Методом фотолюминесценции при комнатной температуре исследованы растворы синтезированных фуллеренсодержащих звездообразных полистиролов в толуоле. Наблюдался сдвиг максимумов спектров фотолюминесценции по сравнению со спектром раствора C60 в толуоле в область коротких волн. Установлено, что величина сдвига в первом приближении не зависит от типа химической связи фуллерена с аддендом (ковалентная неполярная С--С и ковалентная полярная С--Н), а определяется количеством разорванных двойных связей на фуллерене и связанным с этим перераспределением электронной плотности.
Сыкманов Д.А., Бирюлин Ю.Ф., Виноградова Л.В., Згонник В.Н. Влияние некоторых органических аддендов на величину зазора HOMO--LUMO фуллерена C60 // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 671

Метод структурной модификации свойств некристаллических полупроводников заключается в управлении свойствами этих материалов путем изменения их структуры при неизменном химическом составе. Вработе показано, что существует по крайней мере 4уровня структурной модификации, отличающиеся различными изменениями структуры материала: науровне ближнего порядка в расположении атомов, на уровне среднего порядка в расположении атомов, на уровне морфологии и на уровне подсистемы дефектов. Каждый уровень структурной модификации вызывает изменения своей определенной группы свойств. Вработе анализируется возможность и эффективность изменения структуры на различных упомянутых выше уровнях в ковалентных полупроводниковых материалах IV, V иVIгрупп Периодической таблицы элементов, а также в ряде систем на их основе. На основании проведенного анализа определены границы применимости различных уровней структурной модификации.
Попов А.И., Воронцов В.А., Попов И.А. Уровни структурной модификации свойств некристаллических полупроводников иобласти ихприменимости // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 665

Представлена методика получения стекол Si20Te80 различного структурного совершенства. Получены данные об основных параметрах материала: показателе преломления, коэффициенте оптического поглощения, плотности, теплопроводности и теплоемкости. В широком интервале температур и частот исследованы электрические, акустические и акустооптические свойства, а также дисперсия оптического поглощения полученных сплавов. Проведен сравнительный анализ свойств термообработанных образцов с различными режимами закалки. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемых явлений. Показано, что синтезированный сплав является веcьма перспективным для изготовления высокоэффективных акустооптических устройств широкого применения. Разработан и испытан высокоэффективный акустооптический модулятор, работающий в широком диапазоне длин волн lambda=1.87-10.6 мкм.
Кулакова Л.А., Мелех Б.Т., Яхкинд Э.З., Картенко Н.Ф., Бахарев В.И., Яковлев Ю.П. Физические свойства сплава Si20Te80 с различной степенью структурного совершенства и его применение в акустооптических устройствах // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 658

Рассмотрены условия получения нанокристаллических пленок арсенида галлия термическим методом на базе модернизированной вакуумной установки УВН-71-П3 с использованием трех видов испарителей. Спомощью метода протяженной тонкой структуры рентгеновского спектра поглощения (английская аббревиатураEXAFS) исследована локальная атомная структура полученных образцов.
Валеев Р.Г., Деев А.Н., Рац Ю.В., Бабанов Ю.А., Крылов П.Н., Кобзиев В.Ф., Ломаева С.Ф. Локальная атомная структура нанокристаллическогоGaAs поданным EXAFS-исследований // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 655

Впервые исследованы электрические свойства и характеристики дефектов верхней половины запрещенной зоны, образующихся при введении эрбия в аморфный гидрированный кремний a-Si : H(Er), полученный методом плазмохимического осаждения (PECVD).
Лысенко В.С., Тягульский И.П., Осиюк И.Н., Назаров А.Н., Вовк Я.Н., Гоменюк Ю.В., Теруков Е.И., Коньков О.И. Влияние эрбия наэлектронные ловушки вструктурах a-Si : H(Er)/c-Si, полученных методом плазмохимического осаждения // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 649

Проведен анализ рекомбинации неравновесных носителей в слабо легированном бором микрокристаллическом кремнии p-типа проводимости, полученном высокочастотным разложением силана, сильно разбавленного водородом, при большой высокочастотной мощности. Для структуры такого материала характерно наличие колонноподобных образований, состоящих из микрокристаллитов. Установлено, что в ограниченном интервале температур доминирующим механизмом рекомбинации может выступать рекомбинация на межколонных границах в сочетании с туннелированием и частичной термической активацией. Такая рекомбинация приводит к необычно малому показателю люксамперной характеристики gamma=0.3. Предлагаемая модель позволяет рассчитать температурные зависимостиgamma при разных уровнях легирования материала и предсказывает падение эффективности легирования и рост дефектности материала при увеличении концентрации введенного бора. При повышенных температурах происходит смена механизма рекомбинации и начинает преобладать рекомбинация на границах, подчиняющаяся статистике Шокли--Рида, а при пониженных температурах преобладает туннельная рекомбинация внутри колонн. Оба механизма приводят к ростуgamma до обычных значений (gamma~ 0.7).
Коугия К.В., Теруков Е.И. Связь рекомбинации наинтерфейсных состояниях ианомально малого показателя степени люксамперной характеристики вмикрокристаллическом кремнии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 643