Обсуждается вопрос о влиянии размеров магнитоупорядоченных наночастиц на их точку Кюри. На примере систем наночастиц Fe3O4 различной дисперсности показано, что чем меньше частицы по размерам, тем больше толщина поверхностного слоя, в котором имеются значительные нарушения регулярной структуры.

Рассмотрена модель лестничного ферромагнетика с изинговскими спинами, состоящего из двух ферромагнитных цепочек с взаимодействием ближайших соседей и случайным взаимодействием между ближайшими спинами разных цепочек. При определенном выборе параметров случайного взаимодействия описание вырожденния основного состояния и термодинамики при T=0 оказывается довольно элементарным и сводится к использованию статистики одномерных кластеров. Полевые зависимости термодинамических параметров обнаруживают серию фазовых переходов, связанных с изменением спиновых конфигураций антиферромагнитных кластеров. Численное исследование термодинамики такой системы при конечных температурах подтверждает справедливость аналитических результатов, полученных при T=0.

Выведены уравнения типа Блоха--Хасегавы в случае анизотропного обменного взаимодействия между подсистемами магнитных моментов парамагнитных примесей и электронов проводимости в условиях их коллективного движения. Получены выражения для эффективной ширины линии электронного парамагнитного резонанса и эффективного g-фактора. Работа поддержана грантами BRHE REC-007, SNSF 7 IP 62595 и INTAS-01-0654.

Получены рабочие формулы для численного расчета обменной части давления в металле в приближении сферических ячеек Вигнера--Зейтца, исходя из формулы, полученной Н.А. Дмитриевым в приближении Хартри--Фока.2 PACS: 71.10.Ca, 71.20.Gj

Рассмотрены некоторые особенности спектров DLTS глубоких уровней, которые эффективно обмениваются носителями тока с обеими разрешенными зонами. Показано, что максимумы пиков смещаются незначительно по шкале температур, но обработка спектров традиционными методами приводит к ошибкам в определении параметров глубоких уровней (энергии ионизации, сечения захвата). Предложено несколько способов более точного определения указанных параметров и приведен численный пример такой обработки спектров DLTS.

Получено общее выражение для энергии обменного взаимодействия электрона в полупроводнике для произвольной степени вырождения электронного газа. Одночастичная обменная энергия выражена через интегральную функцию, зависящую только от отношения энергии уровня Ферми, отсчитываемой от дна зоны проводимости, к тепловой энергии электрона. Для сильно вырожденного Ферми-газа и нулевой температуры это выражение переходит в формулу Слэтера для обменной энергии электрона в металле. С увеличением температуры обменная энергия монотонно уменьшается. В пределе невырожденного электронного газа общее выражение приобретает простой аналитический вид. На диэлектрической стороне перехода Мотта обменная энергия с ростом температуры изменяется немонотонно: она имеет максимум при температуре порядка энергии ионизации доноров. Показано, что анизотропия изоэнергетической поверхности электронов практически не влияет на величину обменной энергии. Приведены зависимости сужения запретной зоны от концентрации при нескольких температурах для кремния и арсенида галлия.

Построена теория ионного переноса в изолирующих слоях на поверхности полупроводников. Учтены процессы нейтрализации ионов, распада нейтральных ассоциатов ион + электрон, ионного дрейфа и диффузии нейтральных ассоциатов. Теория позволяет разрешить противоречие в интерпретации экспериментальных данных о ионной деполяризации слоев SiO2, которые проявляют себя взаимоисключающе: и как система ионных ловушек с широким распределением времен жизни, и как среда со свободными ионами. Роль ловушек играют нейтральные ассоциаты; широкое распределение времен жизни обусловлено разбросом длин туннелирования электронов при распаде ассоциатов. Повышение степени ионизации при квазистационарном уменьшении электрического поля обеспечивает плавный переход от совокупности малоподвижных нейтральных ассоциатов к ансамблю свободных ионов.

Показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта 73Ge, образующегося в анионной подрешетке PbSe после радиоактивного превращения73As, не зависит от положения уровня Ферми. Впротивоположность этому центр73Ge вкатионной подрешеткеPbSe представляет собой электрически активную примесь замещения: вэлектронных образцах спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра(Ge2+), авдырочных--- двукратно ионизованному состоянию(Ge4+) этого центра. Для частично компенсированных образцов обнаружен быстрый электронный обмен между нейтральными и ионизованными донорными центрами.

Мазепа Е.в., Родин В.а., Урин М.г. Y-распад зарядово-обменного дипольного и спин-дипольного гигантских резонансов в ядре 208BI на аналоговое состояние // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 66-67

Родин В.а., Урин М.г. Структура и распадные характеристики зарядово-обменных спин-флипповых гигантских резонансов // Научная сессия МИФИ-2001. Т.5 Медицинская физика т техника, биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 192-193