Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Тулупенко В.Н., Шерняков Ю.М., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Алферов Ж.И.. Спонтанное излучение дальнего ИК диапазона при переходах носителей заряда между уровнями квантовых точек // Письма в ЖЭТФ, том 67, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru

Альперович В.Л., Мошегов Н.Т., Ткаченко В.А., Ткаченко О.А., Торопов А.И., Ярошевич А.С.. Превращение квантоворазмерных уровней в виртуальные на границе $p$-GaAs со сверхрешеткой AlAs/GaAs // Письма в ЖЭТФ, том 70, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru

Зарецкий Д.Ф., Сазонов С.Б.. Перезаселение эквидистантных уровней двумя когерентными резонансными, сдвинутыми по фазе электромагнитными полями // Письма в ЖЭТФ, том 72, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru

Ромашева П.И.. Задержанные распады низкоэнергетичных ($sim 30$,кэВ) мессбауэровских уровней как следствие их комбинированной структуры // Письма в ЖЭТФ, том 72, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru

Старухин А.Н., Нельсон Д.К., Разбирин Б.С.. Эффект антипересечения уровней триплетных экситонов в спектрах послесвечения кристалла GaSe // Письма в ЖЭТФ, том 72, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Наблюдались осцилляции на кривых радиоактивного распада изомеров 119mSn и 125mTe. Предложена феноменологическая модель явления на основе нелинейного уравнения распада.

Показано, что уравнения динамики уровней энергии конечной системы при добавлении примесей эквивалентны рациональной системе Руйзенарса--Шнайдера. Вычислено действие, которое одновременно является производящей функцией канонического преобразования Бэклунда для этой системы. Обсуждаются различные варианты статистического усреднения распределения уровней энергии.

Исследована плотность состояний двумерного электронного газа в магнитном поле с учетом рассеяния на точечных примесях. Показано, что учет электрон-примесного взаимодействия приводит к полному снятию вырождения уровней Ландау даже при малой объемной плотности точечных примесей. Вычислена плотность состояний в самосогласованном приближении, то есть с учетом всех диаграмм без пересечений примесных линий. Электронная плотность состояний rho определяется вкладом не полюса, а разреза одночастичной функции Грина. В широком интервале значений энергии электрона omega , отсчитанной от каждого уровня Ландау, плотность состояний rho (omega) обратно пропорциональна |omega| и пропорциональна концентрации примесей. Результаты применимы для таких двумерных электронных систем, как инверсионные слои, гетероструктуры и электроны на поверхности жидкого гелия.

Рассмотрены закономерности формирования пространственно-временной структуры распределения интенсивности электромагнитных излучений свистового диапазона и содержания энергичных электронов в радиационных поясах Юпитера. Проанализированы параметрические нелинейные процессы в плазменном магнитосферном мазере. Показано, что азимутальная неоднородность магнитной ловушки в сочетании с быстрым угловым вращением планеты приводит к формированию в добротности магнитосферного резонатора составляющей, характеризующейся периодической модуляцией и не зависящей от азимутальной координаты. Эта модуляция проявляет себя как внешняя сила, которая в условиях глобального резонанса обеспечивает синхронизацию колебаний уровня свистовых излучений в отдельных трубках магнитного поля.

В структурах Si/Si1-xGex:Er/Si достигнута инверсная населенность уровней энергии ионов Er3+ при передаче энергии электронного возбуждения от полупроводниковой матрицы. Анализ кинетик фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм свидетельствует о переводе в возбужденное состояние до 80% ионов, что в совокупности с высокой интенсивностью свечения демонстрирует перспективность структур такого типа для создания лазера, совместимого с планарной кремниевой технологией.