Волков О.В., Житомирский В.Е., Кукушкин И.В., фон Клитцинг К., Эберл К.. Экситонные эффекты в спектрах рекомбинационного излучения полностью заполненных уровней Ландау двумерных электронов // Письма в ЖЭТФ, том 65, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

Иорданский С.В., Плясунов С.Г.. Энергия и число частиц в скирмионных возбуждениях при нечетном заполнении уровней Ландау двумерного электронного газа // Письма в ЖЭТФ, том 65, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Иорданский С.В.. Хопфовский член в действии для вихрей-скирмионов при нечетном заполнении уровней Ландау // Письма в ЖЭТФ, том 66, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Дикман С.М., Иорданский С.В.. К теории спиновой релаксации при конечных температурах в режиме квантового эффекта Холла нечетного заполнения // Письма в ЖЭТФ, том 70, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Изучались транспортные свойства многослойных структур GaAs/AlGaAs модуляционно легированных Be таким образом, что в равновесии дырками были заполнены состояния верхней зоны Хаббарда (A+D центры). При концентрации легирующей примеси порядка 5cdot1011 см-2 в области температур 0.4--4 К наблюдалась прыжковая проводимость по состояниям кулоновской щели. Найденная из температурной зависимости проводимости характерная температура (T1) оказывается заметно меньше предсказанной теоретически (в 30 раз). Предполагается, что указанное расхождение связано с влиянием коррелированных прыжков. В температурной зависимости магнетосопротивления с уменьшением температуры наблюдалось подавление отрицательного магнетосопротивления, что объясняется слабостью подбарьерного рассеяния для транспорта по верхней зоне Хаббарда.

Обсуждаются детали процесса зарядки электронами свободной поверхности жидкого гелия. Показано, что толщина пленки гелия здесь не остается постоянной, постепенно уменьшаясь под действием электронного давления на поверхность гелия. В свою очередь, давление зависит от толщины пленки. Возникает самосогласованная кинетическая задача с характерным временем релаксации tau в основном гидродинамического происхождения (вязкая подстройка толщины пленки гелия к переменному значению электронного давления). Величина tau весьма чувствительна к толщине d пленки гелия ( tau propto d3 ). В актуальном интервале 10-1 {rm см} > d > 10-4 см область изменения tau имеет масштаб 10-3 {rm с} le tau le 10+8 с. Особенно интересна ситуация в окрестности критической точки (в критической точке заряженная пленка гелия теряет устойчивость). Приближение к ней сопровождается ростом tau вплоть до его обращения в бесконечность.

Исследован магнетотранспорт высокоподвижного двумерного электронного газа (2ДЭГ) в одиночных GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при больших факторах заполнения. В изучаемых селективно-легированных структурах в диапазоне температур от 10 до 25 К обнаружены осцилляции магнетосопротивления, периодичные по обратному магнитному полю, частота которых пропорциональна фермиевскому волновому вектору 2ДЭГ. Полученные экспериментальные результаты объясняются взаимодействием 2ДЭГ с псевдо-интерфейсными акустическими фононами.

Исследовано явление увеличения под действием внешнего постоянного электрического поля толщины водной пленки, находящейся у внутренней поверхности гидрофильного капилляра, заполненного двумя флюидами. Предложена гипотеза сущности явления и соответствующая ей формула количественного расчета изменений толщин в зависимости от ряда параметров рабочей системы, в том числе напряженности внешнего поля. Приведены экспериментальные результаты. Показано, что результаты теоретических расчетов и экспериментальные данные удовлетворительно согласуются между собой. Проведена оценка ориентации стационарных диполей молекул, составляющих сильнополярные жидкости, в электрическом поле.

Исследуются особенности формирования полей черенковского излучения в волноводе с диэлектрической средой, в которой прорезан канал для прохождения пучка электронов. Внутренняя поверхность канала покрыта тонким квазипроводящим слоем, обеспечивающим удаление электростатического заряда, накапливаемого там при прохождении пучка. Исследован эффект толщины кольцевого диэлектрического слоя. Показано, что влияние тонкого квазипроводящего слоя сводится лишь к вполне допустимому затуханию черенковских волн, генерируемых в среде без потерь.

В рамках допущения о квазистационарности процесса рассчитаны давление и радиус канала искрового разряда в воде. Показано, что определяющим параметром является \glqq интеграл действия\grqq S=\intlimits0ti2dt, где i --- ток в канале. Результаты расчета слабо зависят от проводимости, что позволяет принять допущения о ее постоянстве. Полученные формулы применимы для оценок в случае разряда вдоль оси цилиндрической камеры, заполненной водой, если деформация стенки за время разряда пренебрежимо мала, а длительность импульса в несколько раз больше времени распространения звука в воде от оси до стенки камеры. В области относительно малых давлений (P=<108 Pa) имеет место зависимость P~ R-4/3, где R --- радиус камеры.