Иванова Людмила Алексеевна, Принципы организационной деятельности учебно-научно-педагогических комплексов (на примере УНПК Алтайского края) // Образование: исследовано в мире [Электрон. ресурс]. -M.: oim.ru, 2006-01-07, http://www.oim.ru/

Иванова Людмила Алексеевна, Перспективные направления развития комплекса // Образование: исследовано в мире [Электрон. ресурс]. -M.: oim.ru, 2006-01-07, http://www.oim.ru/

Иванова, Елена Владимировна, Психологические особенности когнитивной дифференцированности и личностных структур детей старшего дошкольного возраста с опережающим развитием: Дис. ... канд. психол. наук / Моск. гос. открытый пед. ун-т. - М. OIMRU, 2004. // Образование: исследовано в мире [Электрон. ресурс]. -M.: oim.ru, 2004-01-07, http://www.oim.ru/

С помощью методов радиоуглеродного beta-спектрального анализа исследовано изменение концентрации C14 в графите, подвергнутом вибродиспергированию в присутствии тяжелой (легкой) воды. Обнаружено, что для системы C + D2O наблюдается статистически значимое увеличение скорости beta-счета по сравнению с системой C + H2O, диспергированной в аналогичных условиях. Предложена количественная модель трансмутации изотопа C13 в изотоп C14 при взаимодействии многофононных возбуждений с дейтеронами в кристаллической решетке графита в присутствии фоновых тепловых нейтронов.

Целью данной работы является разработка теоретической основы экспериментального определения параметров жесткости нанообъектов. Один из наиболее эффективных методов определения упругих модулей, используемых в макромеханике, основан на измерении собственных частот исследуемого объекта. В работе обсуждаются нюансы использования этого метода применительно к нанообъектам. Предлагается метод экспериментального определения параметров жесткости, основанный на явлении динамического гашения колебаний (\glqq антирезонанса\grqq). Достоинством этого метода является возможность выделения собственных частот исследуемого нанообъекта из спектра системы нанообъект-кантилевер атомного силового микроскопа. PACS: 46.40.-f, 02.70.Dh, 61.46.Hk

Предложен метод определения собственных частот некоторых наноструктур (нанотрубок и нанокристаллов), основанный на измерении собственных частот \glqq большой системы\grqq, состоящей из вертикально ориентированного массива (решетки) одинаковых нанотрубок или нанокристаллов, выращенных на подложке на одинаковом расстоянии друг от друга. Показано, что по найденному спектру \glqq большой системы\grqq (решетка-подложка) и спектру подложки можно определить собственные частоты одного нанообъекта. Это позволяет по экспериментальным данным для \glqq больших систем\grqq определить собственные частоты нанообъектов, которые трудно непосредственно определить другим способом. Приведен пример расчета собственных частот решетки микро- или нанокристаллов из оксида цинка на подложке сапфира. PACS: 46.40.-f, 02-70.Dh, 68.65.-k

Исследована релаксация поляризации полидоменного сегнетоэлектрика в слабых электрических полях на примере кристалла триглицинсульфата. Предлагается феноменологическое описание процесса релаксации, в основе которого находится представление о термоактивационном механизме движения доменных стенок через энергетические барьеры, создаваемые неоднородностями, и о существовании целого спектра распределения времен релаксации tau и энергии барьеров Eg. По экспериментальным данным построены возможные спектры и определены их характерные параметры для различных значений электрического поля E. Показано, что ширина спектра барьеров Delta Eg практически не зависит от E и, по-видимому, является величиной, характеризующей степень неоднородности кристалла.

Исследована медленная релаксация поляризации сегнетоэлектрика в слабом электрическом поле на примере кристаллов триглицинсульфата с различным состоянием доменной структуры и поверхности. Приводится описание установки, позволяющей регистрировать релаксацию в автоматическом режиме с рекордной точностью. Показано, что при условии малого изменения "степени метастабильности" структуры, изменение Delta P поляризации со временем t во всех случаях следует закону Delta P=C/(1+t/a)n, где параметры C, a, n зависят от состояния структуры и поверхности. В предположении независимости зародышей и их аддитивного вклада в общую поляризацию кристалла проведен феноменологический анализ экспериментальных данных и построены спектры распределения энергетических барьеров для доменных стенок. Выявлены особенности трансформации спектров при изменении характера доменной структуры, глубины рельефа поверхности и величины внешнего электрического поля.

На примере кристаллов TGS и Rb2ZnCl4 исследованы особенности кинетики поляризации и деполяризации полидоменных сегнетоэлектриков с прямоугольной и тонкой "вытянутой" петлей диэлектрического гистерезиса. Показано, что в отличие от первого для второго кристалла локальная свободная энергия асимметрична относительно направления поляризации, нет определенного значения коэрцитивного поля, а в медленной термоактивационной релаксации принимает участие только часть объема кристалла. Во всех случаях медленная релаксация следует универсальному эмпирическому степенному закону. На основе экспериментальных данных построены функции распределения времен релаксации в кристаллах, проведены сравнительные оценки параметров релаксации и энергетических барьеров для доменных стенок.

В вырожденном ферромагнитном полупроводнике HgCr2Se4(n) наблюдался переход в полевой зависимости электросопротивления от квадратичной (~H2) выше Tc к линейной (~H) ниже Tc. Наряду с большим отрицательным магнитосопротивлением эти магнитоэлектрические эффекты соответствуют эффектам, наблюдаемым на перовскитоподобных оксидах La1-xCaxMnOdelta. Поскольку нелегированный полупроводник HgCr2Se4 является ферромагнетиком приблизительно с той же критической температурой, что и легированный, а какие-либо сведения об эффекте Яна--Теллера в этом соединении отсутствуют, мы считаем, что наши результаты ставят под сомнение существующие гипотезы (поляронную и двойного обмена) происхождения гигантского магнитосопротивления в La1-xCaxMnOdelta. В качестве возможного механизма магнитосопротивления для обоих соединений обсуждается механизм примесного sd-рассеяния.