Найдено научных статей и публикаций: 306
151.
Блоховские линии в доменных границах антиферромагнетиков
Получены приближенные уравнения, описывающие субструктуру 180o доменных границ (ДГ) в антиферромагнетиках с сильной одноосной анизотропией. Определены структура и спектр блоховских линий, которые разделяют участки ДГ с противоположными направлениями вектора антиферромагнетизма. PACS: 75.70.Kw, 75.50.Ee
152.
Диаграмма устойчивости упругих доменов в эпитаксиальных сегнетоэлектрических тонких пленках
Теоретически исследуется статика одиночных упругих доменов (двойников) в эпитаксиальных тонких пленках тетрагональной симметрии, выращенных на кубической подложке. Рассмотрены различные возможные варианты геометрической формы домена: пластинчатая, трапецеидальная и треугольная кофигурации. Неоднородные внутренние напряжения, существующие в полидоменных эпитаксиальных системах, рассчитываются методом эффективных дислокаций. Отсюда определяются упругие энергии, запасенные в гетероструктурах с различными доменами. Путем минимизации полной внутренней энергии гетероструктуры вычисляется равновесная ширина домена. Далее из энергетических соображений строится диаграмма устойчивости одиночных доменов в эпитаксиальных пленках. Показано, что в значительной части этой диаграммы трапецеидальные домены энергетически более выгодны, чем пластинчатые домены. Исследовано влияние внешнего электрического поля на устойчивость 90o доменов в эпитаксиальных сегнетоэлектрических пленках.
153.
Спектральная зависимость создания и стирания электрической структуры в рубине при нелазерном облучении. проводимость доменов рубина
Исследована зависимость скорости формирования и стирания фотоиндуцированной электрической доменной структуры рубина от спектрального состава облучающего нелазерного света. Обнаружено, что облучение в области ближнего ультрафиолета производит быстрое стирание доменной структуры. В предположении "конденсаторной" модели доменов определены зависимости плотности фототока и фотопроводимости от напряженности электрического поля доменов при облучении разного спектрального состава при 77 и 300 K. Оценена темновая проводимость рубина.
154.
Характер зависимости скорости доменной стенки от продвигающего поля в пленках гранатов
В феррит-гранатовой пленке системы (YSmCa)3(FeGe)5O12 с ориентацией типа (111) исследована зависимость скорости доменной стенки от амплитуды импульсов продвигающего магнитного поля. Полученные результаты проанализированы с точки зрения существующей теории. На зависимости наблюдался максимум, отвечающий срыву стационарного движения. После срыва скорость вначале резко уменьшается, а затем возрастает; предполагается, что на этом участке в стенке происходит процесс периодического возбуждения, смещения и аннигиляции горизонтальных линий Блоха. Для области насыщения скорости получены данные, подтверждающие предложенную ранее эмпирическую формулу и теоретическуя модель, согласно которой режиму насыщения отвечает состояние хаоса.
155.
Влияние доменной структуры в подмагничивающем поле на высокочастотную восприимчивость ферромагнетика
На основании уравнений Ландау--Лифшица исследованы высокочастотные свойства двухосного доменсодержащего массивного ферромагнетика, находящегося во внешнем магнитном поле с модулированной амплитудой. Определены компоненты тензора частотной магнитной восприимчивости и зависимость резонансной частоты однородных пульсационных колебаний полосового домена от амплитуды внешнего магнитного поля.
156.
Акустоэлектрический домен в пьезополупроводниках: зарождение и свойства
Предлагается модель возникновения и развития акустоэлектрического домена в пьезополупроводниках при развитии акустической неустойчивости. Модель не только качественно объясняет все основные нетривиальные особенности развития домена, но и позволяет количественно оценить его параметры: амплитуду и длительность. Результаты оценок близки к экспериментальным данным, что свидетельствует о правильности модели.
157.
Формирование доменной структуры в сегнетоэлектриках в условиях экранирования поляризации зарядами на поверхностных состояниях и свободными носителями заряда
Исследуется влияние экранированя зарядами на поверхностных состояниях и свободными носителями заряда на ширину плоскопараллельной доменной структуры. Определен период доменной структуры в рамках его отождествления с периодом модулированного распределения поляризации, возникающего по механизму потери устойчивости в сегнетоэлектрическом кристалле конечных размеров. Описано влияние на период параметров поверхностных электронных состояний, поверхностного несегнетоэлектрического слоя и экранирования свободными носителями заряда.
158.
Подвижность доменных границ в пленках гранатов с малыми потерями
В монокристаллических пленках гранатов системы YBiFeGa с перпендикулярной магнитной анизотропией и узкой линией ферромагнитного резонанса исследована зависимость подвижности доменной стенки от величины постоянного магнитного поля, приложенного в плоскости образца. Показано, что, как и в случае монокристаллов YIG с кубической магнитной анизотропией, при движении стенки имеется дополнительный вклад в потери энергии, значительно превышающий релятивистский вклад, существующий и при однородной намагниченности. Установлено, что предложенный недавно в теории механизм не дает правильного объяснения этого дополнительного вклада, так как имеются не только количественные, но и качественные расхождения между выводами теории и данными измерений.
159.
Особенности проявления спин-волнового механизма движения доменных стенок в пленках ферритов-гранатов с ромбической магнитной анизотропией
Необычные динамические свойства монокристаллических пленок ферритов-гранатов (МПФГ) с магнитной анизотропией в плоскости пленки, в частности однонаправленная анизотропия скорости доменных стенок (ДС), объясняются в рамках механизма движения ДС, включающего локальное вращение намагниченности перед движущейся ДС, которое инициируется спиновыми волнами, излучаемыми ею, а также анизотропию диссипативных свойств МПФГ в ее плоскости.
160.
Ферроидные свойства и доменная структура титаната бария
На примере сегнетоэлектрика BaTiO3 теоретически исследованы особенности доменного строения сегнетоэлектрических кристаллов при учете ферроидных свойств высшего порядка. Учет ферроидных свойств позволяет уточнить детали доменного строения и, в частности, объяснить возможность существования в сегнетоэлектрическом кристалле заряженных доменных стенок.