В работе проведено исследование неоднородности фоточуствительной площадки лавинных фотодиодов  SSO-AD-500 NF  фирмы Silicon Sensor  по временному отклику модулирующих высокочастотных сигналов. Показано, что при диаметре фоточуствительной площадки 500 мкм, запаздывание высокочастотного сигнала от края площадки к ее центру может составлять более 100 пксек. В лучших образцах неоднородность составляет 20 пксек Корреляции между временной и амплитудной неоднородностью не наблюдалось. Для высокоточных измерений временных интервалов на оптической несущей необходимо проводить отбор лучших образцов фотодиодов.

Индоевропейские языки - одна из крупнейших семей языков Евразии, распространившаяся в течение последних пяти веков также в Северной и Южной Америке, Австралии и отчасти в Африке. Поскольку сравнительно-исторический метод и соответственно сравнительно-историческое языкознание возникли на основе изучения ряда языков, которые позже были названы индоевропейскими ("индогерм...

В настоящее время науке известно несколько десятков тайских языков (ТЯ), ареал которых протянулся широкой полосой по северному периметру Индокитайского полуострова от китайской провинции Гуанси до Ассама в Индии, кроме того имеются анклавы ТЯ на о. Хайнань и на Малаккском полуострове. Всего на ТЯ говорит приблизительно 80 млн. человек. Из них в Китае распространено боле...

Поводом для написания настоящей статьи послужил юбилей Российского Государственного университета нефти и газа им. И.М. Губкина и его кафедры Прикладной математики и компьютерного моделирования, фактическим организатором которой и создателем школы компьютерного моделирования на ней был Николай Пантелеймонович Бусленко. Николай Пантелеймонович руководил кафедрой с 1972 г. до своей смерти в 1977 г. Он привлек для работы на кафедре многих специалистов, в том числе и одного из авторов этой статьи, большинство из которых работают на кафедре до настоящего времени. Он также заложил основы научной школы компьютерного моделирования, которая успешно работает на кафедре до настоящего времени под руководством действующего в настоящее время заведующего кафедрой, проф. М.Г. Сухарева.

В статье рассматривается класс субнормальных пространств -- пространств, в которых любые два замкнутых дизъюнктных множества отделяются непересекающимися множествами типа Gδ. Доказывается, что если пространство X субнормально и счетно метакомпактно, то произведение X на отрезок (или на любое σ-компактное хаусдорфово пространство со счетной сетью) является субнормальным. Приводится пример слабо нормального пространства, не являющегося субнормальным.

В работе изложен подход к нелинейным положительно однородным задачам на собственные значения, основанный на использовании спектрального параметра в качестве функционала типа Эйлера и позволяющий представить область изменения параметра как бифуркационную диаграмму. Рассмотрены задачи о спектре Фучика, классическая и для p-лапласиана, а также задачи с нелинейным вхождением параметра в весовую функцию.

В интервале температур 4.2--300 K на частоте 10 MHz в направлении [111] измерена продольная скорость звука (v1) в монокристаллическом синтетическом опале. vL при 300 K равна 2.1·105 сm/s. dvL/v300K(T) (где dvL=vT, K-v300 K) в интервале 4.2--200 и 200--300 K ведет себя соответственно подобно аморфным и кристаллическим телам. Работа выполнена в рамках двустороннего соглашения между Российской академией наук и Немецким научным обществом по теме "Advanced Materials with Collective Electronic Properties" при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-16883).

Основные особенности явления протекания тока в виде микроплазменных импульсов подтверждены численным моделированием предложенной математической модели. Показано, что микроплазма может спонтанно возникать при наличии в области пространственного заряда p-n-структуры локальной неоднородности, а возрастание температуры структуры в результате джоулева разогрева--- приводить к подавлению микроплазмы. Численно изучены кинетика микроплазменных импульсов, их форма и длительность в зависимости от приложенного напряжения и параметров полупроводниковой структуры.

Показана прямая связь изменений статических приборных характеристик барьеров Шоттки Au-GaAs с изменениями свойств поверхности при обработке структур n-n+-GaAs в атомарном водороде, заключающимися в изменении скорости травления поверхности n-GaAs в растворе диметилформамид : моноэтаноламин = 1 : 3, уменьшении скорости электрохимического осаждения и изменении структуры осаждаемого Au-слоя, а также в пассивации выходящих на поверхность линейных дефектов. Наблюдается практически полное отсутствие фигур травления на поверхности эпитаксиального слоя n-GaAs (100) при обработке в атомарном водороде незащищенной поверхности при температуре 100oC. Для защищенной пленкой SiO2 толщиной 50 Angstrem поверхности уменьшение скорости травления материала n-GaAs и значительное уменьшение количества фигур травления, уменьшение толщины осаждаемого слоя Au, изменение его структуры наблюдаются практически во всем температурном интервале обработок в атомарном водороде (100/ 400oC).

Втвердых растворах Bi2Te3-xSex (x=0.06,0.12), легированных оловом, исследованы удельная электропроводность sigma11, коэффициенты Зеебека S11, Холла R321 и Нернста--Эттингсгаузена Q123 в диапазоне 77-400 K, а также однородность кристаллов с помощью микротермозонда при комнатной температуре. На температурных зависимостях кинетических коэффициентов наблюдаются особенности, характерные для резонансных состояний. Эти данные свидетельствуют в пользу существования примесных состоянийSn, расположенных на фоне валентной зоны. Для кристаллов твердых растворов с уровнем Ферми, стабилизированным на энергетическом уровне примесных состоянийSn, наблюдается повышенная электрическая однородность и улучшенное распределение компонентов по объему.