Тhe multidimensional analog of the frequencies polygon method with the absorption estimators for global approximation of the solution of integral equation of the second kind is considered. The upper boundary of the error is constructed and the conditionally optimal values of the parameters are obtained on base of C-approach. The results of test calculations for a model integral equation are presented 

Проанализировано влияние взаимодействия вихрей Абрикосова с намагниченностью на продольную вихревую неустойчивость в слоистой структуре ферродиэлектрик--сверхпроводник второго рода. Показано, что в окрестности ориентационного фазового перехода в магнетике, где поперечная восприимчивость магнетика велика, величина продольного критического тока в структуре может быть почти в полтора раза меньше, чем в изолированном сверхпроводнике. Вследствие влияния нелокальности взаимодействия между вихрями такой эффект может наблюдаться лишь в структурах со сверхпроводниками, обладающими слабым или умеренным пиннингом. Рассматривается структура со сверхпроводником, толщина которого значительно превышает лондоновскую глубину проникновения магнитного поля и длину волны критической моды.

Показано, что имеется глубокая аналогия между переходом к турбулентности в незамкнутых течениях жидкости и шумоиндуцированным возбуждением колебаний маятника со случайно колеблющейся осью подвеса. Существенно, что эта аналогия основана не на подобии уравнений, описывающих рассматриваемые процессы, а на общности законов теории колебаний. Наличие указанной аналогии позволяет понять и объяснить ряд явлений, наблюдающихся как в численных, так и в реальных экспериментах. Более того, на ее основе удалось дать ряд рекомендаций экспериментаторам по более глубокому подавлению нежелательных турбулентных пульсаций в дозвуковых струях.

Проведен анализ процессов макроскопического проникновения электромагнитного поля внутрь сверхпроводящих сред с различными типами вольт-амперных характеристик, индуцированного изменяющимися внешним магнитным полем или транспортным током. Показано, что даже при наличии в сверхпроводнике конечного электрического напряжения, возникающего задолго до критического тока, магнитный поток, как и в модели критического состояния, проникает в сверхпроводник с конечной скоростью в виде характерной электромагнитной волны. На ее фронте выполняется особое условие --- плавный переход напряженности электрического поля, индуцированного каким-либо внешним возмущением, к соответствующему невозмущенному значению. Записаны формулы для расчета скорости проникновения электромагнитного поля внутрь сверхпроводника. Для подтверждения сформулированных закономерностей выполненное исследование сопоставлено с соответствующими численными расчетами.

Исследовано воздействие излучения на кинетику поздней стадии фазовых переходов первого рода --- оствальдовское созревание. В частности, выявлены особенности кинетики роста зардышей в зависимости от их размеров и времени воздействия излучения. Показаны возможные пути управления кинетикой роста зародышей.

Предложено теоретическое объяснение особенностей вольт-амперных характеристик сверхпроводников второго рода в вихревом состоянии. Наблюдаемые при экспериментах особенности вольт-амперных характеристик были связаны сo скачками и зависимостью от предыстории. Предложенное объяснение связано с динамическими фазовыми переходами, возникающими в системе подвижных и неподвижных каналов, по которым движутся вихри при приложении транспортного тока. Работа выполнена по собственной инициативе.

Исследовано совместное влияние поверхностного (краевого) барьера и объемного пиннинга на зависимость критического тока Ic для объемных сверхпроводников II рода от приложенного магнитного поля ( I normal H0). Показано, что в области слабых магнитных полей на зависимости Ic(H0) существует участок, на котором Ic увеличивается с ростом H0. В результате в области слабых полей возникает нетривиальный пик-эффект на зависимости Ic(H0), который объясняется комбинированным влиянием поверхностного (краевого) барьера и объемного пиннинга, весьма чувствительного к распределению плотности транспортного тока в сверхпроводнике.

Экспериментально и теоретически изучен процесс зарождения и роста островков новой фазы на поверхности твердых тел на примере фазового перехода из пирохлорной фазы в перовскитовую в тонкой пленке сегнетоэлектрика цирконата-титаната свинца. Данное превращение выбрано потому, что островки новой фазы в этом случае имеют устойчивую круглую форму, относительно большие размеры (10-5-10-4 m), позволяющие вести за ними наблюдения в оптическом микроскопе, и низкую скорость роста (10-8-10-9 m/s). Проведен теоретический анализ этого процесса на основе предложенной ранее кинетической теории фазовых переходов первого рода, вычислены зависимости от времени всех основных характеристик фазового превращения: скорости зародышеобразования, концентрации островков новой фазы, их распределения по размерам и относительного перегрева. Эти же зависимости измерены экспериментально, что впервые позволило провести подробное сравнение теоретических и экспериментальных данных по кинетике фазовых переходов первого рода. Установлено хорошее соответствие их друг другу.

Проанализировано влияние взаимодействия вихрей Абрикосова с намагниченностью на продольную вихревую неустойчивость в слоистой структуре ферродиэлектрик--сверхпроводник второго рода. Показано, что в окрестности ориентационного фазового перехода в магнетике, где поперечная магнитная восприимчивость велика, величина продольного критического тока в структуре может быть почти в 1.5 раза меньше, чем в изолированном сверхпроводнике. Причиной этого является компенсация источников поля рассеяния вне сверхпроводника "магнитными зарядами", возникающими из-за скачка поперечной намагниченности на поверхности магнетика. Рассматривается структура со сверхпроводником, толщина которого значительно превышает лондоновскую глубину проникновения магнитного поля и длину волны критической моды, поэтому (ввиду отсутствия качественных массивных высокотемпературных сверхпроводников) для экспериментального исследования описанного явления следует использовать традиционные низкотемпературные сверхпроводники.

Исследованы спектры поглощения и кинетика плавления и кристаллизации нанокристаллов CuCl в стекле в области размеров 1--30 nm. На размерных зависимостях температуры плавления Tm(R) и температуры кристаллизации Tc(R) обнаружено 3 разрыва. При постепенном уменьшении радиуса частицы от 30 nm в области R=< 12.4 nm происходит скачок уменьшения на 60 градусов температуры Tc, который связывается с размером критического зародыша CuCl в расплаве. При R=2.1 nm наблюдается скачок уменьшения на 30 градусов температуры Tm, а при размере частиц CuCl 1.8 nm обнаруживается второй скачок уменьшения на 16 градусов температуры Tc. Два последних скачка связываются с изменением равновесной формы наночастиц. В области меньших размеров при R=< 1.34 nm наблюдается слияние зависимости Tc(R) с зависимостью Tm(R) вследствие исчезновения работы образования кристаллической поверхности при кристаллизации расплава из-за отсутствия поверхностного натяжения у частиц CuCl с радиусом, сравнимым с толщиной эффективного поверхностного слоя. В этой же области радиусов частиц CuCl (1--1.8 nm) наблюдается увеличение размерного сдвига энергии экситона. Размерная зависимость температур плавления и кристаллизации наночастиц объясняется изменением свободной энергии в поверхностном слое частицы.