Разработан и осуществлен новый принцип частотной перестройки излучения диодных лазеров, заключающийся в воздействии переменной деформации на активную область лазерных гетероструктур на базе InGaAsP/InP, излучающих в интервале длин волн 1.3--1.8 мкм. Разработана методика возбуждения объемных ультразвуковых волн в исследуемых структурах. Получены данные о влиянии переменного деформационного воздействия объемных ультразвуковых волн на спектральные характеристики генерируемого излучения. Из полученных данных проведены оценки величины частотной перестройки, которые дают значение Delta F 110 ГГц для звуковой волны с частотой f = 6.5 МГц и мощностью около 1 Вт.

Измерены температуры сверхпроводящих переходов Tc сплавов ZrT Hf в зависимости от давления до 47.4 ГПа. Обнаружены скачки величины Tc, обусловленные переходом гексагональной omegaД фазы в ОЦК betaД фазу: Tc сплава Zr80Hf20 возрастает с 3.2 до 11 К при P=35.0 ГПа, а для сплава Zr67Hf33 скачок Tc от 3.4 до 10 К наблюдается при P=40.9 ГПа. Изобары концентрационной зависимости Tc(c) ОЦК сплавов ZrT Hf качественно подобны кривым Tc(c) для ОЦК фаз в системах элементов VbT IVb подгрупп при P=1 атм. Полученные данные свидетельствуют о том, что вследствие электронного sЧ d-перехода металлы IVb подгруппы по кристаллической структуре и сверхпроводящим свойствам становятся аналогами металлов Vb подгруппы.

Экспериментально обнаружено уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100) под влиянием адсорбированного цезия, проявляющееся в разупорядочении As-стабилизированной поверхности и в снижении на sim100 circС температуры перехода к Ga-стабилизированной поверхности (100)GaAs(4/2)/c(8/2). Эффект обусловлен перераспределением плотности валентных электронов между атомами мышьяка в верхнем слое и атомами галлия в нижележащем слое вследствие передачи заряда от электроположительного адсорбата в полупроводник. В сочетании с аналогичным эффектом уменьшения энергии связи атомов галлия на Ga-стабилизированной поверхности GaAs при адсорбции электроотрицательных адсорбатов (галогенов) обнаруженный эффект позволяет осуществить атомно-слоевое травление полярной грани GaAs(100).

Выдержкой графитовых нановолокон и одностенных углеродных нанотрубок в атмосфере водорода под давлением 9 ГПа при температурах до 450circC получены соединения, которые содержат 6.3ч 6.8 вес.% H и термически устойчивы в вакууме до 500 circC. Изменение картин рентгеновской дифракции свидетельствует о распухании кристаллической решетки графитовых нановолокон при гидрировании и о возвращении к исходной структуре после удаления водорода. Методом ИК спектроскопии установлено, что гидрирование приводит к возрастанию пропускания света наноматериалами в изученном диапазоне энергий 400ч 5000 см-1 и к появлению линий поглощения при 2860ч 2920 см-1, характерных для валентных колебаний СТ Н связи. Удаление около 40 % поглощенного под давлением водорода полностью подавляет колебательные пики СТ Н связи. Экспериментальные результаты свидетельствуют о двух состояниях водорода в материалах при комнатной температуре: заметная часть водорода образует СТ Н связи, но большая часть располагается между графеновыми слоями или внутри нанотрубок.

Измерены туннельная и латеральная проводимости туннельной структуры Al/GaAs с приповерхностным слоем delta-легирования кремнием при гелиевых температурах под гидростатическим давлением до 3 ГПа. Обнаружен переход delta-слоя в диэлектрическое состояние при давлении 2 ГПа. Туннельное сопротивление растет при этом монотонно (в логарифмическом масштабе), а туннельная аномалия сопротивления при нулевом смещении проходит через резкий пик. Эти результаты интерпретируются в рамках представлений о влиянии давления на зонную структуру и поведение DX-уровней.

На различных ступенях нагрева до 550 circС в вакууме измерены массд спектры газов, выделяющихся из однослойных углеродных нанотрубок, насыщенных дейтерием под давлением 5 ГПа при температурах до 500 circС (10.8 масс. % D). Обнаружено, что при температурах до 400 circС в спектрах преобладают углеводороды, а при 500т 550 circС главными компонентами спектров становятся молекулы D2 и HD. Изменение спектров с температурой согласуется с существующим предположением о том, что основная часть водорода в гидрированных под давлением и возвращенных к нормальным условиям однослойных углеродных нанотрубок (ОНТ) присутствует в молекулярной форме. Низкие температуры выхода углеводородов свидетельствуют о меньших кинетических барьерах на пути выхода углеводородов по сравнению с молекулами D2. Анализ формы спектральных пиков показывает высокую гидрофильность гидрированных ОНТ, в то время как сорбция кислорода из атмосферы по сравнению с сорбцией воды незначительна.

Рассматривается пространственная локализации атома в поле периодичных фемтосекундных лазерных импульсов. Показана возможность локализации атома с абсолютной точностью в нанометровом диапазоне, при этом время нахождения атома в лазерном поле составляет всего 10-7 -10-8 полного времени локализации.

Представлены результаты исследований фазовых диаграмм галогенидов ZnCl2 и AlCl3, а также структуры ближнего порядка соответствующих расплавов при давлениях до 6.5 ГПа методом энерго-дисперсионной рентгеновской дифракции. При сжатии кристалла ZnCl2 происходит фазовый переход из gamma -фазы (структурный тип HgI2) в delta -фазу (структура искаженного CdI2 (тип WTe2). Структурные исследования жидкого состояния ZnCl2 и AlCl3 свидетельствуют о быстром уменьшении промежуточного порядка в тетраэдрически упорядоченной сетке обоих расплавов при возрастании давления до 1.8 ГПа для ZnCl2 и до 2.3 ГПа для AlCl3. При дальнейшем сжатии в обоих расплавах происходят переходы с изменением структуры ближнего порядка и с повышением координационного числа, причем в AlCl3 превращение происходит при 4 ГПа и имеет характер резкого перехода 1-го рода, в то время как в ZnCl2 превращение протекает более плавно в интервале давлений 2--4 ГПа с максимальной интенсивностью вблизи 3 ГПа. Таким образом, соединения AlCl3 и ZnCl2 дают яркий пример существования в расплавах при сжатии двух явлений~-- постепенного распада промежуточных структурных корреляций и более резкого координационного перехода жидкость~-- жидкость.

Наблюдается ``быстрый'~-- детонационно-подобный режим распространения оптического разряда по волоконному световоду на основе плавленого кварца со скоростями до 3 км/c при интенсивности лазерного излучения в сердцевине до 40 Вт/мкм2.

В. В. Гаврилюк, СОЦИАЛЬНАЯ СТРАТИФИКАЦИЯ РОССИЙСКОГО ОБЩЕСТВА (Под ред. Голенковой З.Т.). М., 2003. 365 с. (рецензия) // Журнал "Социологические исследования", № 1, 2005, http://socis.isras.ru/