скелетных линий на интерферограммах, их нумерация и непосредственный расчет полей температур.

Для увеличения чувствительности радиоспектрометров ЭПР предложено использовать сегнетоэлектрический материал в качестве дополнительного резонатора. Метод опробован на радиоспектрометре ЭПР РЭ-1307 и на импульсном радиоспектрометре. Рассмотрены возможности увеличения соотношения сигнал/шум для сегнетоэлектрического резонатора прямоугольной и сферической форм. При использовании прямоугольного сегнетоэлектрического резонатора из танталата калия достигнуто увеличение соотношения сигнал/шум в 16 раз при 331 K и в 10 раз при 292 K. В импульсном эксперименте присутствие сегнетоэлектрического резонатора позволило уменьшить СВЧ мощность, необходимую для насыщения образца, в 50 раз при 50 K.

Проведено экспериментальное исследование проблемы управления характеристиками коллинеарного акустооптического фильтра. Показано, что при использовании акустического импульса ступенчатой формы в коллинеарных акустооптических фильтрах возможно существенное уменьшение боковых лепестков аппаратной функции. Исследована динамика изменения формы кривой пропускания в зависимости от количества акустических импульсов одновременно находящихся в кристалле, и их длительности. Экспериментально проведено исследование спектра, состоящего из двух близких линий, с помощью перестраиваемого коллинеарного акустооптического фильтра.

Разработан новый принцип импульсного плазмотрона для нанесения покрытий из металлокерамики, керамики и металлов на твердую подложку. Представлены расчеты, по которым подбирались параметры плазмотрона. На примере твердого сплава (W-Co), нанесенного на подложку из Cu, показано использование данного плазмотрона. С помощью методов резерфордовского обратного рассеяния (RBS), рентгенофазового анализа, просвечивающей электронной микроскопии (TEM) с дифракцией, измерения твердости и адгезии исследовано покрытие из твердого сплава. Показано, что покрытие состоит из кристаллов WC с гексагональной и кубической решеткой, имеются кристаллиты alpha- и beta-кобальта размерами около 25 nm, а по границам кристаллитов обнаружены частицы W3Co3C.

Рассматривается возможность диагностики протонных пучков высоких энергий с помощью параметрического рентгеновского излучения в монокристаллах.

Изложена методика анализа низкочастотного участка спектра люминесценции, которая позволяет установить наличие абсолютно жесткой кулоновской щели, образованной локализованными заряженными дефектами. Эффективность методики иллюстрируется на примерах люминесценции в аморфных полупроводниках, в оптических волокнах, а также триболюминесценции.

С помощью атомно-силовой микроскопии (АСМ) изучена топография субмикронных периодических структур, сформированных на поверхностях поликристаллического синтетического алмаза, и полиимидных пленок на подложках из плавленого кварца при наносекундных импульсных воздействиях ультрафиолетового излучения эксимерного XeCl лазера с длиной волны 308 nm в схеме четырехлучевой интерференционной лазерной модификации. Показана возможность прямого формирования двумерного периодического рельефа с субмикронным периодом на поверхности алмаза непосредственно импульсным лазерным испарением без применения резистора. Установлено, что в зависимости от экспозиции наблюдаются два различных механизма модификации полиимидных пленок. При экспозициях в диапазоне до 100 mJ/cm2 в полиимиде наблюдается изменение рельефа вследствие увеличения объема в местах интерференционных максимумов. При экспозиции более 100 mJ/cm2 в пленках возникают отверстия. С использованием УФ фоторезистора, экспонированного интерференционным импульсным лазерным облучением, и последующего ионного травления Ar получен периодический рельеф на поверхности плавленого кварца.

С помощью коммерческого CFDRC software (http://www.cfdrc.com/~cfdplasma), позволяющего проводить симуляции в произвольной 3D геометрии с использованием как fluid уравнений для всех компонентов (fluid model), так и с решением кинетического уравнения для нахождения функции распределения электронов (kinetic model), проведено сопоставление кинетического и fluid расчетов при моделировании плазмы положительного столба разряда постоянного тока в кислороде. Показано, что как в локальном, так и в нелокальном режимах формирования EDF электронов ее немаксвелловость, удовлетворительно учитывается с помощью аппроксимации двумя группами электронов. Это позволяет наиболее просто учесть кинетические эффекты в рамках традиционной fluid модели, используя для этого предложенную двухтемпературную аппроксимацию неравновесной и нелокальной EDF (2 T fluid model).

Рассматривается вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) из алмазных пленок, выполненных в виде мембран толщиной 2.5-5 mum. ВЭЭ исследуется в двух режимах: в режиме \glqq на отражение\grqq, когда вторичные электроны выходят с поверхности мембраны, на которую падают первичные электроны, и в режиме \glqq на прострел\grqq, когда вторичные электроны выходят с поверхности, противоположной поверхности, на которую падают первичные электроны. Оценка коэффициента ВЭЭ производится на основе анализа поведения в твердом веществе электронов с энергией 0.1--30 keV. Показано, что в случае \glqq на отражение\grqq коэффициент ВЭЭ может быть более 100 при энергиях порядка 3 keV, а в случае \glqq на прострел\grqq он не превышает 5 даже при энергиях 30 keV. Для улучшения эмиссионных свойств мембран при работе \glqq на прострел\grqq предложен ряд конструкций, в частности пористые мембраны, которые позволяют получить характеристики, близкие к характеристикам при работе \glqq на отражение\grqq. Приведены экспериментальные результаты, согласующиеся с расчетными данными, и описана технология получения алмазных мембран, в том числе и пористых.