Онокой Л. С., Открытое образование: российский и зарубежный опыт // Журнал "Социологические исследования", № 2, 2004, http://socis.isras.ru/

Выполнены расчеты магнитосферно-ионосферной конвекции для открытой модели магнитосферы с эллипсоидальной формой магнитопаузы и однородного межпланетного магнитного поля (IMF), проникающего в магнитосферу Земли. В качестве открытой модели магнитосферы использовалась модель Tsyganenko 96. Модельные расчеты сопоставлялись с данными ионных дрейфов в ионосфере. Расчеты правильно воспроизводят горловину в картине конвекции на дневной стороне, направление конвекции в полярной шапке в зависимости от знака компоненты IMF B_y и конвекцию в полуночном секторе ионосферы. В то же время модельные расчеты предсказывают положение фокусов конвекции для B_y<0 в более поздних часах, чем дают результаты наблюдений, примерно на 3 часа, а для B_y>0 - в более ранних часах. В работе делается вывод о невозможности объяснить эти особенности конвекции в рамках данной модели магнитосферы.

В.Ж. Цветков,Р.Г. Гагкуев, "Гражданская война на востоке России: новые подходы, открытия, находки" // Журнал "Новый исторический вестник", № 9, 2003, http://www.nivestnik.ru/

В.С. Полянский,, О роли случайности в развитии открытых систем // Социальные процессы в современной западной Сибири, 2002, http://e-lib.gasu.ru/SocPr/2002/

Булдыгеров А. В., Методический подход к автоматизации аттестования обучаемых по открытым информационным системам // Образование: исследовано в мире [Электрон. ресурс]. -M.: oim.ru, 2000-09-16, http://www.oim.ru/

Иванова, Елена Владимировна, Психологические особенности когнитивной дифференцированности и личностных структур детей старшего дошкольного возраста с опережающим развитием: Дис. ... канд. психол. наук / Моск. гос. открытый пед. ун-т. - М. OIMRU, 2004. // Образование: исследовано в мире [Электрон. ресурс]. -M.: oim.ru, 2004-01-07, http://www.oim.ru/

Подводится итог исследованиям, отраженным в трех предыдущих работах. Пересмотрен фотоэлектронный механизм формирования электронных пучков в открытом разряде с сетчатым анодом. Пересмотр механизма разряда потребовал и пересмотра оптимальных условий его возбуждения. Предложен также новый способ накачки лазеров пучками быстрых атомов, формируемых в открытом разряде с инвертированным питанием.

Приводятся экспериментальные результаты по электроформовке и измерению вольт-амперных характеристик нано-МИМ (металл--изолятор--металл) --- диода с углеродистой активной средой, изготовленного в виде открытой с торца "сандвич"-МИМ структуры с нанометровой изолирующей щелью, которые отражают процессы самоорганизации и самоформирования углеродистых проводящих наноструктур в изолирующей щели. Показано, что свойства такого элемента существенно отличаются от свойств традиционного МИМ диода и эти отличия могут быть объяснены, если учесть, что последовательно с растущей в изолирующей щели углеродистой проводящей средой встроен тонкий слой диэлектрика. Полученные данные говорят о нанометровых размерах образующейся углеродистой структуры по всем трем измерениям. Развитые модельные представления хорошо соответствуют экспериментальным результатам, объясняя, в частности, проявляющуюся пространственно временную самоорганизацию в такой системе.

Собраны и проанализированы экспозиционные характеристики, полученные при выращивании различных пленок на естественных, с низкими индексами Миллера поверхностях некоторых кристаллов. Построена эволюционная терия, объясняющая их характерный вид. Показано, что наблюдаемая форма дозовых характеристик говорит о реконструкции, неравновесном структурном фазовом переходе, происходящем на поверхности. Проведен количественный анализ существующих экспериментов. В частности, получена количественная оценка того, в какой степени покрытие свинцом замедляет окисление никелевой поверхности. При интенсивном световом или при электронном облучении кремния преимущественными центрами образования точечных и протяженных радиационных дефектов, а также локальных областей плавления являются дивакансии. Для некоторых двумерных систем (дивакансий, атомов серы на поверхностях пассивированных полупроводников, оксидных пленок) определены времена задержки и времена эволюции возникающей самоорганизованной структуры.

На основе теории рассеяния проведено исследование открытых резонаторов, в частности построена теория открытого резонатора с диэлектрической пластиной. На ее основе разработана методика измерения малых потерь в диэлектриках. Проведенные измерения тангенса угла потерь в алмазных пластинах показали, что поглощение в объеме в лучших образцах имеет величину ~ 7· 10-6 в коротковолновой части миллиметрового диапазона. Обнаружено существенное поглощение в тонких поверхностных слоях, возникающее при многих технологических способах обработки поверхностей (при шлифовке, пайке в вакууме и т. д.).