На основе анализа малоуглового рассеяния рентгеновских лучей высокопарафинистой нефтью определен размер ядер сложных структурных единиц. Исследовано изменение размера ядер в зависимости от количества и энергии миллисекундных облучений рубиновым лазером.

Обнаружено, что в сплаве Ti--Ni при температурах, отличающихся на 10 K, изменением давления в одну сторону можно инициировать деформирование различного направления. Выявлена зависимость величины двойникового предела текучести от давления. Сделан вывод о том, что давлением можно инициировать процесс двойникования кристаллов.

Изучено движение квантов магнитного потока (флаксонов) в длинных джозефсоновских переходах под действием постоянного и случайного токов. Вычислена функция распределения скоростей флаксонов, которая является негауссовой даже в отсутствие постоянной компоненты тока. Как следствие, вольт-амперная характеристика шумового перехода отличается от данной зависимости для регулярного перехода. Показано, что зависимость разности напряжений для переходов с шумовой компонентой тока и без нее имеет немонотонный характер. Данные расчетов находятся в хорошем согласии с результатами численного моделирования.

Аналитически расcчитана зависимость объемнoй плотности легких ионов от глубины при скользящем падении пучка на поверхность полубесконечного слоя вещества. Предполагалось, что взаимодействие ионов с атомами среды описывается обратно-степенными потенциалами (V(r)~ r-1/nu ). Расчеты показали, что плотность числа ионов не является монотонной функцией, а достигает своего максимального значения на некоторой глубине внутри вещества. Чем медленнее потенциал взаимодействия спадает с увеличением r (т. е. чем больше параметр nu), тем отчетливее проявляется максимум плотности ионов и тем на больших глубинах этот максимум достигается. На больших глубинах плотность ионов убывает по степенному закону.

Обнаружены два типа неустойчивости (апериодическая и колебательная) слоя вязко упругой жидкости, свободная поверхность которого подвержена внешнему силовому воздействию. Для апериодической неустойчивости найдены аналитические выражения для критического условия ее реализации и величины инкремента. Если угол между направлением силового воздействия и внешней нормалью к свободной поверхности жидкости меньше сорока пяти градусов, то в системе реализуется лишь колебательная неустойчивость, при больших углах --- лишь апериодическая.

С помощью теории размытых бездиффузионных мартенситных переходов теоретически анализируются мартенситное превращение и релаксация бароупругих напряжений в тонком слое сплава с эффектом памяти формы в двухслойном микрокомпозите. Бароупругие напряжения возникают в слое вследствие разницы модулей объемного сжатия материалов слоя и подложки при приложении к композиту всестороннего давления. Найдено, что вследствие мартенситного превращения бароупругие деформации микрокомпозита приобретают нелинейные и гистерезисные свойства, что может быть использовано для создания микродатчиков давления и микроприводных устройств (актуаторов) специального назначения.

Приведены результаты экспериментальных исследований конверсии оксидов серы и азота в ионизованной газовой смеси, моделирующей состав отходящих газов тепловых электростанций. В качестве источника ионизации использовался импульсный пучок электронов микросекундной длительности. Показано взаимное влияние обоих сортов оксидов на процесс их конверсии. Рассмотрены возможные кинетические механизмы удаления оксидов серы и азота из газовой смеси.

В рамках феноменологической теории исследовано влияние поляризованного по спину тока на доменную структуру в магнитном переходе, состоящем из двух ферромагнитных металлических слоев и разделяющего их ультратонкого немагнитного слоя. Намагниченность одного ферромагнитного слоя (слоя  1) предполагается фиксированной, в то время как намагниченность другого ферромагнитного слоя (слоя  2) свободна и может ориентироваться либо параллельно, либо антипараллельно намагниченности слоя  1. При этом слой  2 может быть разбит на домены. Перенос носителей тока из слоя  1 в слой  2 не сопровождается рассеянием спина на границе раздела, но приводит к эффекту инжекции спинов. За счет s-d-обменного взаимодействия инжектированные спины стремятся направить намагниченности в доменах параллельно слою  1. Вследствие этого происходит движение доменных границ и рост \glqq выгодных\grqq доменов. Путем решения уравнений непрерывности для носителей со спинами вверх и вниз вычислена средняя намагниченность, иинжектированная в слой  2 током, и ее вклад в энергию s-d-обмена. Из условия минимума полной магнитной энергии перехода найдены параметры периодической доменной структуры в слое  2 как функции тока через переход и магнитного поля. Показано, что даже в отсутствие поля поляризованный по спину ток может намагнитить слой 2 до насыщения. Необходимые для этого плотности тока составляют ~ 105 A/cm2. При наличии поля ток указанного порядка величины может компенсировать действие поля. Возможен также эффект перемагничивания слоя током.

Методами полевой ионной и электронной микроскопии исследовалась радиационно-стимулированная эрозия поверхности вольфрамовых автоэмиттеров в условиях низкоэнергетичной ионной бомбардировки. Показано, что изменение эмиссионных характеристик эмиттеров в процессе бомбардировки связано со смещением поверхностных атомов в положения с пониженными значениями координационных чисел и скачкообразным возникновением нановыступов, характеризующихся повышенной локальной напряженностью электрического поля. При полевом испарении нановыступов вскрывались полости, что свидетельствовало о возможности описания такого типа эрозии в терминах блистерообразования. Проанализированы квазистатические механизмы эрозии поверхности и показано, что наноблистеринг может быть связан с абсорбцией гелия в приповерхностных слоях металла.

Рассмотрена модель неравновесного фазового перехода полупроводник--металл, происходящего в переходных металлах с узкими зонами за счет саморазогрева. Показано, что саморазогрев может приводить к уменьшению ширины запрещенной зоны и, как следствие, к увеличению тока. Найдены параметры системы, при которых может иметь место бистабильное поведение.