Бояркина Н.И., Смагулова С.А., Артемьев А.А.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Рассмотрены реакции отжига комплексов межузельного атома углерода с углеродом замещения (CiCs) и A-центра (VO) в n-Si, облученном быстрыми...
Рассмотрены реакции отжига комплексов межузельного атома углерода с углеродом замещения (CiCs) и A-центра (VO) в n-Si, облученном быстрыми электронами или gamma-квантами 60Co. Сделан расчет кинетики изохронного отжига этих центров. Путем сопоставления результатов расчета с литературными экспериментальными данными, полученными при измерениях концентрации центра с уровнем Ec-0.17 эВ в процессе изохронного отжига облученного n-Si, определено значение энергии диссоциации комплекса CiCs: ECiCs=(1.10±0.05) эВ. Энергия активации отжига этого центра EaCiCs~ 2.0 эВ. Сделана оценка энергии диссоциации A-центра: EA=1.94 эВ.
Бояркина Н.И., Смагулова С.А., Артемьев А.А. Энергии диссоциации комплекса CiCs и A-центра вкремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 907
Феоктистов Н.А., Афанасьев В.В., Голубев В.Г., Грудинкин С.А., Кукушкин С.А., Мелехин В.Г.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Представлены результаты исследования начальных стадий роста островковых алмазных пленок, полученных методом термического...
Представлены результаты исследования начальных стадий роста островковых алмазных пленок, полученных методом термического газофазного осаждения (hotfilamentCVD) на оптически полированном кристаллическом кремнии. Методом атомно-силовой микроскопии изучена эволюция островков, образовавшихся на начальных стадиях роста пленки, в процессе их отжига. Установлено, что на начальных стадиях роста изменение плотности островков происходит за счет коалесценции близко расположенных островков. Затем, при достижении островками критического размера, начинается оствальдовское созревание островков.
Феоктистов Н.А., Афанасьев В.В., Голубев В.Г., Грудинкин С.А., Кукушкин С.А., Мелехин В.Г. Начальные стадии роста островковых алмазных пленок накристаллическом кремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 910
Вилисова М.Д., Куницын А.Е., Лаврентьева Л.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Торопов С.Е., Чалдышев В.В.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Сиспользованием методов рентгеновской дифракции, оптического поглощения вближнем инфракрасном диапазоне и эффекта Холла...
Сиспользованием методов рентгеновской дифракции, оптического поглощения вближнем инфракрасном диапазоне и эффекта Холла исследовано влияние условий роста на структуру и свойства слоев GaAs, выращенных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных кремнием. Проанализирована связь между захватом избыточного мышьяка и электрофизическими свойствами слоев.
Вилисова М.Д., Куницын А.Е., Лаврентьева Л.Г., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Торопов С.Е., Чалдышев В.В. Легирование слоев GaAs кремнием вусловиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1025
Долбак А.Е., Жачук Р.А., Ольшанецкий Б.З.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Методами электронной оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов исследован механизм диффузии Cu вдоль атомарно-чистой...
Методами электронной оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов исследован механизм диффузии Cu вдоль атомарно-чистой поверхности кремния (110) вдиапазоне температур 500-650oC. Показано, что перенос меди вдоль поверхности кремния осуществляется путем ее диффузии через объем кремния исегрегации атомов меди на поверхность впроцессе диффузии. Получены зависимости эффективных коэффициентов диффузии Cu вдоль поверхности Si(110) от температуры. Проводится сравнение результатов, полученных на поверхностях Si(110) срезультатами, полученными ранее на поверхности Si(111).
Долбак А.Е., Жачук Р.А., Ольшанецкий Б.З. Механизм диффузии Cu вдоль поверхности Si(110) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1031
Deibuk V.G., Korolyuk Yu.G.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Using molecular-dynamics simulation we have calculated the total energy for unconstrained and biaxially confined model of Ge1-xSnx alloys. It allows us to study the thermodynamic stability of both disordered and ordered phases of semiconductor...
Using molecular-dynamics simulation we have calculated the total energy for unconstrained and biaxially confined model of Ge1-xSnx alloys. It allows us to study the thermodynamic stability of both disordered and ordered phases of semiconductor alloys. We have found a remarkable suppression of the phase separation in Ge1-xSnx due to biaxial strain.
