Бобрешов А.М. , Дыбой А.В., Китаев Ю.И., Коровченко И.С., Мещеряков И.И., Усков Г.К. (Bobreshov A.M., Diboy A.V., Kitaev U.I., Korovchenko I.S., Mescheriacov I.I., Uskov G.V.)
- Международные научно-технические конференции «Радиолокация, навигация, связь» , 2006
Построена математическая модель, описывающая поведение канала полевого транзистора с затвором Шотки под действием серии видеоимпульсов отрицательной полярности. Произведено согласование полученных теоретических зависимостей с экспериментальными данными для серии видеоимпульсов с разным периодом.
...
Построена математическая модель, описывающая поведение канала полевого транзистора с затвором Шотки под действием серии видеоимпульсов отрицательной полярности. Произведено согласование полученных теоретических зависимостей с экспериментальными данными для серии видеоимпульсов с разным периодом.
Mathematic model, which describes a behavior of GaAs MESFET`s under exposure of the series of periodic ultra short pulses, was described. Agreement of the theoretic dependences with experimental results for the series of video pulses with different period was done.
