Рассмотрены условия, при которых связь ортогональных поляризационных мод на случайных неоднородностях одномодовых волоконных световодов (ОВС) приводит к увеличению длины корреляции источника немонохроматического излучения. Показано, что в случае использования длиннобазовых волоконных кольцевых интерферометров (ВКИ) с контуром из ОВС со слабым линейным двулучепреломлением длина корреляции немонохроматического излучения на выходе ВКИ возрастает, что позволяет реализовать удовлетворительную видность интерференционной картины даже при значительной разности плеч интерферометра, которая обусловлена эффектом Саньяка от вращения Земли. Расчеты проводились методом математического моделирования случайных неоднородностей в волокне.

Исследовано влияние длительной работы и температуры на спектральное распределение квантового выхода карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя. Обнаружен закономерный характер изменения спектра светодиодов в процессе их длительной работы. Выявлено значительное влияние самопоглощения и температурного сдвига полос на спектральное распределение температурного коэффициента излучения. Определены условия получения максимально стабильных светодиодов, которые возможно использовать в качестве образцовых излучателей для видимой области спектра.

С применением методов полевой электронной микроскопии изучены островки двумерной фазы гафния в области граней (100) вольфрама и их террас. Для островков измерена энергия двумерной сублимации, оказавшаяся равной 6.1±0.5 eV. Островки обнаруживали существенный эффект усиления полевой электронной эмиссии с температурой, значительно превышавший теоретически ожидаемый. Отрицательный температурный коэффициент изменения varphi alphaT для островков составил по величине 4-6· 10-4 eV · grad-1 или более, тогда как для вольфрама было получено alphaT=2· 10-5 eV · grad-1.

Анализируется связь между энергией ионизации атомов I и работой выхода phi металлов, построенных из этих атомов. Энергия перехода Sigma=I-phi представляется в виде суммы кинетической K и кулоновской C составляющих. Вклад K рассчитывается в рамках модели однородного газа квазисвободных электронов, затем C определяется по экспериментальным значениям Sigma. Расчеты, проведенные для широкого круга металлов, показали, что безразмерные коэффициенты, определяющие величину кулоновского вклада C, мало отличаются для различных групп металлов. Полученные соотношения применены к описанию работы выхода бинарных сплавов.

Для высокотемпературного СВЧ сквида, в гистерезисном режиме работы, где выходным сигналом служит коэффициент отражения, разработана методика оценки спектральной плотности шума. Показано, что использование направленного ответвителя, максимально приближенного к петле сквида, для выделения отраженной волны позволяет сформировать магнитометр в виде интегральной СВЧ схемы со спектральной плотностью шумового потока S1/2Phi

Исследованы динамические свойства газожидкостных конструкций одноразовой прямодействующей аварийной защиты применительно к ядерным энергетическим установкам. Динамические параметры получены с помощью компьютерных экспериментов в рамках предложенной авторами модели. Ввод поглотителя в активную зону реактора в случае реактивностной аварии осуществляется автоматически без вмешательства оператора и каких-либо внешних управляющих систем.

В рамках модели, учитывающей диполь-дипольное отталкивание адатомов и металлизацию адсорбированного слоя, проведен расчет изменения работы выхода Delta phi вследствие адсорбции на поверхности TiO2 атомов Na, K и Cs. Результаты расчета хорошо согласуются с данными эксперимента.

Рассмотрена методика снижения работы выхода автоэмиссионного катода из графита путем внедрения щелочноземельного металла в его структуру. Был разработан метод внедрения бария в структуру графита. Рассмотрена модель образования монослоя бария на поверхности катода. Результаты автоэмиссионных испытаний показали уменьшение рабочих напряжений допированного катода по сравнению с недопированным при одном и том же токе эмиссии.

В рамках простой модели рассчитано изменение работы выхода при адсорбции атомов Cs на поверхности (100) и K, Rb и Cs на поверхности (110) GaAs. Модель включает как диполь-дипольное взаимодействие адатомов, так и уширение их квазиуровней за счет обменных эффектов. Результаты расчета хорошо согласуются с данными эксперимента.

Нанокристаллические образцы вольфрама исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии, полевой ионной и полевой электронной эмиссией. Обнаружены существенные отличия в энергетических распределениях электронов нанокристаллического вольфрама по сравнению с крупнозернистым металлом. Теоретический анализ показал, что обнаруженные отличия обусловлены изменениями работы выхода при переводе металла в нанокристаллическое состояние.