Аксельрод Л.М. Разработка и внедрение комплекса мероприятий по снижению интенсивности формирования отложений в сталеразливочном тракте при непрерывной разливке металла на МНЛЗ: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.16.02. - M, 2007.

ГорленкОВ Д.В. Разработка технологии растворения медно-никелевых анодов, содержащих драгоценные металлы, при высоких плотностях тока : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.16.02. - M, 2009.

Лолейт С.И. Разработка экологически чистых технологий комплексного извлечения благородных и цветных металлов из электронного лома : автореф. дис. ... докт. техн. наук : 05.16.02. - M, 2010.

Загуренко Т.Г., Корнилов В.М., Лачинов А.Н. О возможности регистрации структурных превращений в металлах с помощью системы металл--полимер--металл // Электронный журнал "Исследовано в России", 1-4, 541-553, 2000. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2000/041.pdf

Представлены результаты исследований электропроводности системы легкоплавкий металл--полимер--металл в зависимости от температуры. Предлагается новая методика диагностики структурных превращений в металлах. Обсуждение ведется в рамках модели зарядовой неустойчивости, возникающей в тонких полимерных пленках при изменении граничных условий.

Мирзоев А.А., Довгопол С.П. . ПАРАМАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ ЖИДКИХ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ ВБЛИЗИ ПЕРЕХОДА МЕТАЛЛ-НЕМЕТАЛЛ В МОДЕЛИ ХАББАРДА. Известия Челябинского научного центра, http://www.csc.ac.ru/news/, Выпуск 1(1), 1998

Золотухин С.П., Каминский В.Ф., Котов А.И., Любовский Р.Б., Хидекель М.Л., Шибаева Р.П., Шеголев И.Ф., Ягубский Э.Б.. Хлорид тетраселенотетрацена - органический металл без перехода металл - диэлектрик // Письма в ЖЭТФ, том 25, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru

Гасан-заде С.Г., Ромака В.А., Шепельский Г.А.. Переход проводимости металл - диэлектрик - металл, индуцированный одноосной деформацией, в бесщелевом полупроводнике Hg_{1-x}Cd_xTe // Письма в ЖЭТФ, том 44, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru

Авраменко Н.В., Зварыкина А.В., Лаухин В.Н., Лаухина Е.Э., Любовский Р.Б., Шибаева Р.П.. Фазовый переход типа металл-полупроводник с гигантским гистерезисом в органическом металле (ЕТ)_2IВr_2 // Письма в ЖЭТФ, том 48, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Используя ВКБ-приближение и модель параболических зон, проведен качественный анализ спин-зависимого туннелирования в контактах ферромагнитный металл--изолятор--ферромагнитный металл. Показано, что в отличие от других туннельных характеристик, вклад в магнитосопротивление вносят лишь электроны, движущиеся под большими углами к плоскости туннельного барьера. Установлена причина быстрого уменьшения контактного магнитного сопротивления при подаче на переход напряжения смещения. Показано, что она является следствием зеркального характера туннелирования и остается справедливой в рамках более сложных моделей.