С использованием метода фотонного эха проведено исследование процессов оптической дефазировки в замороженном аморфном толуоле, допированном цинк-октаэтилпорфином, в широком температурном интервале (0.4-100 K), простирающемся вплоть до температуры Дебая твердого толуола (TD=100.7 K). Широкий температурный диапазон измерений позволил надежно разделить различные вклады в уширение бесфононной линии. Анализ экспериментальных данных показал, что при низких температурах основной вклад в оптическую дефазировку вносит взаимодействие примеси с быстрыми туннельными переходами в двухуровневых системах, что приводит к квазилинейному поведению температурной зависимости ширины линии при температурах ниже 3-4 K. При более высоких температурах определяющий вклад в дефазировку вносит взаимодействие примеси с квазилокальными фононами, что приводит к квазиэкспоненциальной температурной зависимости ширины линии. Показано, что этот вклад может быть описан в рамках модели мягких потенциалов, предполагающей существование широкого спектра низкочастотных фононных колебаний матрицы. Определена температура перехода между двумя указанными механизмами уширения линии. Исследования, результаты которых изложены в данной побликации, стали возможными благодаря поддержке фонда U.S. Civilian Research & Development Foundation for the Independent States of the Former Sovien Union (CRDF) (проект N RC1-2215) и Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-16481 и 02-02-16739).

Тонкие пленки псевдоаморфного GaN (a-nc-GaN), а также его сплавов с индием InxGa1-xN (x=0.04 и 0.16) были приготовлены методом магнетронного распыления металлической мишени в плазме реактивной атмосферы смеси азота с аргoном. Пленки a-nc-GaN кодопировались акцепторной примесью Zn и набором РЗМ-примесей: Ce, Tb, Er, Sm и Eu. Спектры фотолюминесценции (ФЛ), возбуждаемой азотным лазером с длиной волны lambda=337 nm, были измерены для всех составов и набора примесей при комнатной температуре и 77 K. Показано, что псевдоаморфная (a-nc) матрица GaN имеет высокоэнергетический край ФЛ при тех же значениях энергии, что и кристаллический (эпитаксиальный) c-GaN. Акцепторная примесь Zn, как и в c-GaN стимулирует голубое излучение, однако спектр ФЛ существенно более размыт, температурное гашение ФЛ практически отсутствует. Введение In в количестве 16 at.% приводит к высокоинтенсивной ФЛ с размытым пиком при 2.1-2.2 eV; ФЛ сплава обнаруживает температурное гашение, составляющее 3-4 раза в интервале 77-300 K. Время спада ФЛ-ответа увеличивается до 50 mus. РЗМ-примеси входят в аморфную сетку GaN в виде трехвалентных ионов и дают узкополосные (за исключением Ce) спектры высокой интенсивности, что свидетельствует как о высокой растворимости РЗМ-примесей в a-nc-GaN, так и о формировании анионной подрешеткой GaN эффективного кристаллического поля с локальной симметрией, способствующей ослаблению правил запрета на внутрицентровые f-f-переходы.

Проведены исследования влияния отжига в плазме азота легированных цинком пленок нитрида галлия на спектры их фотолюминесценции, фотопроводимости, тип проводимости и морфологию поверхности. Обнаружено появление интенсивного ультрафиолетового краевого свечения с максимумом на длине волны 376 нм после высокотемпературного отжига в плазме азота. Набюдалось значительное уменьшение голубой донорно-акцепторной и экситонной фотолюминесценции отожженных образцовGaN : Zn.

Проведены исследования влияния отжига в плазме азота легированных магнием пленок нитрида галлия на спектры их фотолюминесценции, фотопроводимости и тип проводимости. Обнаружен ряд узких полос свечения с максимумами 3.06, 3.17 и 3.27 эВ в ультрафиолетовой области спектра GaN : Mg после низкотемпературного отжига в плазме азота. Получены электролюминесцентные гетероструктуры ZnO--GaN : Mg с максимумами свечения в ультрафиолетовой экситонной области нитрида галлия--- при энергии 3.44 эВ и краевой области нитрида галлия--- при энергии 3.26 эВ.

Проведены исследования фотолюминесценции в окисленных в присутствии паров йода поликристаллических слоях Pb1-xCdxSe. Показано, что в таких структурах излучательная рекомбинация определяется прямыми межзонными переходами и переходами на глубокий уровень при наличии варизонности в объеме кристаллитов. Последнее способствует существенному увеличению интенсивности люминесценции. PACS: 78.55.Hx, 78.66.Li

Лагунцов Н.и., Капустин Ю.и., Ким В. Активированные реагентные технологии водоочистки // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.9 Памяти Д.М.Скорова. Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Физическая химия растворов, стр. 124

Зилова О.с. Исследование влияния атмосферы трития на поверхность активированного угля // Научная сессия МИФИ-2002. Т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Фотоника, стр. 183

Лагунцов Н.и., Нещименко Ю.п., Букарь Н.в., Ким В., Абрамов О.в., Абрамов В.о., Кузнецов В.м., Гит Ф.м. Новая технология активированной реагентной очистки поверхностных вод // Научная сессия МИФИ-2002. Т.9 Молекулярно-селекивные и нелинейные явления и процессы. Перспективные наукоемкие технологии. Физика, химия и компьютерная разработка материалов. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-)материалы, стр. 37-38

Букарь Н.в., Батищева С.а., Ким В., Лагунцов Н.и. Оптимизация активированных методов реагентной очистки сточных вод // Научная сессия МИФИ-2002. Т.9 Молекулярно-селекивные и нелинейные явления и процессы. Перспективные наукоемкие технологии. Физика, химия и компьютерная разработка материалов. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-)материалы, стр. 130

Описана технология получения, морфология и некоторые свойства тонких многослойных углеродных нанотрубок. Приведены методы активирования, функциализации и солюбилизации этих нанотрубок. Охарактеризованы перспективные направления их применения.