Поиск публикаций Научные конференции и семинары Новости науки Научная сеть

 Найдено научных статей и публикаций: 4, для научной тематики: ПТШ


Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 



1.

Влияние концентрации хрома в полуизолирующей подложке ПТШ на время восстановления при воздействии импульсной помехи (Chrome concentration in MESFET substrate effect on relaxation time under exposure of pulse interference ) (публикация автора на scipeople)   

А.М.Бобрешов, И.С.Коровченко, Ю.Ю.Разуваев, Г.К.Усков, Д.А.Шацкий - Физика и технические приложения волновых процессов : VII Междунар. науч.-техн. конф., посвящ. 150-летию со дня рождения А.С. Попова, 15 - 21 сент. 2008 г. : тез. конф. , 2008
В работе рассмотрено моделирование работы транзистора при импульсной перегрузке и влияние концентрации глубоких уровней на нее.
2.

Моделирование обратимой деградации тока стока полевых транзисторов с затвором шотки под действием серии видеоимпульсов отрицательной полярности.(Modeling of recoverable degradation of GaAs MESFET`s under exposure of series of periodic ultra short pulses) (публикация автора на scipeople)   

Бобрешов А.М. , Дыбой А.В., Китаев Ю.И., Коровченко И.С., Мещеряков И.И., Усков Г.К. (Bobreshov A.M., Diboy A.V., Kitaev U.I., Korovchenko I.S., Mescheriacov I.I., Uskov G.V.) - Международные научно-технические конференции «Радиолокация, навигация, связь» , 2006
Построена математическая модель, описывающая поведение канала полевого транзистора с затвором Шотки под действием серии...
3.

Экспериментальное исследование обратимой деградации GaAs ПТШ под воздействием импульсных перегрузок (Investigation of recoverable degradation of GaAs MESFET`s under exposure of pulse overloads) (публикация автора на scipeople)   

Бобрешов А.M., Левченко В.Н., Китаев Ю.И., Коровченко И.С., Нестеренко Ю.Н., Усков Г.К. (Bobreshov A.M., Levchenko V.N., Kitaev Yu.I., Korovchenko I.S., Nesterenko Yu.N., Uskov G.K.) - Международные научно-технические конференции «Радиолокация, навигация, связь» , 2006
Исследуется явление обратимой деградации малошумящих GaAs ПТШ под действием периодических сверхкоротких видеоимпульсов. Проведены...
4.

Моделирование деградационных процессов в полевом транзисторе под воздейстием импульсных помех большой амплитуды (Modeling the process of degardation of GaAs MESFET`s under exposure of pulses whith big amplitude) (публикация автора на scipeople)   

А.М. Бобрешов, Г.К. Усков, И.И. Мещеряков, И.С. Коровченко (A.M. Bobreshov, G.K. Uskov, I.I. Mescheriacov, I.S. Korovchenko) - Вестник воронежского государственного университета. Серия.Физика.Математика. , 2006
В работе рассматриваются эффекты, возникающие при воздействии нано- и пикосекундных видеоимпульсов на полевые транзисторы с затвором...