В работе рассмотрено моделирование работы транзистора при импульсной перегрузке и влияние концентрации глубоких уровней на нее.

Построена математическая модель, описывающая поведение канала полевого транзистора с затвором Шотки под действием серии видеоимпульсов отрицательной полярности. Произведено согласование полученных теоретических зависимостей с экспериментальными данными для серии видеоимпульсов с разным периодом. Mathematic model, which describes a behavior of GaAs MESFET`s under exposure of the series of periodic ultra short pulses, was described. Agreement of the theoretic dependences with experimental results for the series of video pulses with different period was done.

Исследуется явление обратимой деградации малошумящих GaAs ПТШ под действием периодических сверхкоротких видеоимпульсов. Проведены эксперименты по определению основных закономерностей этого явления. Получены зависимости величины деградации и времени восстановления ПТШ от параметров импульсов. Дана физическая интерпретация полученных результатов. Phenomena of recoverable degradation of low noise GaAs MESFET`s under exposure of periodic ultra short videopulses were researched. Experiments of discovering of this phenomenon main lows had been done. Dependences values of degradation and relaxation time of MESFET from pulses parameters had been found. Physical interpretation of results had been shown.

В работе рассматриваются эффекты, возникающие при воздействии нано- и пикосекундных видеоимпульсов на полевые транзисторы с затвором Шотки (ПТШ). Предложена модель, в которой произведен учет основных характеристик деградации ПТШ. Разработана методика определения параметров модели по экспериментально полученным зависимостям. Показано, что характер поведения тока стока определяется кратковременным эффектом воздействия положительных выбросов напряжения на затворе, увеличивающим ток стока, и действием отрицательных импульсов, уменьшающих этот ток. На основе полученной модели рассчитаны зависимости тока стока от времени во время и после воздействия. Теоретические характеристики хорошо согласуются с экспериментальными. На основе полученных данных рассчитана зависимость изменения коэффициента усиления от времени при наличии импульсного воздействия. The effects in MESFET`s under exposure of video pulses with big amplitude was presented. The model for calculation base characteristics of degradation of MESFET`s was produced. The method of solving models parameters by experimental date was developed. The dependencies of the drain’s current is defined by two facts: the effect of short duration under the small positive tail in gate, which augment the drain’s current, and increasing of the negative charge in substrate via main negative pulse, that reduce current. The characteristic of the drain’s current in time domain in duration of exposure and after it was given. The theoretical results were in good agreement with experimental characteristic.