Зпроектовано польовий МОН-транзистор з вертикальною структурою методом подвійної дифузії. Транзистор розрахований на роботу в діапазоні частот до 900 МГц. Формування металізації затвору та витоку проводиться в одному технологічному циклі, що спрощує технологічний процес виготовлення транзистора та понижує вимоги до допусків цього етапу виготовлення.
Андрій Дмитрович Верига, Леонід Францевич Політанський N-КАНАЛЬНИЙ D-МОН ТРАНЗИСТОР З ПОДВІЙНОЮ ДИФУЗІЄЮ ДЕЦИМЕТРОВОГО ДІАПАЗОНУ ЧАСТОТ // Східно-Європейський журнал передових технологій, Vol. 5, Issue 5, 2012, pp. 9-12

Modes of the drain detection in an autodyne sensor on the depletion MOS field-effect transistor are investigated. The analytical description of drain current dependence taking into account a load resistance in a drain circuit is carried out
Андрій Дмитрович Верига, Леонід Францевич Політанський Drain detection on the mos transistor with built-in channel // Східно-Європейський журнал передових технологій, Vol. 2, Issue 5, 2012, pp. 41-45