Измерена температурная зависимость электросопротивления и термоэдс для монокристалла {rm La0.85Sr0.15MnO3} в парамагнитной и ферромагнитной диэлектрических фазах. Показано, что в обеих фазах перенос заряда осуществляется прыжками поляронов по локализованным состояниям с переменной длиной прыжка. Энергия активации в обеих фазах линейно зависит от T3/4, но отличается на постоянную составляющую, примерно равную энергии обмена kTc. Полученные результаты согласуются с представлением о перколяционном характере перехода металл~-- диэлектрик в манганитах.

Экспериментально реализован метод лазерного разделения изотопов цинка и рубидия, основанный на селективном ``выжигании' возбужденных атомов в потоке с буферным газом и газом-реагентом. Селективное возбуждение изотопа проведено однофотонным способом с использованием слабых линий поглощения и на краю доплеровского контура поглощения атомов с малой величиной изотопного сдвига.

Методами фотолюминесценции и высокоразрешающей электронной микроскопии на просвет с применением фурье-обработки изображений исследованы сверхрешетки GaAs/AlAs, выращенные одновременно на подложках GaAs с ориентацией (311)A и (311)B. Для (311)B сверхрешеток была обнаружена периодическая корругированность (гофрировка) гетерограниц. Сравнение структуры (311)A и (311)B сверхрешеток показало, что корругированность имеет место в обоих случаях, а ее период вдоль направления [00bar{1}] равен 3.2~нм. Причем в (311)B сверхрешетках корругированность выражена слабее и дополнительно присутствует модуляция (длинноволновый беспорядок) с характерным латеральным размером, превышающим 10~нм. Наличие длинноволнового беспорядка в (311)B сверхрешетках делает слабой вертикальную корреляцию областей, богатых GaAs и AlAs, которая хорошо наблюдается в (311)A. Оптические свойства (311)B сверхрешеток похожи на (100) и коренным образом отличаются от (311)A. В отличие от (311)В, для (311)A сверхрешеток наблюдается сильная поляризационная анизотропия фотолюминесценции. Показано, что в (311)A корругированных сверхрешетках с тонкими слоями GaAs и AlAs именно корругированность гетерограниц, а не кристаллографическая ориентация поверхности (311), играет определяющую роль в их оптических свойствах.

Предложена экспериментально-теоретическая методика определения из обратимой части кривой намагничивания наноструктурных ферромагнетиков (нанокристаллических или аморфных) размеров стохастических доменов, самопроизвольно образующихся в спиновой системе этих материалов, а также эффективной анизотропии в этих магнитно-скоррелированных областях. Методика основана на наблюдении в низкополевой части интегральной кривой намагничивания зависимости Delta Msim H-2.

Исследованы магнетотранспортные свойства двумерного электронного газа в узких GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами. Показано, что анизотропное положительное магнетосопротивление, обнаруженное в изучаемых селективно-легированных полупроводниковых структурах в параллельном магнитном поле, обусловлено пространственной модуляцией двумерного электронного газа.

Исследованы оптические спектры и генерация второй гармоники в нецентросимметричном магнетике GdFe3(BO3)4. В области слабого поглощения (alphasim20{-}400 см-1) ниже sim3 эВ выделены три полосы, которые можно однозначно приписать запрещенным электронным переходам в ионе Fe3+ с основного состояния 6A1 на возбужденные состояния 4T1 (sim1.4 эВ), 4T2 (sim2 эВ) и 4A1, 4E (sim2.8 эВ). Интенсивное поглощение начинается в области выше 3 эВ (alphasim2{-}4cdot105 см-1), где выделены две полосы при sim4.0 эВ и 4.8 эВ, обусловленные разрешенными электродипольными переходами с переносом заряда. Спектральные особенности генерации второй оптической гармоники в области 1.2--3.0 эВ объяснены изменением эффективности генерации второй гармоники за счет изменения фазового рассогласования. Показано, что в области слабого поглощения возможна реализация фазового синхронизма для генерации второй гармоники.

Методом спектроскопии комплексной проводимости (адмиттанса) определены скорости термоэмиссии и сечения захвата дырок на связанные состояния в квантовых точках Ge в Si. Обнаружено, что величины сечений захвата и энергии активации темпа эмиссии связаны между собой правилом Мейера--Нельделя с характерной энергией 27pm 3 мэВ, не зависящей от размера квантовых точек. Установлено, что сечение захвата меняется с температурой по активационному закону. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о едином многофононном механизме происходящих активационных процессов перехода дырок из квантовых точек Ge в валентную зону Si и их обратного захвата.

В интервале до 20 ГПа исследованы барические зависимости термоэдс монокристаллов кремния (выращенных методом Чохральского (Cz--Si)), с помощью которых наблюдались фазовые переходы в металлической фазе Si: из тетрагональной решетки в ромбическую, а затем в гексагональную. Установлен дырочный тип проводимости для фаз высокого давления Si, как и у металлических фаз высокого давления полупроводников ANB8-N. При уменьшении давления по термоэдс наблюдались переходы в метастабильные фазы Si--XII и Si--III. Обнаружено влияние предварительной термобарической обработки давлением газа до 1.5 ГПа при температурах T=450{-}650 circС на термоэлектрические свойства Cz--Si при высоком давлении.

Приводятся результаты низкотемпературных измерений температурных зависимостей сопротивления и вольт-амперных характеристик двумерных решеток переходов сверхпроводник~-- нормальный металл~-- сверхпроводник (SNS). Обнаружено, что в двумерных решетках SNS-переходов: 1)~изменение энергетического спектра на масштабах порядка энергии Таулеса наблюдается даже в случае, когда тепловое размытие много больше энергии Таулеса для одного SNS-перехода; 2)~проявление субгармонической щелевой структуры с большими номерами гармоник возможно даже при условии, что длина энергетической релаксации меньше значения, необходимого для реализации многократного андреевского отражения независимо в каждом SNS-переходе. Представленные результаты указывают на наличие сихронизации большого количества SNS-переходов. Обсуждается возможный механизм, ответственный за наблюдаемые особенности в поведении двумерных решеток SNS-переходов.

В результате измерения угловой зависимости интенсивности CKalphaalpha{ } -излучения пленки из ориентированных углеродных нанотруб обнаружено увеличение выхода рентгеновской флуоресценции вдоль направления роста нанотруб. Угловое распределение интенсивности рассеянного рентгеновского излучения близко по величине к угловому распределению направленности нанотруб в пленке, определенному из анализа электронно-микроскопического изображения. Для объяснения распространения излучения вдоль нанотруб предложено два механизма, основанных на эффекте отражения от внутренних стенок трубы (каналирование) и аномальной дисперсии CKalphaalpha{ }-фотонов в углеродной среде.