Экспериментально продемонстрировано туннелирование рентгеновских фотонов с длиной волны 0.154 и 0.139 нм через тонкую пленку в условиях полного внутреннего отражения (ПВО). Пленка NiSi2 толщиной 13 нм наносилась магнетронным распылением на полированную подложку Si. Пучок с угловой расходимостью 20'' направлялся на границу раздела Si/NiSi2 изнутри через боковую поверхность образца. Пик, обусловленный туннелированием фотонов из Si в воздух через пленку NiSi2, наблюдался при углах скольжения theta 1>0.4theta rm c, где theta rm c~-- критический угол ПВО на границе раздела Si/NiSi2. Интегральная интенсивность пиков туннелирования, измеренная при различных theta 1, согласуется с расчетными данными.

Описываются подгруппы полной линейной группы над телом кватернионов, содержащие симплектическую группу над некоторым подполем этого тела.

Описывается строение алгебраических систем с полной теорией бесконечных подсистем, т. е. систем, у которых все бесконечные подсистемы элементарно эквивалентны. Доказывается теорема, характеризующая свойство системы иметь ровно одну полную теорию бесконечных подсистем.

Известно, что множество нормальных поверхностей в трехмерном многообразии относительно операции сложения образует частичный моноид, минимальной системой образующих которого являются фундаментальные поверхности. Существующий алгоритм нахождения системы фундаментальных поверхностей носит чисто теоретический характер и не допускает практической реализации. В статье изложено полное и простое с геометрической точки зрения описание структуры частичных моноидов нормальных поверхностей для линзовых пространств, обобщенных пространств кватернионов и многообразий Столлингса со слоем проколотый тор.

В работе предложен метод получения пространственного распределения электронной концентрации в ионосфере по данным полного электронного содержания с использованием эмпирической модели ионосферы. Данный метод позволяет получать оценку состояния околоземного пространства в районе наблюдения в квазиреальном времени.

Шерстнев Александр Владимирович. Спиновые эффекты в процессах рождения t-кварка на будущих коллайдерах. Создание полной цепочки Монте-Карло моделирования для феноменологических исследований на основе программы CompHEP.: Автореф. дис. канд. физико-математических наук : 01.04.23 / НИИЯФ МГУ, 2005

Проведен приближенный теоретический анализ бистабильного поведения простого резонатора на основе эффекта полного внутреннего отражения (ПВО). Предполагалось, что внутрирезонаторная среда является одновременно и поглощающей, и нелинейной. Найдено, что характеристики амплитудной бистабильности могут быть сравнимы с аналогичными характеристиками для более сложных ПВО структур, работающих в режиме туннельного возбуждения волноводной моды. Показана возможность сильной фазовой бистабильности в непоглощающих ПВО резонаторах и обсуждена возможность применения ПВО резонаторов для модуляции света.

С помощью численного пошагового интегрирования уравнения Шредингера исследована динамика релятивистских электронов при плоскостном каналировании в искаженных кристаллах. Показано, что периодическое искажение плоскостного канала ("сверхрешетка") может вызвать полную перестройку модовой структуры волновой функции. В пределе слабых возмущений кристаллической решетки результаты моделирования согласуются с аналитическими результатами теории возмущений. Положение линии спектра спонтанного излучения в случае резонансных искажений зависит от длины периода сверхрешетки.

На основе применения интеграла Фурье построена приближенная теоретическая модель расчета полей отражения и преломления гауссова светового пучка на плоской границе раздела двух изотропных сред. Вблизи критического угла падения данная модель предсказывает наличие двух преломленных пучков, один из которых смещен вдоль границы на величину сдвига Гооса--Хенхен, причем для каждого из них имеют место кривизна фазовых фронтов и несовпадение эффективных направлений распространения энергии и фазы, как в анизотропной среде.

Проводится совместный анализ низкоэнергетических спектров полного тока (СПТ) и вторичной электронной эмиссии (ВЭС) на начальной стадии формирования серебряного покрытия на поверхности W(110). Показана связь особенностей, наблюдаемых в спектрах, с энергетической структурой плотности вакантных состояний, расположенных выше уровня вакуума. Динамика изменения особенностей в СПТ с увеличением толщины пленки свидетельствует, что на начальном этапе серебряное покрытие характеризуется ориентацией Ag(111), а по мере увеличения толщины преобладающей становится ориентация Ag(110).