На монокристалле соединения {rm La0.8Ba0.2MnO3} исследованы температурные зависимости электросопротивления, намагниченности и дифференциальной магнитной восприимчивости в окрестности перехода металл~-- диэлектрик и магнитного перехода ферромагнетик~-- парамагнетик. Независимо друг от друга экспериментально определены критические температуры для обоих переходов. Показано, что с точностью до 2--3% эти температуры совпадают. Обсуждение результатов проведено в рамках теории перколяции.

Выполнен симметрийный анализ упорядоченных фаз кубического монооксида TiOy с относительным содержанием кислорода y < 1 и y > 1. Установлено, что в TiOy может возникать орторомбическая (пр. гр. Immm) частично упорядоченная фаза, которая является производной от орторомбической сверхструктуры M3X2square (при y < 1.0) и инверсной ей сверхструктуры M2blacksquareX3 (при y > 1). Найдено распределение атомов Ti и O, кислородных вакансий square и титановых вакансий blacksquare в элементарной ячейке орторомбических упорядоченных фаз. Фазы образуются по каналу перехода беспорядок-порядок, включающему два луча нелифшицевской звезды {{bf k}4}, упорядочение происходит как фазовый переход первого рода. Рассчитаны функции распределения атомов Ti по узлам металлической и атомов O по узлам неметаллической подрешеток орторомбических сверхструктур кубического монооксида титана TiOy.

Показано, что в слабоионизованном газе при наложении внешнего магнитного поля может возникать поперечная к направлению распространения излучения компонента скорости светоиндуцированного дрейфа (СИД) ионов. Предсказывается, что с ростом магнитного поля проекция скорости дрейфа ионов на направление излучения должна изменять свой знак и может наблюдаться аномальный СИД.

Обнаружена анизотропия продольного магнетосопротивления двумерного электронного газа с высокими подвижностью и концентрацией в GaAs квантовых ямах, выращенных при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии на (100) GaAs подложках. Полученные экспериментальные данные объясняются самоорганизацией пространственно-модулированных гетерограниц и согласуются с результатами атомно-силовой микроскопии ростовых поверхностей.

Показана возможность зарядки локализованных состояний открытой квазиодномерной квантовой точки по механизму кулоновской блокады. Высокая чувствительность баллистического тока к одно-элек-трон-ным вариациям самосогласованного потенциала точки позволяет наблюдать новый эффект~-- кулоновские осцилляции баллистического кондактанса. Предложенная модель объясняет результаты эксперимента [C.-T.Liang et al., Phys. Rev. Lett. textbf{81}, 3507 (1998)].

Проводимость двумерных электронных систем с низкой концентрацией носителей рассматривается на основе предложенной ранее модели (ферми-жидкость с мягкой модой) и в предположении, что равновесие внутри каждой из подсистем~-- фермионной и бозонной~-- устанавливается быстро по сравнению с релаксацией на примесях и между подсистемами (гидродинамическое приближение). В такой системе имеются три времени, от которых зависит проводимость: tau_1 (tau_2) определяется рассеянием фермионов (бозонов) на примесях, а tau_{12} определяется трением между подсистемами; найдены их температурные зависимости. Проводимость обычным образом связана со временем релаксации tau, для которого получено соотношение: tau-1=tau_1-1+ (tau_2+tau_{12})-1. Из результатов работы следует, что для достаточно чистых образцов сопротивление должно возрастать с температурой и выходить на насыщение.

Методом сканирующей туннельной микроскопии экспериментально исследовано распределение по размерам островков Ge, формирующихся в экспериментах двух видов при гетероэпитаксии Ge на Si(111): 1) обычный процесс молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ); 2)импульсное (0.5 с) облучение ионами Ge c энергией simeq200 эВ в моменты времени, соответствующие степени заполнения >0.5 каждого монослоя. Эксперименты выполнялись при температуре 350circ С. Обнаружено, что импульсное облучение пучком ионов в процессе гетероэпитаксии приводит к уменьшению среднего размера островков Ge, увеличению их плотности и уменьшению среднеквадратичного отклонения от среднего значения по сравнению с аналогичными величинами в опытах по обычной МЛЭ.

Получен сложный оксид состава {rm Y2Mn2/3Re4/3O7} с пирохлорподобной структурой и параметрами гексагональной ячейки a =14.91(1) AA, c=17.53(1) AA. Измерениями магнитной восприимчивости и намагниченности установлено, что ниже 190 К данный оксид обладает спонтанным магнитным моментом. В парамагнитной области магнитная восприимчивость подчиняется закону Кюри--Вейсса chi =C/(T-Theta ), где C=2.07 см3cdotК/моль и Theta =-160 К, с эффективным магнитным моментом, соответствующим катионной комбинации Mn2+--Re5+. Полученные данные позволили сделать предположение о неколлинеарной антиферромагнитной структуре.

Экспериментально продемонстрировано спектральное сверхуширение фемтосекундных импульсов лазера на хром-форстерите с энергией менее наноджоуля в перетянутом волокне. При введении импульсов лазерного излучения с длиной волны 1.25 мкм, имеющих длительность 40 фс и энергию 0.6 нДж, в перетянутое волокно с диаметром перетяжки 2 мкм и длиной перетяжки 90 мм ширина спектра импульсов на выходе волокна превышала две октавы. Полученные результаты открывают возможности создания компактных фемтосекундных систем на основе форстеритовых лазеров и перетянутых волокон для оптической метрологии и биомедицинских приложений.

Выполнены измерения продольного и поперечного эффектов Нернста~-- Эттингсгаузена при высоком давлении до 30 ГПа. В качестве демонстрации возможностей данной методики приведены результаты исследований Te и Se в области фазовых превращений полупроводник~-- металл. Установлен обусловленный уменьшением ширины запрещенной зоны рост подвижности дырок с увеличением давления, что согласуется с данными магнитосопротивления. Определены механизмы рассеяния дырок при высоком давлении.