Проведены систематические измерения ширины линии ЯKР 63Cu(2) на недодопированных образцах YBa2Cu3O7-y в температурном интервале 4.2 К

Изучен эффект Ааронова--Бома в субмикронных кольцах с узкими электронными каналами в интервале магнитных полей от 0 до 15 Тл и диапазоне температур от 0.1 до 10 К. Обнаружено различие температурных зависимостей амплитуды h/eД осцилляций в условиях слабого магнитного поля и в ситуации туннельно-связанных краевых токовых состояний. Полученные экспериментальные данные объясняются влиянием киральности ферми-системы на когерентный транспорт в кольцевом интерферометре.

Выполнены первопринципные расчеты сверхпроводящих свойств карбида ниобия NbC при нормальном давлении и при сжатии на 15 и 30%. Обсуждается причина относительно низких значений критической температуры сверхпроводящего перехода Trm c в карбидах переходных металлов и возможные пути ее повышения.

Методом спектроскопии с временным разрешением исследована индуцированная внешним магнитным полем линейная поляризация излучения триплетных связанных экситонов в одноосных кристаллах GaSe в условиях неполяризованной накачки. Установлено, что зависимость степени линейной поляризации излучения от магнитного поля меняется в течение времени жизни возбужденного состояния. Обнаружен эффект существенного увеличения степени поляризации по мере увеличения времени задержки регистрации излучения: показано, что при временах задержки tgeq1 мкс излучение экситонов в магнитном поле оказывается практически полностью поляризованным. Предложено теоретическое описание наблюдаемой временной зависимости магнитоиндуцированной поляризации излучения.

Теоретически исследованы возможности пространственной локализации спин-поляризованных элект-ро-нов в двумерных и трехмерных системах за счет спин-орбитального взаимодействия. На примерах простейших одномерных потенциалов показано, что можно локализовать электроны с определенной спиральностью, осуществив тем самым сепарацию носителей по спину. Изучено влияние магнитного поля и показано, что от него существенно зависит положение связанных уровней.

За счет ротационного эффекта Доплера вращающийся оптический пучок, смещенный относительно оси вращения, становится полихроматическим. Рассмотрен случай исходного пучка в виде суперпозиции двух мод Лагерра--Гаусса как несущего элементарное изображение в виде асимметричного распределения интенсивности. Найдено пространственное распределение монохроматических компонент в поперечном сечении пучка.

Исследована температурная зависимость осцилляций Ааронова-Бома малых кольцевых квазибаллистических интерферометров (эффективный радиус R=90{-}110 нм) в широком диапазоне температур (0.34--9) К. Обнаружено, что она определяется не только размером интерферометра, но и его микроскопическим состоянием. Показано, что этот эффект может быть связан с влиянием флуктуационного потенциала, приводящего к различным, но не полностью стохастическим реализациям рассеивающего потенциала в проводящих каналах кольца.

При комнатной температуре обнаружена спин-зависимая рекомбинация (СЗР) в твердых растворах GaAs1-xNx (x = 2.1, 2.7, 3.4%), проявляющаяся в более чем трехкратном уменьшении интенсивности краевой фотолюминесценции (ФЛ) при изменении круговой поляризации возбуждающего света на линейную или включении поперечного магнитного поля sim300 гаусс. Межзонное поглощение циркулярно поляризованного света сопровождается поляризацией спинов электронов проводимости, которая достигает 35% с ростом накачки. Наблюдающиеся эффекты объяснены динамической поляризацией глубоких парамагнитных центров и спин-зависимым захватом электронов проводимости на эти центры. Из зависимости деполяризации краевой ФЛ в перпендикулярном магнитном поле (эффект Ханле) от интенсивности накачки найдено, что время спиновой релаксации электронов порядка 1 нс. Теоретически показано, что при наличии СЗР это время определяется медленной спиновой релаксацией локализованных электронов. Положительный знак g-фактора локализованных электронов экспериментально определен по направлению вращения их среднего спина в магнитном поле во всех трех исследованных кристаллах.

Используя ВКБ-приближение и модель параболических зон, проведен качественный анализ спин-зависимого туннелирования в контактах ферромагнитный металл--изолятор--ферромагнитный металл. Показано, что в отличие от других туннельных характеристик, вклад в магнитосопротивление вносят лишь электроны, движущиеся под большими углами к плоскости туннельного барьера. Установлена причина быстрого уменьшения контактного магнитного сопротивления при подаче на переход напряжения смещения. Показано, что она является следствием зеркального характера туннелирования и остается справедливой в рамках более сложных моделей.

Исследована температурная зависимость электросопротивления rho (T) в двумерном допированном антиферромагнетике для различных форм динамической спиновой восприимчивости chi(mathbf{q},omega )~-- с учетом затухания и перенормировки спектра магнитных возбуждений, и для так называемых сильно затухающих магнонов. Кинетическое уравнение строится на основе спин-фермионной модели рассеяния носителей на спиновых флуктуациях. Сильно зависящая от температуры анизотропия рассеяния носителей учитывается с помощью семимоментного приближения для неравновесной функции распределения. Показано, что расчет электросопротивления на основе самосогласованного выражения для chi (mathbf{q},omega ) с затуханием качественно воспроизводит экспериментальное аномальное поведение rho (T) в высокотемпературных сверхпроводниках. При этом широко используемое для chi (mathbf{q},omega ) приближение ``сильно затухающих магнонов' в области высоких температур является некорректным.