Найдено научных статей и публикаций: 12, для научной тематики: ЭМИ
11.
Романовский А.В., Песня Д.С.
- Экология и культура: от прошлого к будущему , 2010
Исследовано влияние ультравысоких частот (900-1800 MHz) на живое. Объектом исследования является мобильный телефон стандарта GSM. Целью работы являлась разработка методики оценки влияния активного излучения сотового телефона на корневые меристемы лука вида Allium cepa L. Применяемая методика: Allium...
Исследовано влияние ультравысоких частот (900-1800 MHz) на живое. Объектом исследования является мобильный телефон стандарта GSM. Целью работы являлась разработка методики оценки влияния активного излучения сотового телефона на корневые меристемы лука вида Allium cepa L. Применяемая методика: Allium test, результаты которой показывают корреляцию с тестами на других организмах: водорослях, растениях, ... и млекопитающих.
В результате был зарегистрирован мутагенный эффект от воздействия излучения сотового телефона в обоих вариантах опыта. Частота генетических нарушений возрастает пропорционально времени воздействия.
Предложенная методика является чувствительной и достаточно экономичной для оценки мутагенного эффекта и может быть рекомендована для оценки воздействия ЭМИ УВЧ на живые объекты.
Романовский А.В., Песня Д.С. Экология и культура: от прошлого к будущему: материалы межрегиональной научно-практической конференции. ISBN 978-5-91722-022-4. Карабиха-Ярославль:Государственный литературно-мемориальный музей-заповедник Н.А. Некрасова "Карабиха", 2010. C.163-166
12.
Viktor F. Alexeev and Vadim I. Zhuravliov
- Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on , 2006
This paper intends to explain the thermal model of the temperature distribution in semiconductor structures that are being subjected to high-power electromagnetic pulses. Taking into account the dependence of the semiconductor thermal conductivity on the temperature, a partial solution of the therma...
This paper intends to explain the thermal model of the temperature distribution in semiconductor structures that are being subjected to high-power electromagnetic pulses. Taking into account the dependence of the semiconductor thermal conductivity on the temperature, a partial solution of the thermal flow equation with the second-type boundary conditions was used. Also, the role of the thermal conductivity components is evidently demonstrated as they affect the heat transfer. The calculations clearly indicate that the behavior of the thermal transient depends on the pulse duration. This difference in behavior allows forecasting of the thermal damages in the semiconductor devices
This paper appears in: Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on
Issue Date: Sept. 2006
Volume: 6 Issue: 3
On page(s): 429 - 435
ISSN: 1530-4388
INSPEC Accession Number: 9159323
Digital Object Identifier: 10.1109/TDMR.2006.882200
Date of Current Version: 30 Октябрь 2006