Найдено научных статей и публикаций: 145   
41.

Обнаружение вторичной генерации звука в жидкости при объемном вскипании под действием лазера     

Букин О.А., Ильичев В.И., Киселев В.Д. - Письма в ЖЭТФ , 1990
Букин О.А., Ильичев В.И., Киселев В.Д.. Обнаружение вторичной генерации звука в жидкости при объемном вскипании под действием лазера // Письма в ЖЭТФ, том 52, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru
42.

Влияние адсорбированных элементов на вторичную ионную эмиссию металла     

Уразгильдин И.Ф. - Письма в ЖЭТФ , 1992
Уразгильдин И.Ф.. Влияние адсорбированных элементов на вторичную ионную эмиссию металла // Письма в ЖЭТФ, том 56, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru
43.

Двухпиковые энергетические распределения вторичных ионов, распыляемых из поверхности монокристалла алюминия     

Косячков А. А. - Письма в ЖЭТФ , 1993
Косячков А. А.. Двухпиковые энергетические распределения вторичных ионов, распыляемых из поверхности монокристалла алюминия // Письма в ЖЭТФ, том 58, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru
44.

Микроволновый пробой ионных кристаллов инициированный вторично-эмиссионным разрядом     

Батанов Г.М., Иванов В. А., Коныжев М.Е. - Письма в ЖЭТФ , 1994
Батанов Г.М., Иванов В. А., Коныжев М.Е.. Микроволновый пробой ионных кристаллов инициированный вторично-эмиссионным разрядом // Письма в ЖЭТФ, том 59, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
45.

Энергетические и временные зависимости выхода вторичного излучения с различных глубин в условиях мессбауэровского     

Андреева М.А. - Письма в ЖЭТФ , 1995
Андреева М.А.. Энергетические и временные зависимости выхода вторичного излучения с различных глубин в условиях мессбауэровского // Письма в ЖЭТФ, том 62, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru
46.

Получение высокоэнергетического вторичного импульсного молекулярного пучка     

В. М. Апатин, Г. Н. Макаров, В. В. Нестеров - Письма в ЖЭТФ , 2001
Предложен метод получения интенсивного вторичного импульсного молекулярного пучка, в котором кинетической энергией молекул можно управлять мощным ИК лазерным излучением путем колебательного возбуждения молекул в самом источнике. Получены интенсивные (geq1020 молекул/стерад cdot с) молекулярные пучки SF6 с кинетической энергией cong1.0 эВ без носителя и cong1.9 эВ и cong2.4 эВ с газами-носителями He (SF6/He = 1/10) и H2 (SF6/H2 = 1/10), соответственно.
47.

Эффективный метод расчета освещенности с использованием функции плотности распределения вероятности для генерации вторичных лучей.     

Копылов Э.А. - Graphicon conference , 2002
Копылов Э.А. Эффективный метод расчета освещенности с использованием функции плотности распределения вероятности для генерации вторичных лучей. // Graphicon 2002 proceedings, http://www.graphicon.ru/2002/
48.

Движение частиц вязкой несжимаемой жидкости во вторичном автоколебательном потоке     

А. П. Мелехов - Вестник Молодых Ученых , 2002
We research particle dynamics in the secondary self-oscillations flow forking from two-dimensional spatially-periodic stream when one of the periods goes to infinity in 2 cases: 1) the main stream is parallel and 2) non-parallel. In the first case the particle trajectories are level curves of stream function. In the second case in self-oscillations we observe chaotic behavior of the particle known as the Lagrangian turbulence 
49.

Оценка эффективности системы аэротенк-вторичный отстойник методом математического моделирования     

Н. Ю. Большаков - Вестник Молодых Ученых , 2001
The possible ways of increasing of the urban sawage refinement against organic substances, nitrogen and phosphorus are considered. The estimation are based on the original mathematical model of the biology refinement process in the airtank-secondary settling tank system. This model allows to get values of the exit parameters (expenditures of the back and surplus silt, oxygen concentration) and refinement effect at control parameters changing. The original way of the denitrofication process calculation are used in the model 
50.

Методы расчета зонной структуры и низкоэнергетическая вторично-электронная спектроскопия иридия     

Панченко О.Ф. - Журнал Технической Физики , 1999
Дана теоретическая интерпретация тонкой структуры (ТС) спектра вторично-электронной эмиссии (СВЭЭ) Ir по нормали к поверхности (111) и спектра полного тока (СПТ) поликристалла Ir. В расчетах учитывались энергетическая зависимость уширения зонных уровней энергии, электрон-электронный и электрон-плазмонный вклады в функцию распределения неравновесных электронов, изотропная компонента тока от электронов, рассеянных на поверхности. Показано, что ТС СВЭЭ и СПТ обусловлена главным образом электронным строением конечных состояний, в которые попадают электроны или из которых происходит их эмиссия, что позволяет непосредственно восстанавливать особенности расположения зон в энергетической зонной структуре из данных эксперимента. Развиваемый метод позволяет отделить объемные эффекты в СВЭЭ и СПТ от поверхностных. Подтверждена зависимость ТС СВЭЭ и СПТ от геометрической структуры и степени упорядоченности кристаллов. При этом ослабление интенсивности ТС служит мерой дефектности в приповерхностной области образца, что может успешно применяться для контроля состояния поверхности в процессе обработки.