С помощью уравнения для эволюции поперечной энергии сегмента параксиального осесимметричного релятивистского электронного пучка (РЭП), распространяющегося в рассеивающей газоплазменной среде вдоль внешнего магнитного поля, найдено уравнение, связывающее значение конечного равновесного радиуса пучка с его начальным неравновесным значением. Для рассматриваемого случая найдено аналитическое выражение для прироста среднеквадратичного эмиттанса РЭП в процессе транспортировки пучка до момента достижения равновесного состояния. Исследована зависимость конечного равновесного радиуса и соответствующего прироста среднеквадратичного эмиттанса от плотности рассеивающей среды и индукции внешнего магнитного поля.

Представлены результаты измерений комплексной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрической керамики системы ЦТС двух составов в процессе импульсной поляризации в быстронарастающем электрическом поле. Обнаружено, что зависимость действительной составляющей от времени имеет три максимума, разделенных минимумами, соответствующими максимумам мнимой составляющей. Анализированы возможные механизмы доменного вклада в диэлектрическую поляризацию сегнетоэлектрика, определяющие найденные временные зависимости.

Предложен метод расчета процессов распыления металла в виде больших нейтральных и заряженных кластеров с числом атомов N<=5 при ионной бомбардировке, основанный на простых физических предположениях и находящийся в неплохом согласии с экспериментом. В качестве примера рассчитаны степени и коэффициенты ионизации, а также относительные выходы кластеров в зависимости от числа атомов в составе кластеров при бомбардировке различных металлов (Ag, Nb и Ta) однозарядными ионами Ar+1 и Au-1. Развит флуктуационный механизм формирования зарядового состава больших кластеров, позволящий описать зависимости зарядовых распределений от размеров кластеров и температуры мишени.

Проведено теоретическое исследование режима масс-селективного нестабильного вывода ионов из терхмерной квадрупольной ионной ловушки. Развит метод отображений координат ионов за один период питающего ВЧ напряжения с учетом нелинейных искажений квадрупольного потенциала. Получены уравнения для огибающей колебаний ионов в виде уравнения движения материальной точки в поле эффективных сил. Объяснен эффект "задержки вывода" ионов при наличии отрицательных четных гармоник поля. Доказано, что положительные четные искажения квадрупольного потенциала благоприятствуют реализации данного режима, и изучена динамика ионов в процессе вывода.

Измерены суммарные импульсы частиц, эмитированных мишенью при интенсивном распылении ионами тяжелых инертных газов с энергией E0~ 0.5 keV. Для жидкой и находящейся при предплавильной температуре мишени из Ga измеренные значения близки к ожидаемым импульсам распыленных металлических атомов и отраженных ионов, для мишеней из Cu и Zr они заметно больше. Выдвинуто предположение, что причина избыточного импульса --- распыление имплантируемых в мишень атомов газа-распылителя. Оценочная средняя энергия этих атомов < E>~ 20 eV. При облучении Ga имплантированные атомы преимущественно диффундируют к поверхности и десорбируются.

С помощью полевого электронного микроскопа и дисперсионного энергоанализатора автоэлектронов исследовались углеродные нанокристаллы, содержащиеся в углеродном ПАН волокне. Обнаружен переход эмиттирующих нанокристаллов во второе стабильное состояние, соответствующее почти на порядок меньшему току эмиссии и энергораспределению автоэлектронов с дополнительным низкоэнергетическим максимумом. Прогрев образцов при 750oC восстанавливал исходные энергораспределения автоэлектронов и вольт-амперные характеристики нанокристаллов. Оценивалась ширина запрещенной зоны нанокристаллов.

Рассматривается вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) из алмазных пленок, выполненных в виде мембран толщиной 2.5-5 mum. ВЭЭ исследуется в двух режимах: в режиме \glqq на отражение\grqq, когда вторичные электроны выходят с поверхности мембраны, на которую падают первичные электроны, и в режиме \glqq на прострел\grqq, когда вторичные электроны выходят с поверхности, противоположной поверхности, на которую падают первичные электроны. Оценка коэффициента ВЭЭ производится на основе анализа поведения в твердом веществе электронов с энергией 0.1--30 keV. Показано, что в случае \glqq на отражение\grqq коэффициент ВЭЭ может быть более 100 при энергиях порядка 3 keV, а в случае \glqq на прострел\grqq он не превышает 5 даже при энергиях 30 keV. Для улучшения эмиссионных свойств мембран при работе \glqq на прострел\grqq предложен ряд конструкций, в частности пористые мембраны, которые позволяют получить характеристики, близкие к характеристикам при работе \glqq на отражение\grqq. Приведены экспериментальные результаты, согласующиеся с расчетными данными, и описана технология получения алмазных мембран, в том числе и пористых.

Предложен и теоретически исследован способ определения подповерхностного распределения температуры биологических сред по данным ближнепольного СВЧ зондирования. Решена электродинамическая задача об отклике зонда на возмущение температурного профиля Delta T(z) исследуемой среды. Получено интегральное уравнение, связывающее смещение резонансной частоты зонда с функцией Delta T(z). Показано, что эффективная глубина ближнепольного зондирования определяется размером апертуры зонда, его высотой над поверхностью и рабочей длиной волны. Предложенный метод заключается в проведении одновременных измерений несколькими зондами, принимающими сигнал с различных глубин, и восстановлении профиля температуры путем обращения соответствующего интегрального уравнения. Определены состав и параметры измерительного комплекса, обеспечивающего восстановление температур с точностью ~ 0.5oC на глубине до 5 cm. Процедура ближнепольной диагностики продемонстрирована в компьютерном эксперименте, позволившем оценить достигаемые точности. Расчеты выполнены на основе развитой модели диэлектрической проницаемости биологической среды.

Предложены расчетно-экспериментальные методы определения энергетического спектра тормозного излучения (ТИ) импульсных ускорителей электронов. Основной исходной информацией для использования методов являются энергетический спектр электронов в импульсе, эффективный угол падения электронов на мишень, параметры мишени-конвертера. Показано, что методы могут быть использованы для экспрессного определения спектров ТИ как для произвольного угла выхода ТИ, так и в направлении \glqq вперед\grqq, обеспечивая, в частности, решение задачи дозиметрического сопровождения радиационных испытаний электронных систем.

Предложен метод получения приближенного дисперсионного уравнения поверхностной магнитостатической волны в слабоанизотропных ферромагнитных пленках. Выведенное уравнение в явном аналитическом виде описывает зависимость частоты волны от компонентов тензора эффективных размагничивающих факторов анизотропии. С помощью приближенного дисперсионного уравнения исследованы угловые зависимости частоты в касательно намагниченных пленках кубически анизотропных ферритов. Полученные результаты могут быть использованы при разработке спин-волновых устройств.