Рассмотрена динамика электрона в квазиодномерном баллистическом кольце в двух взаимно-пeрпендикулярных высокочастотных электрических полях, лежащих в плоскости кольца. Рассчитаны средние дипольный момент и интенсивность излучения кольца. Определено условие возникновения спонтанного нарушения симметрии, в результате которого система может приобретать постоянную составляющую дипольного момента.

Рассмотрена временная зависимость поля в ближней зоне (акустического или электрического) диполя, излучающего немонохроматический сигнал, плавно изменяющийся во времени. Показано, что эта временная зависимость приблизительно одинакова в разных точках ближней зоны, т. е. временного запаздывания гладкого сигнала, связанного с конечностью скорости распространения волны, не происходит. Это отсутствие запаздывания является результатом интерференции двух идентичных, но по-разному ослабленных и испытавших разную задержку во времени копий одного и того же сигнала, исходящих от двух монополей, из которых состоит диполь. Аналогичное утверждение оказывается справедливым для произвольной электронейтральной в целом системы нестационарных зарядов (в частности, для нестационарного квадруполя, октуполя и т. д.).

Рассмотрена динамика доменной структуры сегнетоэлектриков типа порядок--беспорядок, подобных кристаллу триглицинсульфата. Поляризационные свойства сегнетоэлектриков с релаксационным типом поглощения описаны с помощью псевдоспинового формализма. С помощью гамильтониана задачи получено кинетическое уравнение для описания динамики поляризации сегнетоэлектриков. Получены результаты динамики доменной структуры для различных параметров задачи и начальных условий. Проведен анализ результатов и их сравнение с экспериментальными данными. PACS: 77.65.Bn, 77.80.Dj

Рассмотрена временная зависимость суммарного сигнала группы тесно расположенных акустических или электромагнитных излучателей, излучающих одинаковые (с точностью до фазы и амплитудного множителя) квазимонохроматические сигналы. Показано, что при достаточной длительности сигнала временная зависимость огибающей суммарного сигнала системы излучателей близка к зависимости огибающей сигнала одного излучателя с точностью до времени задержки, которое не обязательно совпадает со световым (или звуковым) временем запаздывания сигнала от системы излучателей до точки наблюдения. В разных точках пространства это время задержки может быть вещественным или комплексным. Его вещественная часть может быть больше или меньше светового (звукового) времени задержки, положительной или отрицательной. Время задержки существенно зависит от положения точки наблюдения (вблизи темной или светлой полосы интерференционного поля) и в случае достаточно коротких волн может значительно изменяться даже при небольшом смещении точки наблюдения в пространстве. PACS: 85.60.Jb

Методами импульсной спектрометрии исследовалась фотолюминесценция (ФЛ), изменение оптического поглощения и радиолюминесценции (РЛ) со временем после окончания воздействия импульса электронов на кристаллы LiF при различных режимах облучения и исходной радиационной дефектности. Выявлено различие свойств РЛ и ФЛ ионизованных F+2- и F+3-центров, обнаружено существование нескольких механизмов радиационного создания каждого из центров, отличающихся энергетическими и кинетическими параметрами, а также характером температурных зависимостей. Доказано, что ионизованные центры в излучательном состоянии образуются в процессе взаимодействия соответствующего нейтрального центра с дырками разной степени термализации. Предложен механизм возбуждения свечения этих центров. Работа выполнена при финансовой поддержке Миннауки (грант по направлению "Лазерная физика").

Методами импульсной спектрометрии с наносекундным разрешением исследованы спектрально-кинетические параметры инициированных воздействием импульса электронов (ИЭ) нестационарного поглощения и свечения кристаллов LiF. Измерения проведены в спектральной области 6 eV, в температурном диапазоне 11-150 K и временном интервале 10-8-10 s после окончания действия ИЭ. Показано, что воздействие ИЭ приводит к созданию в кристалле LiF помимо F-, Vk- и H-центров короткоживущих дефектов двух типов, различающихся спектральным положением поглощательных и излучательных переходов, временем жизни и характером температурной зависимости эффективности создания. Центры типа I имеют поглощательные переходы на 5.5 и 5.1 eV и излучательный на 5.8 eV, центры типа II --- поглощательные переходы на 5.3 и 4.75 eV и излучательный переход на 4.4 eV. Установлено, что в интервале 11-150 K изменение количественного соотношения между типами короткоживущих центров не влияет на величину квантового выхода F-центров. Предполагается, что обнаруженные центры представляют собой автолокализованные экситоны различного типа. Работа выполнена при финансовой поддержке программы "Университеты России".

Изучены реверсивные зависимости диэлектрической проницаемости varepsilon'r(E=), токи поляризации и деполяризации в широкой области температур в многокомпонентной сегнетопьезокерамике на основе цирконата-титаната свинца. Результаты позволяют выделить эффекты, связанные с изменением фазового состояния, и эффекты, обусловленные главным образом переключением доменной структуры в данном материале. Предполагается существование двух размытых фазовых переходов в исследуемой системе.

Измерена прочность поликристаллического сегнетоэлектрика Pb0.95Sr0.05(Zr0.46Ti0.54)O3 + 0.78 wt.% Cr2O3 (ЦТС-22) при изгибе в диапазоне скоростей нагружения 5· 10-2-10 MPa/s и температур 293-873 K (включающем температуру Кюри Tc=593 K). Трактовка результатов представлена в рамках релаксационной модели хрупкого разрушения. Определен эффективный активационный объем процесса разрушения с использованием зависимостей прочности от скорости нагружения образца при различных температурах. Обсуждаются изменения активационных характеристик в области фазового перехода. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-016232).

Представлены экспериментальные результаты измерения времени до разрушения образцов сегнетокерамики в процессе воздействия постоянного электрического поля и различных по величине механических напряжений. Получена зависимость долговечности от напряжений для напряженностей электрического поля от 0 до 5 MV/m. Показано, что в исследованном интервале времен (1-103 s) слабые поля заметно увеличивают долговечность (упрочняют керамику), а сильные существенно снижают долговечность. Результаты можно объяснить воздействием нагрузки и электрического поля на одни и те же дефекты в керамике, которые являются очагами разрушения. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N  02-02-16232), Конкурсного центра Министерства образования РФ (грант N Е02-3.4-424) и программы Министерства образования \glqq Керамика и сегнетокерамика\grqq (грант N 202-03-02-04).

Прямым вариационным методом установлено существование и исследованы зависимости от параметров задачи основного и первых возбужденных состояний дискретного спектра в задаче о заряженной частице в несобственном сегнетоэлектрике-сегнетоэластике. PACS: 71.38.-k, 62.20.Dc, 77.80.-e