Изучалось влияние кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия при lambda=1.54 мкм в пленках a-SiOx : H< Er>, полученных методом магнетронного напыления. Концентрация кислорода в газовой фазе плазмы изменялась в диапазоне 0.1-12 мол% при неизменности других параметров процесса напыления. Анализ системы a-Si : H-Er-O показал, что реально область гомогенности аморфной матрицы a-SiOx : H< Er> носит ретроградный характер (T=const). Область гомогенности условно можно разбить на две части, каждая из которых должна содержать один из двух разнозаряженных [Er-O]n-- и [Er-O-Si-O]m--кластеров (m>n). Это обстоятельство подтверждается экспериментом: вобласти концентрации кислорода в плазме 5.5-8 мол%, в последней, вероятно, непосредственно перед растущей поверхностью пленки происходят \glqq необычные\grqq ассоциативные процессы, обусловленные появлением в плазме и в пленке [Er-O-Si-O]m--кластеров. Именно им приписывается эффект увеличения фотолюминесценции эрбия при росте концентрации кислорода более5.5 мол%.

Исследованы оптические иструктурные своqства твердых растворов InGaAsP, выращенных при температуре 600oC на подложках GaAs(001) способом МОС-гидридной эпитаксии. Слои твердых растворов InGaAsP, соответствующих по составу области несмешиваемости, содержат вспектрах фотолюминесценции две полосы: основную идополнительную. Установлено, что обе полосы обусловлены межзонными излучательными переходами, т. е. внутри слоя находятся два твердых раствора сразными составами изапрещенными зонами. Показано, что смещение максимума дополнительной полосы всторону высоких энергий при увеличении уровня возбуждения вызвано квантовыми размерами доменов соответствующего состава. Данный вывод согласуется срезультатами просвечивающей электронной микроскопии, изучение изображений таких образцов обнаружило вних наличие периодической структуры, состоящей из чередующихся доменов сразным составом твердого раствора. Чередование доменов распространяется вдоль направлений[100] и[010] схарактерным периодом10 нм.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезирован массив квантовых молекул InAs в матрице GaAs, состоящий из пар вертикально совмещенных квантовых точек InAs. Исследование полученных структур методом просвечивающей электронной микроскопии показало, что вертикально совмещенные квантовые точки имеют одинаковый размер. Фотолюминесцентные измерения продемонстрировали наличие в спектрах исследуемых образцов полос, соответствующих электронным состояниям квантовых молекул.

Традиционные календарные обряды всегда характеризовались стремлением их участников оказывать активное воздействие на естественный ход природных процессов. Особенно отчетливо эта направленность проявлялась в земледельческих обрядах окказионального типа, цели которых ставились в наиболее непосредственной форме: вызывание или прекращение дождя, защита урожая от града, грозы и пр. Окказиональная обрядность относится к одной из наименее изученных сфер славянской обрядово-фольклорной культуры. Выделение типологических признаков окказиональных обрядов, а также определение их места в системе славянской обрядности в настоящее время затруднено ввиду отсутствия общепризнанной типологии последней.

Гейдаров А.а. Модифицирование силикагеля как способ получения неорганического материала для систем типа "Силикагель-жидкий металл" // Научная сессия МИФИ-1999. Т.13 Прикладная физика, стр. 128-129

Богданов А.а., Каплин В.а., Каракаш А.и., Нурушев С.б., Рунцо М.ф., Стриханов М.н. Способ измерения паразитных компонент поляризаций пучков на RHIC в экспериментах с продольно поляризованными протонными пучками // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.4 Астрофизика. Космофизика. Ускорительная техника. Физика элементарных частиц. Ядерная физика, стр. 195-196

Мищенко А.в. Способы и системы векторного управления электроприводами переменного тока // Научная сессия МИФИ-2000. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 18-19

Башашин М.в., Лукаш В.в. Анализ и способы реализации вейвлет преобразования // Научная сессия МИФИ-2000. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии и параллельные вычисления, стр. 46-47

Котляров А.а., Максимов А.ю. Изучение способов повышения эффективности регистрации 222 Rn методом электростатического осаждения дочерних продуктов распада // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.5 Биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Медицинская физика. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 111-112

Мухин В.и. Высокоприбыльный способ продаж товаров (работ,услуг) // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.6 ФИзико-математическое образование: взгляд в будущее.Экономика и управление. Актуальные проблемы гуманитарных наук, стр. 98-99