Исследованы спектры комбинационного рассеяния многослойных наноструктур CdSe / ZnSe с номинальной толщиной CdSe-вставки 2.1 монослоя. Обнаружена сильная зависимость интенсивности и частотного положения многофононных стоксовых и антистоксовых LO-полос от условий возбуждения. Полученные результаты интерпретированы как резонанс с различными экситонными переходами областей CdSe-вставки и барьерных слоев ZnSe. Отличие стоксовых и антистоксовых частот LO-полос при изменении условий резонанса подтверждает неоднородный характер полосы фотолюминесценции квантовых точек CdSe. Работа выполнена в рамках совместной Российско-украинской исследовательской программы \glqq Нанофизика\grqq.
Валах М.Я., Стрельчук В.В., Семенова Г.Н., Садофьев Ю.Г. Резонансное стоксовое и антистоксовое комбинационное рассеяние света в наноструктурах CdSe / ZnSe // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, Стр. 174

Методами оптической спектроскопии (фотолюминесценция в широком интервале температур, ИК-отражение и комбинационное рассеяние света) исследованы электронные и колебательные состояния в сверхрешетках квантовых точек CdTe/ZnTe. Обсуждается изменение спектра люминесценции структур в зависимости от толщины барьерного слоя ZnTe. Предполагается, что люминесценция электронно-связанных островков вследствие особенностей зонной структуры гетеропары CdTe/ZnTe обусловлена пространственно непрямыми экситонами. В спектрах комбинационного рассеяния обнаружена ранее не наблюдавшаяся комбинация колебательных мод квантовых точек. Анализ спектров решеточного ИК-отражения показывает, что если для структур с большими толщинами барьеров между плоскостями квантовых точек упругие напряжения сосредоточены в слоях Zn1-xCdxTe, то в структурах с меньшей толщиной барьера имеет место более сложная картина распределения упругих напряжений. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 03-02-16854 и 03-02-17110), а также Комиссии РАН по работе с молодыми учеными.
Багаев В.С., Водопьянов Л.К., Виноградов В.С., Зайцев В.В., Козырев С.П., Мельник Н.Н., Онищенко Е.Е., Карчевский Г. Электронные состояния иколебательные спектры сверхрешеток квантовых точек CdTe/ZnTe // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, Стр. 171

Исследована люминесценция межъямных экситонов в GaAs/AlGaAs-двойных квантовых ямах (n-i-n-гетероструктурах), содержащих крупномасштабные флуктуации случайного потенциала. Изучались свойства экситонов, у которых фотовозбужденные электрон и дырка пространственно разделены между соседними квантовыми ямами, при изменении плотности и температуры вплоть до 0.5 K. Исследовались домены величиной порядка микрона, играющие роль макроскопических ловушек для экситонов. При увеличении мощности резонансного лазерного возбуждения пороговым образом появляется очень узкая линия делокализованных экситонов (ее ширина менее 0.3 meV), которая с ростом накачки сильно увеличивается по интенсивности и сдвигается в сторону меньших энергий (примерно на 0.5 meV) в соответствии с накоплением экситонов в нижайшем состоянии в домене. С ростом температуры эта линия исчезает в спектре не активационным образом. Обнаруженное явление связывается с Бозе-конденсацией в квазидвумерной системе межъямных экситонов. В исследованном интервале температур (0.5--3.6 K) определены критические величины экситонной плотности и температуры и построена фазовая диаграмма, очерчивающая область экситонного конденсата. Авторы благодарят Российский фонд фундаментальных исследований и Государственную научно-техническую программу по наноструктурам за частичную финансовую поддержку.
Дремин А.А., Ларионов А.В., Тимофеев В.Б. Бозе-конденсация межъямных экситонов влатеральных ловушках: фазовая диаграмма // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, Стр. 168

Исследованы статическая и высокочастотная дифференциальные проводимости полупроводниковых сверхрешеток с различными законами дисперсии мини-зоны электрона. Показано, что в сверхрешетках с несинусоидальной мини-зоной высокочастотная проводимость может быть отрицательной даже в тех полях, в которых их статическая дифференциальная проводимость положительна. На основе проведенных исследований предлагается для генерации терагерцевых полей использовать сверхрешетки с мини-зоной, в значительной части которой эффективная масса электрона положительна и уменьшается с ростом его энергии. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16446, 02-02-17495), программы РАН \glqq Низкотемпературные квантовые структуры\grqq и Минпромнауки РФ.
Романов Ю.А., Романова Ю.Ю. О терагерцевом блоховском генераторе // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, Стр. 162

Исследованы три типа прозрачности полупроводниковой сверхрешетки: самоиндуцированная, индуцированная и селективная. Выявлены условия их существования и причины разрушения. Показано, что состояние самоиндуцированной прозрачности, неустойчивое в гармоническом поле, может быть устойчивым в бигармоническом поле. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16446), Минпромнауки РФ и программы РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq.
Романов Ю.А., Романова Ю.Ю. Разрушение истабилизация электромагнитной прозрачности полупроводниковой сверхрешетки // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, Стр. 156

