В статье предлагаются нелинейные определяющие соотношения между напряжениями и деформациями для описания одноосных реологических процессов. При любых допустимых значениях определяющих параметров модели выведено уравнение кривых релаксации напряжений, соответствующих произвольным законам начальной стадии деформирования (стадии перехода от нулевого значения деформации к заданному постоянному уровню), изучена зависимость их свойств от характеристик начальной стадии деформирования. Аналитически исследована зависимость основных математических и физических свойств модели от значений определяющих параметров в максимально широком допустимом диапазоне их изменения (при минимальном количестве априорных ограничений на эти параметры), получены необходимые и достаточные ограничения на значения настроечных параметров, обеспечивающие адекватное моделирование механических свойств различных материалов (свойств кривых релаксации и ползучести, зависимости скорости ползучести от уровня напряжений, зависимости напряжений от деформаций при постоянной скорости деформирования, получаемых из экспериментов). Описана методика определения материальных констант по результатам испытаний материалов.

Проведено исследование процесса низкотемпературного окисления углей различных генетических классов в кипящем слое. В качестве основного продукта получены высокомолекулярные оксикарбоновые кислоты, по своим физико-химическим характеристикам подобные гуминовым кислотам. Установлена зависимость влияния различных факторов на количественное и качественное накопление кислородсодержащих функциональных групп органической массой углей, при их окислении в кипящем слое. Найдены оптимальные параметры реактора, газораспределительной решётки и  кипящего слоя для данного процесса.  

Рассмотрены вопросы измерения и способ построения преобразователя электрических параметров четырехэлементных двухполюсников. Приведен пример его реализации.  

Вот беда в чём, о дорогая, Рядом с этой идёт другая, Слышишь лёгкий шаг и сухой, А где голос мой и где эхо, - Кто рыдает, кто пьян от смеха - И которая тень другой?......

Мы имели возможность проследить, как изобразительные искусства в борьбе с неподатливым материалом шаг за шагом освобождались от чужих образов и, постепенно прогрессируя, достигли воплощения наивысшей человеческой красоты и божественного величия. Что же касается воплощения греческого духа в слове и в песне, то первые проявления его покрыты для нас мраком. При самом всту...

We show that the stationary sojourn time distribution in the M/M/1 (egalitarian) processor sharing queue is closely related to the stationary waiting time distribution in the same queue under the random order of service. This enables us to obtain new results concerning tail behavior of the sojourn time in the processor sharing queue, in particular, for the normalized maxima of the sojourn times.

Компьютер 50-х годов и его архитектура возникла из специфической потребности определенных функциональных вычислений, и все попытки использовать их в других областях приводили к неудачам. Технология цифровой обработки сигналов в начале своего развития была цифровым воспроизведением аналоговых технологий теории связи. В данной работе предлагается переход к пониманию необходимости обработки информации, представленной в цифровом виде, вводится понятие нарротивного представления как передачи данных с помощью описания их структуры или способа их формирования.

Проведены исследования кинетики фотопроводимости в эпитаксиальных пленках PbTe(Ga), синтезированных методом \glqq горячей стенки\grqq. Обнаружено, что при низких температурах рекомбинация неравновесных фотовозбужденных электронов происходит в два этапа: после участка относительно быстрой релаксации следует задержанная фотопроводимость. Температура появления задержанной фотопроводимости возрастает при уменьшении толщины пленки. Скорость быстрого участка релаксации зависит от толщины пленки и минимальна в наиболее тонких слоях. В полуизолирующих пленках фотопроводимость всегда положительна, в то время как в образцах с более низким сопротивлением наблюдается сосуществование положительной и отрицательной фотопроводимости. Полученные данные обсуждаются в рамках модели, учитывающей возможность существования примесного атома галлия в различных зарядовых состояниях. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований N 04-02-16497, 02-02-17057 и INTAS N 2001-0184.

Исследуется влияние плотности лазерного возбуждения L на величину и характеристическую временную постоянную среднеполевой электромодуляционной компоненты спектров фотоотражения, измеряемых в области фундаментального переходаE0 прямозонного полупроводника. Серии измерений спектров проводились в области значенийL=100 мкВт/см2-1 Вт/см2 на образцах GaAs с концентрацией носителей заряда n~1016 см-3. Для всех исследованных образцов обнаружена логарифмическая зависимость величины электромодуляционного сигнала от плотности лазерного возбуждения. Установлено, что наблюдаемое изменение характеристической временной постоянной компоненты не оказывает какого-либо заметного влияния на величину измеряемого сигнала.

Методом Монте-Карло рассчитана фотоэдс Дембера, а также исследована генерация электромагнитных терагерцовых импульсов в арсениде индия, возбуждаемом фемтосекундным лазерным излучением. Динамика электрического поля и транспорт носителей тока рассчитывались самосогласованным образом. Показано, что при возбуждении полупроводника лазерными импульсами с энергией кванта homega=<sssim 1.5 эВ фотоэдс достигает максимальной величины через50-100 фс после возбуждения, а затем затухает, осциллируя с плазменной частотой. Величина фотоэдс в максимуме может намного (вдесятки раз) превосходить типичные значения эдс Дембера при стационарном освещении. При возбуждении полупроводника более коротковолновым излучением (homega>~= 1.6 эВ) фотоэлектроны рассеиваются в боковыеL- иX-долины, в результате чего фотоэдс и эффективность генерации терагерцового излучения уменьшаются. PACS: 78.47.+p, 78.70.Gg, 73.50.Mx