Методами время-разрешенной фотолюминесценции и инфракрасной фурье-спектроскопии исследовано взаимодействие пористого кремния (por-Si) с тяжелой водой (D2O). Показано, что контакт por-Si с D2O приводит к аномально быстрому окислению его поверхности--- со скоростью, по крайней мере на порядок превышающей скорость окисления por-Si в обычной (протиевой) воде. Процесс окисления приводит к трансформации химического состава поверхности por-Si и сопровождается резкими изменениями спектральных и временных характеристик фотолюминесценции. Высказаны предположения о природе взаимодействия пористого кремния с тяжелой водой.

Методами инфракрасной спектроскопии, электронного парамагнитного резонанса и фотолюминесценции исследованы слои пористого кремния, сформированные посредством электрохимической обработки Si в растворе HF : D2O. В отличие от образцов, приготовленных в обычном электролите (HF : H2O), обнаружено монотонное увеличение интенсивности фотолюминесценции в процессе естественного окисления образца при сохранении водородного покрытия поверхности кремниевого скелета. Предложен механизм аномального окисления слоев пористого кремния, полученного в смеси HF и тяжелой воды.

Проведено исследование релаксации дефектной подсистемы кремния, нарушенной имплантацией тяжелыми ионами высоких энергий, на примере изменения электрофизических свойств кристалла, отожженного при температуре 450oC. Показано, что при облучении относительно низкими дозами тяжелых ионов Bi и относительно коротком отжиге (время отжига не превышает 5 ч) происходит введение термоакцепторов, распределение которых имеет два максимума на глубинах ~ 10 мкм и в окрестности проективного пробега ионов, равного 43.5 мкм. Максимумы в распределении термоакцепторов соответствуют областям, обогащенным вакансионными дефектами. При увеличении времени отжига происходит трансформация акцепторных центров в донорные с сохранением пространственного распределения. Одновременно происходит практически однородное введение термодоноров во всем кристалле за областью проективного пробега ионов.

Рассмотрено накопление дефектов в приповерхностной областиSi при облучении ионамиBi с энергией0.5 МэВ при температуре -196oC. Показано, что накопление разупорядочения в приповерхностной области с ростом дозы облучения происходит как планарный рост аморфного слоя от границы Si--SiO2, и этот рост начинается после достижения пороговой дозы облучения. Полученные результаты хорошо описываются в рамках модели, основанной на миграции генерируемых ионами мобильных точечных дефектов к поверхности и последующих процессах их сегрегации на межфазной границе, а также наличии насыщаемых стоков в исходных образцах.

Ивлиев С.в., Ляпидевский В.к., Рязанов М.и. О механизме смещения атомов в треке тяжелого иона // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 37-38

Нурушев С.б. Полные и дифференциальные сечения и поляризационные эффекты в упругом РР-рассеянии на коллайдере тяжелых релятивистских ионов // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 52-54

Баранов В.г., Годин Ю.г., Соловьев Г.и. Физико-химическое взаимодействие компонентов активной зоны при имитации развития тяжелой аварии // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 179-180

Еремин Н.в., Телец В.а. Современное состояние проблемы измерения сверхмалых концентраций тяжелых альфа-активных атомов в конструкционных материалах интегральных микросхем // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.5 Информатика, вычислительная техника. Автоматизация. Электронные измерительные системы. Информационные технологии и электроника. Электроника. Микроэлектроника, стр. 210-212

Емельянов В.м., Ходинов А.и., Klein S.r., Vogt R.l. Зависимость сечений рождения J/пси и дилептонов от прицельного параметра в столкновениях тяжелых ядер // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.4 Астрофизика. Космофизика. Ускорительная техника. Физика элементарных частиц. Ядерная физика, стр. 176-177

Быковский Ю.а., Плешанова Е.п., Плешанов П.г., Kiss M.z., Sayers D.e., Thompson A., Mchugo S.a. Пространственное распределение тяжелых элементов в легочной ткани человека // Научная сессия МИФИ-2000. Т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 166