The terahertz (THz) absorption spectra of plasmon modes in a grid-gated double-quantum-well field-effect transistor structure is analyzed theoretically and numerically using the scattering matrix approach and is shown to faithfully reproduce strong resonant features of recent experimental observations of THz photoconductivity in such a structure. At the Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov Division) this work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (Grant 03-02-17219). The work of X.G.P. and S.J.A. was supported by the ONR MFEL program, the DARPA/ONR THz Technology, Sensing and Satellite Communications Program, the ARO through Science and Technology of Nano/Molecular Electronics: Theory, Simulation, and Experimental Characterization and the Sandia National Laboratory. Sandia is a multiprogram laboratory operated by Sandia Corporation, a Lockheed Martin Company, for the United States Department of Energy's National Nuclear Security Administration under contract DE-AC04-94AL85000. N.J.M.H. gratefully acknowledges support from the U.S. Department of Defense, DAAD 19-01-1-0592. T.V.T. thanks INTAS for support (Grant YSF 2002-153).
Popov V.V., Teperik T.V., Polischuk O.V., Peralta X.G., Allen S.J., Horing N.J.M., Wanke M.C. Plasmon induced terahertz absorption and photoconductivity inagrid-gated double-quantum-well structure // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, Стр. 152

Исследуются электронный транспорт и отклик в терагерцевом диапазоне в полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом с высокой подвижностью. Особый интерес к таким транзисторам связан с возможностью создания на основе этих приборов приемников и генераторов, работающих в THz-диапазоне. Измерения величины и зависимости сопротивления сток-исток от магнитного поля используются для оценки электронной плотности и подвижности в канале транзистора. Результаты магнитотранспортных измерений используются для интерпретации наблюдаемого нерезонансного детектирования в транзисторах с шириной затвора от 0.8 до 2.5 mum.
Антонов А.В., Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Морозов С.В., Дубинов А.А., Lusakowski J., Knap W., Dyakonova N., Kaminska E., Piotrowska A., Golaszewska K., Shur M.S. Электронный транспорт идетектирование терагерцевого излучения субмикронными полевыми транзисторами сдвумерным электронным газомGaAs/AlGaAs // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, Стр. 146

Magnetotransport characterization of field effect transistors in view of their application as resonant detectors of THz radiation is presented. Three groups of different transistors based on GaAs/GaAlAs or GaInAs/AlGaAs heterostructures in investigated at liquid helium temperatures and for magnetic field up to 14 T. The magnetic field dependence of the transistor's resistance is used for evaluation of the electron density and mobility in the transistor's channel. The electron mobility and concentration determined from magnetotransport measurements are used for the interpretation of recently observed resonant detection of terahertz radiation in 0.15 mum gate length GaAs transistors and for the determination of the parameters of other field effect transistors processed for resonant and voltage tuneable detection of THz radiation. A financial support by NATO linkage grant CLG977520 --- \glqq Semiconductor Sources for Terahertz Generation\grqq is highly acknoledged. The work at RPI was supported by the national Science Foundation (Program Monitor Dr. James Mink).
Lusakowski J., Knap W., Dyakonova N., Kaminska E., Piotrowska A., Golaszewska K., Shur M.S., Smirnov D., Gavrilenko V., Antonov A., Morozov S. Magnetotransport characterization of THz detectors based on plasma oscillations in submicron field effect transistors // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, Стр. 138

В спектрах субмиллиметрового (f=130-1250 GHz) магнитопоглощения в напряженных многослойных гетероструктурах Ge / GeSi(111) с квантовыми ямами при межзонной оптической подсветке при T=4.2 K обнаружены линии, связываемые с возбуждением остаточных мелких акцепторов. Наблюдаемое резонансное поглощение может быть обусловлено оптическими переходами между примесными состояниями, связанными с двумя парами уровней Ландау дырок в квантовых ямах в слоях Ge. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-16808), Минпромнауки РФ и ФЦП \glqq Интеграция\grqq (проект N Б0039 / 2102).
Алешкин В.Я., Векслер Д.Б., Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Иконников А.В., Козлов Д.В., Кузнецов О.А. Переходы с участием мелких примесей вспектрах субмиллиметрового магнитопоглощения в напряженных квантово-размерных гетероструктурах Ge / GeSi(111) // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, Стр. 126

В сплаве Pb0.75Sn0.25Te(In) обнаружена задержанная фотопроводимость в области гелиевых температур под действием монохроматического излучения субмиллиметрового диапазона на длинах волн 176 и 241 mum. Показано, что фотопроводимость связана с оптическим возбуждением примесных метастабильных состояний. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований N 01-02-16356, 02-02-17057, 02-02-08083, INTAS N 2001-0184, NATO Collaborative Linkage Grant.
Кристовский К.Г., Кожанов А.Е., Долженко Д.Е., Иванчик И.И., Watson D., Хохлов Д.Р. Фотопроводимость легированных сплавов на основе теллурида свинца всубмиллиметровом диапазоне // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, Стр. 123