Представлены экспериментальные результаты изучения деформации доменных границ в эпитаксиальных пленках ЖИГ с примесью Co под воздействием облучения линейно поляризованным светом. Предложена простая теоретическая модель, позволяющая объяснить наблюдаемые эффекты появлением в освещаемом объеме пленки фотоиндуцированной анизотропии. Экспериментальные результаты количественно описаны в рамках разработанной модели.

Рассматривается нелинейная динамика периодической системы взаимодействующих доменных границ в тонкой ферромагнитной одноосной пленке с перпендикулярной анизотропией. Взаимодействие между доменными границами осуществляется через магнитостатические размагничивающие поля доменов. Полученные уравнения движения такой системы границ решаются численно методом Рунге--Кутта 4--5 порядка, а индикаторами типа колебаний служат равномерность распределения фазовой траектории, вид сечения Пуанкаре и спектральная плотность этих колебаний. В результате проведенного компьютерного эксперимента для данной нелинейной системы обнаружены все известные типы колебаний: периодические, квазипериодические и хаотические. Результаты расчета имеют универсальный характер для одноосных высокоанизотропных ферромагнитных пленок с полосовой доменной структурой, поскольку возможен простой пересчет полученных результатов для материалов с различными магнитными характеристиками.

Исследована медленная релаксация поляризации сегнетоэлектрика в слабом электрическом поле на примере кристаллов триглицинсульфата с различным состоянием доменной структуры и поверхности. Приводится описание установки, позволяющей регистрировать релаксацию в автоматическом режиме с рекордной точностью. Показано, что при условии малого изменения "степени метастабильности" структуры, изменение Delta P поляризации со временем t во всех случаях следует закону Delta P=C/(1+t/a)n, где параметры C, a, n зависят от состояния структуры и поверхности. В предположении независимости зародышей и их аддитивного вклада в общую поляризацию кристалла проведен феноменологический анализ экспериментальных данных и построены спектры распределения энергетических барьеров для доменных стенок. Выявлены особенности трансформации спектров при изменении характера доменной структуры, глубины рельефа поверхности и величины внешнего электрического поля.

На монокристалле бериллия в магнитном поле H=<3 T ( H||[0001]) при гелиевых температурах наблюдались диамагнитные домены (домены Кондона). Образование доменной структуры устанавливалось как по магнитопробойным квантовым осцилляциям сопротивления и термоэдс, так и по расщеплению резонансного пика частоты свободной спиновой прецессии мюонов (muSR). Чередование однородного состояния (с одним пиком muSR) и состояния с доменной структурой (с двумя пиками) совпадает по периодичности с эффектом де Гааза--ван Альфена, величина периода Delta H=~78 Oe, область существования доменов и разность их намагниченности Delta B=4piDelta M=B2-B1=~30 Oe.

На основе конкретных моделей доменных границ исследуются условия однодоменности и квазиоднодоменные состояния в структурах с магнитными материалами, фактор качества которых больше единицы. Показано, что критическая толщина магнитной пленки в касательно намагниченной системе с ростом поля подмагничивания в интервале от нуля до поля перехода из коллинеарной в однородную угловую фазу монотонно убывает и далее монотонно растет с увеличением внешнего поля. В тонкой изолированной магнитной пленке размер доменов экспоненциально растет при уменьшении ее толщины. Эта зависимость в окрестности перехода в однодоменное состояние для пленки с двухсторонним покрытием является логарифмической, а для пленки с односторонним покрытием имеет степенной характер. Появление однодоменности и особенности в асимптотическом поведении доменной структуры в магнитных пленках с покрытием и без него объясняются различиями асимптотики поля одиночной доменной границы.

Приводятся результаты исследования температурных зависимостей подвижности доменных стенок mu от дозы рентгеновского облучения в интервале от 20 до 180 kR. Показано, что значения mu неоднозначно зависят от амплитуды переключающего поля и дозы радиации для импульсов тока переключения разной полярности.

Рассматриваются условия возникновения и область устойчивости магнитных неоднородностей типа статических солитонов в кристалле-пластине (001) с комбинированной анизотропией. Показано, что при учете размагничивающих полей пластины статические солитоны могут локализовываться на дефектах определенного типа при подходящих значениях параметров материала. Найдено, что область устойчивости солитонов ограничена двумя крайними значениями материальных параметров: при одних --- солитон неустойчив относительно коллапса, при других --- солитон расплывается. Получено также, что область устойчивости солитона значительно отличается от теоретически предсказанной в модели, не учитывающей конечности образца и наличия дефектов в нем.

Исследована подвижность доменной границы в пленках гранатов с перпендикулярной магнитной анизотропией и узкой линией ферромагнитного резонанса (FMR). Анализ полученных и литературных экспериментальных данных показывает, что при величине приведенного параметра диссипации Ландау--Лифшица, найденной из измерений FMR, LambdaFMR>2.4· 10-9 Oe2· s подвижность доменной границы обратно пропорциональна LambdaFMR, что совпадает с классической теорией. При LambdaFMR

Представлены результаты исследований сверхзвуковой динамики доменных границ в пластинчатых образцах YFeO3 с толщинами 10, 35, 40, 120 и 125 mum, синтезированных разными методами, и в образце EuFeO3 толщиной 60 mum при температуре жидкого азота. Установлены закономерности в возникновении на полевых зависимостях скорости движения доменных границ от амплитуды импульсного магнитного поля нелинейных участков в виде интервалов с постоянными скоростями. Получено качественное согласие экспериментальных данных и расчетных значений скоростей и величин интервалов их постоянства в предположении действия механизма резонансного торможения доменных границ при сверхзвуковых скоростях на параметрически возбуждаемых винтеровских (пристеночных) магнонах.

Представлены результаты теоретического исследования туннелирования границ магнитных доменов с учетом взаимодействия последних с тепловой системой кристалла. Показано, что термостимуляция существенно увеличивает прозрачность потенциальных барьеров при распространении границ по кристаллу.