Развита теория нуклеации периодической нанометровой структуры адатомов, происходящей в результате неустойчивости, обусловленной взаимодействием адатомов с самосогласованной акустической квазирэлеевской волной. Определены периоды структуры как функции концентрации адатомов и температуры. На основе полученных результатов предложен механизм недавно обнаруженного эффекта наноструктуирования при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии Ga в присутствии лазерного излучения.

Исследовались структуры Al/delta-GaAs, в которых можно было наблюдать туннелирование как в одну, так и в две или три подзоны двумерной электронной системы дельта-легированного слоя. Энергетические положения 2D подзон в одном образце изменялись за счет диамагнитного сдвига или замороженной туннельной фотопроводимости. Обнаружена смена знака ступеньки в туннельной проводимости на пороге эмиссии LO-фонона при включении очередной подзоны в процесс туннелирования. Возрастание проводимости (положительная ступенька) наблюдалось для неупругого внутриподзонного электрон-фононного рассеяния, а уменьшение проводимости (отрицательная ступенька)~-- в случае, когда к обычным процессам неупругого туннелирования добавлялись межподзонные переходы протуннелировавших в 2D электронных системах электронов с испусканием LO-фонона.

Зеленко Б. И., Участие финансово-промышленных групп в российском политическом процессе // Журнал "Социологические исследования", № 5, 2004, http://socis.isras.ru/

Н. М.великая, Основные тенденции политического участия в системе местного самоуравления // Журнал "Социологические исследования", № 8, 2003, http://socis.isras.ru/

В настоящей статье анализируются задачи и полномочия адвоката в уголовном процессе по делам, связанным с преступлениями в сфере экономической деятельности. Рассматривается содержание права обвиняемого (подозреваемого, подсудимого) на защиту, проблемы его обеспечения дознавателем, следователем, прокурором и судом. Отмечаются особенности процессуальных действий на стадиях возбуждения уголовного дела и дознания. Раскрываются некоторые тактические и психологические аспекты осуществления защиты по указанной категории дел.

Статья посвящена актуальной проблеме современного трудового права - проблеме участия работников в управлении организацией. Высказывается мнение о наличии разновидности участия работников в управлении организацией, не имеющей законодательного закрепления, - участие в прибыли. Изложены аргументы в поддержку этой позиции и предложения по совершенствованию российского законодательства о социальном партнерстве.

Гришин Н.В., Участие партий в политической борьбе в Астраханской области (1990 - 2000-е гг.) // Журнал "Новый исторический вестник", № 12, 2005, http://www.nivestnik.ru/

В спектрах субмиллиметрового (f=130-1250 GHz) магнитопоглощения в напряженных многослойных гетероструктурах Ge / GeSi(111) с квантовыми ямами при межзонной оптической подсветке при T=4.2 K обнаружены линии, связываемые с возбуждением остаточных мелких акцепторов. Наблюдаемое резонансное поглощение может быть обусловлено оптическими переходами между примесными состояниями, связанными с двумя парами уровней Ландау дырок в квантовых ямах в слоях Ge. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-16808), Минпромнауки РФ и ФЦП \glqq Интеграция\grqq (проект N Б0039 / 2102).

Рассмотрены реакции образования комплексов дефектов в полупроводниках. Вклад электронной подсистемы в скорость реакции учитывается через изменение энергетического барьера реакции. На примере реакций радиационного образования A- и E-центров в n-кремнии проводится сравнение результатов расчета с известными экспериментальными данными по накоплению этих дефектов при облучении. Удовлетворительное согласие расчетных данных с экспериментальными свидетельствует в пользу предложенного механизма участия электронной подсистемы кристалла в процессах в атомной подсистеме.

Рассмотрены реакции распада комплексов дефектов в полупроводниках. Вклад электронной подсистемы в скорость реакции учитывается через добавку изменения энергии электронной подсистемы кристалла (в результате протекания реакции) к энергетическому барьеру реакции. Сравнение теории с экспериментом проводится на примере реакций распада E-центров в облученном кремнии n-типа проводимости, легированном фосфором. Объяснена зависимость температуры стадии изохронного отжига E-центров от концентрации донорной примеси. Первая стадия отжига (Tann~ 400 K) в низкоомном кремнии обусловлена распадом E-центров и объясняется с привлечением модели вакансии, как двойного акцепторного центра, обладающего отрицательной корреляционной энергией и значениями уровней перезарядки вакансии EV(0/-)=Ec-0.09 эВ, EV(-/--)=Ec=-0.39 эВ. Из сопоставления расчетных и экспериментальных данных получено: величина энергии диссоциации E-центра Ua0~ 0.96 эВ, фактор вырождения g-E/g0E=1/16.