Досліджено вплив температури відпалу на спектри ЯКР шаруватих напівпровідникових сполук GaSe і InSe у складі гетерофотодіодів, виготовлених за методом «прямого оптичного контакту». Міра дефектності кристалів оцінювалася за якістю мультиплетних спектрів ЯКР ізотопів 69Ga і 115In, що відображають упорядкованість в системі політипів.
Галина Ивановна Ластивка, Олег Николаевич Сидор, Захар Дмитриевич Ковалюк, Александр Григорьевич Хандожко ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА НА СПЕКТРЫ ЯКР И ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОФОТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ GaSe-InSe // Східно-Європейський журнал передових технологій, Vol. 4, Issue 5, 2012, pp. 28-34