Deibuk V.G., Korolyuk Yu.G. Thermodynamic stability ofbulk andepitaxial Ge1-xSnx semiconductor alloys // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1153
Пагава T.А., Башелейшвили З.В.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Исследовалось влияние концентрации основных носителей тока (n) и плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения...
Исследовалось влияние концентрации основных носителей тока (n) и плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) вобразцах n-Si. Показано, что зависимость eta(varphi) имеет максимум, который сувеличениемn смещается всторону больших значенийvarphi. Наблюдаемый эффект объясняется существованием оптимального соотношения между концентрациями первичных радиационных дефектов, образующихся вединицу времени, изаряжающих их свободных носителей тока.
Пагава T.А., Башелейшвили З.В. Влияние концентрации основных носителей тока иинтенсивности облучения наэффективность введения радиационных дефектов вкристаллах n-Si // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1157
Таскин А.А.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Проведено исследование структуры, химических свойств и энергий образования димеров халькогенов в кремнии с использованием...
Проведено исследование структуры, химических свойств и энергий образования димеров халькогенов в кремнии с использованием квантово-химических расчетов из первых принципов методом Хартри--Фока. Определены равновесная геометрия, распределение электронной плотности и параметры химической связи атомов в решетке. Показано, что существенный вклад в полную энергию кристалла вносит релаксация решетки вокруг примесных дефектов. Предсказана стабильность димеров халькогенов, связанная с уменьшением полной энергии кристалла при их образовании. Полученные оценки энергии образования димеров хорошо согласуются с имеющимися результатами экспериментальных исследований реакций их формирования. Обсуждается геометрия, электронные и химические свойства примесных кластеров, содержащих до шести атомов халькогенов.
Таскин А.А. Димеры халькогенов вкремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1163
Дейбук В.Г., Виклюк Я.И.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Исследованы химическая связь бинарных соединений GaP, InP, InAs, InSb, InBi, атакже перестройка характера связи вполупроводниковых сплавах...
Исследованы химическая связь бинарных соединений GaP, InP, InAs, InSb, InBi, атакже перестройка характера связи вполупроводниковых сплавах GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-xBix сизменением состава, характеризуемого параметромx. Использовался подход, связанный сучетом полной валентной плотности заряда, полярности химической связи ипоперечного эффективного заряда. Проведен расчет упругих постоянных указанных тройных твердых растворов ипроанализировано влияние на них перестройки химической связи. Учет локальных деформаций икомпозиционной неупорядоченности врассматриваемых сплавах сильно влияет на зависимости исследуемых величин от состава твердых растворов. Таким образом, вышеуказанными эффектами нельзя пренебрегать при исследовании твердых растворов замещения.
Дейбук В.Г., Виклюк Я.И. Химическая связь иупругие постоянные некоторых тройных твердых растворов A IIIB V // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1171
Кукушкин С.А., Осипов А.В., Schmitt F., Hess P.
- Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Вреальном времени методом спектральной эллипсометрии исследовался рост островков Ge на двух типах поверхности Si (100) и (111)....
Вреальном времени методом спектральной эллипсометрии исследовался рост островков Ge на двух типах поверхности Si (100) и (111). Обнаружено, что оба случая соответствуют росту Станского--Крастанова, т. е. вначале образуется смачивающий слой из Ge и лишь затем на поверхности этого слоя растут островки новой фазы. Однако на поверхности (100) зарождение островков сопровождается существенным уменьшением толщины смачивающего слоя, тогда как на (111) островки зарождаются и растут на смачивающем слое постоянной толщины. Так как на поверхности (100) атомы Ge переходят из смачивающего слоя в островки, существенно уменьшая при этом упругую энергию системы (но увеличивая поверхностную энергию), делается вывод о том, что в данном случае именно упругая энергия является основной движущей силой процесса зарождения островков. Развиты термодинамическая и кинетическая теория процесса зарождения островков из смачивающего слоя под действием упругой энергии. Введено новое понятие--- перенапряжение--- по аналогии с пересыщением и переохлаждением. Описана временная эволюция толщины смачивающего слоя, скорости зародышеобразования и поверхностной концентрации островков новой фазы. Проведено сопоставление теоретических результатов с экспериментальными данными, полученными эллипсометрическим моделированием, и показано их хорошее соответствие друг другу.
Кукушкин С.А., Осипов А.В., Schmitt F., Hess P. Зарождение когерентных полупроводниковых островков при росте по механизму Странского--Крастанова, индуцированное упругими напряжениями // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1177
