Показано, что температурная зависимость частот собственных колебаний намагниченности в монокристаллической пленке существенным образом связана с температурной зависимостью параметров поля магнитной кристаллографической анизотропии. Рассмотрены условия, при выполнении которых температурный коэффициент частоты ферромагнитного резонанса в пленке с кубической анизотропией имеет разные знаки для ориентаций вектора намагниченности вдоль осей <111> и <100>. Экспериментально исследованы характеристики спектра поверхностной магнитостатической волны в пленке железоиттриевого граната с ориентацией {110}. Установлено, что магнитная анизотропия феррита приводит к немонотонной температурной зависимости длинноволновой граничной частоты при намагничивании вдоль оси <100>.
Шагаев В.В. О влиянии магнитной кристаллографической анизотропии натемпературные характеристики магнитостатических волн вферромагнитных пленках // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 12, Стр. 2215

Исследована трансформация спектров спин-волнового резонанса в многослойных магнитных пленках, происходящая при плавном переходе слоя закрепления из состояния реактивной среды в состояние дисперсивной или наоборот. Установлен один из видов пространственной дисперсии спиновых волн, механизм которой связан с действием слоя закрепления. Дисперсия наиболее ярко проявляется в пленках со смешанным механизмом закрепления спинов. Обнаруженный вид дисперсии позволяет объяснить так называемый эффект \glqq расталкивания\grqq спин-волновых мод.
Зюзин А.М., Сабаев С.Н., Куляпин А.В. Дисперсия спиновых волн вдвухслойных магнитных пленках // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 12, Стр. 2208

Проведены исследования электролюминесценции, возникающей при переполяризации сегнетокерамики в быстро нарастающем электрическом поле. Установлена корреляция между кинетикой переполяризации и свечения. Показано, что туннелирование электронов в зону проводимости и ударная ионизация в концентраторах поля являются основными механизмами генерирования свободных носителей заряда, ответственных за электролюминесценцию и внутреннее экранирование переключающихся доменов.
Садыков С.А., Турик А.В. Электролюминесценция ивнутреннее экранирование доменов припереполяризации сегнетокерамики вимпульсном самосогласованном поле // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 2074

Рассмотрены неоднородные конфигурации параметра порядка в пленке несоразмерного сегнетоэлектрика, в разложении свободной энергии которого отсутствуют инварианты Лифшица. Уравнение, описывающее распределение параметра порядка по толщине пленки, получено в приближении медленно меняющихся амплитуд. Изучено влияние толщины пленки и свойств поверхности на температуру перехода в несоразмерную фазу.
Ктиторов С.А., Погорелова О.С., Чарная Е.В. Неоднородные состояния тонкопленочного несоразмерного сегнетоэлектрика // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 2062

Проанализированы общие закономерности спектра магнитостатических волн в периодической системе чередующихся ферромагнитных и немагнитных слоев. Вычислены спектр электромагнитных волн в бесконечной периодической системе и коэффициент отражения плоской электромагнитной волны от полупространства, заполненного периодически ферромагнитными и немагнитными слоями. Получено и проанализировано дисперсионное соотношение для поверхностных магнитостатических волн у границы раздела периодическая система слоев-вакуум. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты 02-02-16794, 02-02-17166), фонда МНТЦ (проект 1522) и Польского комитета научных исследований.
Беспятых Ю.И., Дикштейн И.Е., Мальцев В.П., Никитов С.А., Василевский В. Особенности распространения электромагнитных волн вслоистых магнитных фотонных кристаллах // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 2056

Получены простые аналитические выражения для продольной комплексной восприимчивости chi||(omega) систем невзаимодействующих суперпарамагнитных частиц с одноосной и кубической анизотропией для модели непрерывной диффузии в случаях умеренного и сильного затухания. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-16050) и INTAS (проект N 01-2341).
Калмыков Ю.П., Титов С.В. К расчету продольной восприимчивости суперпарамагнитных частиц // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 2037

Для изучения магнитного состояния системы нанокристаллов высокоанизотропного гексагонального феррита бария вблизи температуры Кюри впервые в качестве модели был использован приповерхностный слой макрокристалла, соизмеримый по толщине с частицами системы. Методом одновременной гамма-, рентгеновской и электронной мессбауэровской спектроскопии обнаружено, что переход приповерхностного слоя толщиной ~200 nm в парамагнитное состояние начинается за 55 K и заканчивается за 3 K до температуры Кюри объемной части кристалла. Эта температурная область перекрывается с областью перехода частиц из магнитостабильного в суперпарамагнитное состояние. На основе полученных данных дополнена высокотемпературная часть (H-T)-диаграммы для частиц с объемом, близким к критическому. На диаграмме конкретизированы области существования смешанных магнитных состояний, обусловленных одновременно размерным и поверхностным факторами. Работа выполнена в рамках программы фундаментальных исследований (КПКВ 2201020), финансируемых Министерством образования и науки Украины, и при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-17889 и N 02-02-39006).
Ольховик Л.П., Сизова З.И., Камзин А.С. Магнитное состояние системы нанокристаллов гексаферрита бария при подходе ктемпературе Кюри // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 2033

Рассмотрен фононный механизм возникновения фотогальванического тока в центроантисимметричных тетрагональных антиферромагнетиках, магнитная симметрия которых не допускает существования тороидного момента. Показано, что причиной появления фототока может быть рассеяние носителей заряда на фононах, поляризация которых отлична от продольной. Поляризация фононов, участвующих в процессах рассеяния, определяется дальнодействующей частью электрон-фононного взаимодействия, вызванной поляризуемостью решетки вследствие наличия магнитоэлектрического эффекта. Указаны условия наблюдения фотогальванического тока в антиферромагнетиках типа \glqq легкая ось\grqq.
Меньшенин В.В. Фононный механизм антиферромагнитного фотогальванического эффекта // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 2028

Показано, каким образом можно объяснить наблюдающиеся в эксперименте формы динамических доменов в монокристаллических пленках феррит-гранатов с ориентацией (110) и (210), исходя из магнитной анизотропии в плоскости этих пленок.
Рандошкин В.В. О локальном вращении намагниченности перед доменной стенкой, движущейся впленке сромбической магнитной анизотропией // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 2022

Рассмотрено влияние связанных с границами кристаллитов областей Шоттки на диэлектрическую проницаемость поликристаллических диэлектриков. Учитывается зависимость диэлектрических свойств таких областей от направления спонтанной поляризованности в прилегающей области кристаллита. Показано, что немонотонная зависимость диэлектрической проницаемости и ее относительного изменения от толщины кристаллита под действием одноосного давления обусловлены наличием доменной структуры.
Павлов А.Н., Раевский И.П., Сахненко В.П. Особенности диэлектрической проницаемости поликристаллических сегнетоэлектриков (роль областей Шоттки) // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 10, Стр. 1875