Температурная зависимость теплоемкости образцов90-градусной фазы YBa2cu3O6+x с x=0.85, 0.90 и 0.95 была исследована выше Tс. Для разделения теплоемкости на регулярные и аномальные вклады была использована специальная техника. Для всех образцов были обнаружены аномалии в интервалах 100-200 К (Tlow), 205-230 К (Tm) и 260-290 К (Th). Обнаружено температурное "эхо" от сверхпроводящего фазового перехода при T > 3Tc. Это "эхо" связано с аномалией (Th), которая, как мы полагаем, отмечает возникновение спаренных носителей заряда без фазовой когерентности. Аномалию (Tm) мы связываем с точкой Нееля в магнитной подсистеме, антиферромагнетизм которой сосуществует со сверхпроводимостью. Зависимость энтропии Sh от х указывает, что Th - процесс существует, повидимому, только в рамках 90-градусной фазы. Кривые Sm(x) и Sh(x) пересекаются при оптимальных х. Обнаруженные аномалии отмечают новые линии на фазовой диаграмме соединений YBa2cu3O6+x.

В статье представлены результаты прецизионных измерений и анализа температурных зависимостей теплоемкости двух керамических образцов туллиевых 1-2-3 купратов в интервале температур 7-300 К. Кислородосодержание составляло для образцов 6.92 и 6.70. Основной задачей исследования было выяснение температурных зависимостей электронной теплоемкости ВТСП-купратов в области псевдощелевого (ПЩС) состояния. Из экспериментальных значений теплоемкостей были вычтены решеточные составляющие. Поскольку вблизи точки оптимального допирования в электронной теплоемкости отсутствует вклад, обусловленный образованием ПЩС, то такая компонента может быть выделена из сопоставления данных для обоих образцов. Обнаруженные вблизи границы псевдощелевого состояния аномалии в температурной зависимости электронной теплоемкости обусловлены, по-видимому, особенностями функции N(E/W), где N - плотность электронных состояний, E - энергия носителей, W - ширина зоны. Такие особенности прогнозируются в расчетах М.В. Садовского с соавторами при учете взаимодействия зарядовой системы со спиновыми или зарядовыми флуктуациями.  

Исследован микроволновый спектр молекулы 1,3-диоксолана (С3Н6О2) в основном и первых трех возбужденных состояниях заторможенного псевдовращения в диапазоне 7940 ГГц. Идентифицированы 144 перехода (с J ~ 20), которые соответствующих мюb, мюc и мюa - компонентам дипольного момента: 1) вращательные мюb-переходы, 2) колебательно-вращательные мюb-переходы, возникающие из-за взаимодействия общего вращения с заторможенным псевдовращением, 3) v=1--v=0 и v=3--v=2 мюc-переходы, 4) v=2--v=1 мюa-переходы. Приведены экспериментальные значения частот переходов. Анализ спектра выполнен с использованием численной диагонализации эффективного вращательного гамильтониана для четырех взаимодействующих состояний заторможенного псевдовращения. Определены вращательные постоянные, константы центробежного искажения и константы взаимодействия между общим вращением и заторможенным псевдовращением. Определены расстояния между квазивырожденными колебательными уровнями дельта01=64840,5 МГц, дельта12=122231,7 МГц, дельта23=119732,7 МГц.  

Анализируется возможность измерения с помощью термоанемометрического датчика нестационарного энергетического состояния механических характеристик (линейные перемещения, силы и т.д.) технологических процессов. Приводится математическая модель взаимосвязи тепловых и механических процессов , а также алгоритм расчета выходных характеристик.

Рогожин В.В. Физиолого-биохимические механизмы формирования гипобиотических состояний высших растений (Автореферат докторской диссертации). // Электронный журнал "Исследовано в России", 1-4, 485-515, 2001. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2001/044.pdf

Галеев Р.В., Гундерова Л.Н., Мамлеев А.Х. Микроволновый спектр 4,5-диметил-2-хлор-1,3,2,-диоксафосфолен в основном и возбужденных колебательных состояниях // Электронный журнал "Исследовано в России", 1-4, 188-197, 2001. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2001/018.pdf

Пейсахович Ю.Г. Отклонения от закона Ома из-за уменьшения плотности состояний носителей в электрическом поле // Электронный журнал "Исследовано в России", 1-4, 876-881, 2000. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2000/060.pdf

Пейсахович Ю.Г. Плотность состояний приповерхностных электронов кристалла в постоянном электрическом поле // Электронный журнал "Исследовано в России", 1-4, 866-875, 2000. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2000/059.pdf

Шлычков С.В. Оценка точности расчетной модели напряженно-деформированного состояния тонкостенных элементов музыкальных струнных инструментов // Электронный журнал "Исследовано в России", 1-4, 245-262, 2000. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2000/018.pdf

Козлов Г.Г. Метод следящих операторов в теории экситона Френкеля. Новая мера локализации волновых функций и ее точное вычисление для 0-состояния в одномерной недиагонально-разупорядоченной цепочке. // Электронный журнал "Исследовано в России", 1-4, , 1999. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/1999/024.pdf