Для выявления влияния внешних электрических полей и величины плотности электронов в месте локализации мюона на зависимость его поляризации от времени численно исследовался разлет электрон-ионного облака, образованного при захвате отрицательного мюона атомом в Ne и Ar, в присутствии внешнего электрического поля. Динамика разлета облака имеет сложный характер и качественно меняется в зависимости от плотности среды. Показано, что в экспериментах с отрицательными мюонами в жидком Ar проявляется и может быть зарегистрирован эффект отрицательной подвижности электронов. Внешние поля напряженностью до 50кВ/см не влияют на величину и временную зависимость поляризации отрицательного мюона независимо от величины плотности исследуемой среды.

Цель настоящей работы – попытаться сформулировать общий подход к описанию, на первый взгляд, разнородных явлений в сильно коррелированных электронных системах. Эти явления объединяет, с одной стороны, флуктуационная природа эффектов, с другой – наличие (или возникновение) неоднородной зарядовой и/или спиновой плотности.

В рамках самосогласованного DFT метода дискретного варьирования с использованием 309-атомного кластера исследован кристалл оксида бериллия, содержащего примеси замещения Li и В. Специфические черты электронного спектра и параметры химической связи в системах BeO:(Li,B) сравниваются с таковыми для «идеального» ВеО.

Для оценка показателя информативности оптико-электронных трактов средств наблюдения проводится аналитическое описание частотно-энергетических свойств звеньев тракта . Однако раздельное описание частотных и энергетических свойств таких звеньев тракта как “выборка”, с присущей ей фазой и зрительный анализатор не всегда корректно и удобно. Автором предложено осуществлять описание свойств звена выборки, визуализатора и зрительного анализатора единым функционалом. Такой функционал назван пороговой частотно-энергетической характеристикой (ПЧЭХ) оптико-электронного тракта. Приводится описание метода оценки ПЧЭХ, конкретные ПЧЭХ для различных тест-объектов и критериев их дешифрирования.

В данной работе рассматривается математическая модель распределения электрического по-тенциала в анизотропных полупроводниковых монокристаллах и пленках при условии, что тензор удельной электропроводности не приведен к диагональному виду. Получаемые ре-зультаты позволяют производить расчет распределения электрического поля и тока прово-димости в анизотропных полупроводниках при различном расположении и размерах токо-вых контактов. Результаты данной работы имеют непосредственное практическое значение для исследования физических свойств материалов электронной техники, элементной базой которых являются анизотропные полупроводники.  

Исследованы процессы диссоциативного захвата электронов молекулами орто-, мета- и пара- хлорфенола, приводящие к отрыву атомов хлора, в результате чего предложена наиболее вероятная пространственная структура фрагментных отрицательных ионов [M-Cl](-) из изомеров хлорфенола. Обнаружены скрытые перегруппировки, приводящие к образованию оксианионов, подтверждающие аналогичные ранее обнаруженные процессы при диссоциативном захвате электронов молекулами монохлордибензодиоксинов.

Ходасевич М.А. Исследование фундаментальных квантово-статистических ограничений на передачу и обработку информации в оптических и электронных системах // Электронный журнал "Исследовано в России", 5, 583-601, 2002. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2002/054.pdf

Теплоемкость In2Mo6Se6 была измерена в вакуумном адиабатическом калориметре в интервале температур 12.4 286 K. Решеточная теплоемкость аппроксимировалась с использованием модельной плотности фононных состояний. Электронная теплоемкость выделена из калориметрических данных. Вычислена величина плотности электронных состояний на уровне Ферми N(0)=0.41 st/atom/Ry.  

Изучение электронного строения ацетилацетоната железа (III) и его альфа- и гамма-замещенных проводилось на основании сопоставления данных рентгеновской эмиссионной и льтрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии с результатами квантовохимических расчетов, выполненных методами ППДП/2 и Х-альфа-ДВ. Установлено влияние замещения на структуру и энергетическое положение верхних заполненных молекулярных орбиталей и характер химической связи металл-лиганды. Объяснены детали тонкой структуры спектров рентгеновской эмиссии и причины их несоответствия положениям первых полос фотоэлектронных спектров ряда соединений.  

Исследование поведения казахстанских потребителей электронного бизнеса было проведено в два этапа. Первый этап - моделирование зависимости интенсивности обращения в Интернет от социально-экономических и поведенческих характеристик индивидуумов и домохозяйств при помощи бинарной логистической модели (Binary Logit Model). Помимо этого производился отбор факторных признаков и их редуцирование (сокращение), направленный на повышение качества статистической модели и способствовавшей более понятной экономической интерпретации полученных результатов. На втором этапе применялась более совершенная методика построения множественной логистической модели (Ordered Logit Model) для изучения интенсивности применения электронной коммерции, давших результаты, толкование которых  позволило сформулировать рекомендации по развитию электронной коммерции в странах СНГ.