уровне - научные статьи на Scholar.ru

161.

Возбуждение низколежащего изомерного уровня ядра ^{229}Th оптическими фотонами

Ткаля Е.В. - Письма в ЖЭТФ , 1992

Ткаля Е.В.. Возбуждение низколежащего изомерного уровня ядра ^{229}Th оптическими фотонами // Письма в ЖЭТФ, том 55, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru

162.

Отсутствие закрепления уровня Ферми на поверхности p-GaAs(100) при адсорбции цезия и кислорода

Альперович В.Л., Паулиш А.Г., Терехов А.С., Ярошевич А.С. - Письма в ЖЭТФ , 1992

Альперович В.Л., Паулиш А.Г., Терехов А.С., Ярошевич А.С.. Отсутствие закрепления уровня Ферми на поверхности p-GaAs(100) при адсорбции цезия и кислорода // Письма в ЖЭТФ, том 55, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru

163.

Концентрационный переход к проводимости с постоянной длиной прыжка по состояниям вблизи уровня Ферми при эффекте поля в слабокомпенсированном Si:B

Веденеев А.С., Гайворонский А.Г., Ждан А.Г., Моделли А., Рыльков В.В., Ткач Ю.Я. - Письма в ЖЭТФ , 1993

Веденеев А.С., Гайворонский А.Г., Ждан А.Г., Моделли А., Рыльков В.В., Ткач Ю.Я.. Концентрационный переход к проводимости с постоянной длиной прыжка по состояниям вблизи уровня Ферми при эффекте поля в слабокомпенсированном Si:B // Письма в ЖЭТФ, том 57, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru

164.

Теория возмущений для квазистационарных уровней

Попов B.C., Myp В.Д. - Письма в ЖЭТФ , 1994

Попов B.C., Myp В.Д.. Теория возмущений для квазистационарных уровней // Письма в ЖЭТФ, том 60, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

165.

Магнитный резонанс и эффект антипересечения уровней экситонов, локализованных на противоположных интерфейсах в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II

Баранов П.Г., Машков И.В., Романов Н.Г., Гордон К., Лаваллар Ф., Планель Р. - Письма в ЖЭТФ , 1994

Баранов П.Г., Машков И.В., Романов Н.Г., Гордон К., Лаваллар Ф., Планель Р.. Магнитный резонанс и эффект антипересечения уровней экситонов, локализованных на противоположных интерфейсах в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II // Письма в ЖЭТФ, том 60, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru

166.

Эволюция примесной зоны при низкотемпературном эффекте поля в слабокомпенсированном кремнии с высоким уровнем легирования

Веденеев А.С., Гайворонский А. Г., Ждан А.Г., Моделли А., Рыльков В.В., Ткач Ю.Я. - Письма в ЖЭТФ , 1994

Веденеев А.С., Гайворонский А. Г., Ждан А.Г., Моделли А., Рыльков В.В., Ткач Ю.Я.. Эволюция примесной зоны при низкотемпературном эффекте поля в слабокомпенсированном кремнии с высоким уровнем легирования // Письма в ЖЭТФ, том 60, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru

167.

Резонансное возбуждение уровней сверхтонкой структуры в поле бихроматической лазерной волны и ядерный распад

Зарецкий Д.Ф., Сазонов С.Б. - Письма в ЖЭТФ , 1994

Зарецкий Д.Ф., Сазонов С.Б.. Резонансное возбуждение уровней сверхтонкой структуры в поле бихроматической лазерной волны и ядерный распад // Письма в ЖЭТФ, том 60, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru

168.

Эксперимент по поиску двойного бета-распада ^{96}Zr на возбужденные уровни ^{96}Мо

Васильев С.И., Клименко А.А., Осетров С.Б., Смольников А.А. - Письма в ЖЭТФ , 1995

Васильев С.И., Клименко А.А., Осетров С.Б., Смольников А.А.. Эксперимент по поиску двойного бета-распада ^{96}Zr на возбужденные уровни ^{96}Мо // Письма в ЖЭТФ, том 61, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru

169.

Наблюдение структурных уровней турбулентного теплообмена

Зайковский В.Н., Трофимов В.М. - Письма в ЖЭТФ , 1995

Зайковский В.Н., Трофимов В.М.. Наблюдение структурных уровней турбулентного теплообмена // Письма в ЖЭТФ, том 61, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

170.

Оптическая ориентация экситонов, индуцированная антикроссингом энергетических уровней и кросс-релаксацией в сверхрешетках GaAs/AlAs типа I

Баранов П.Г., Ветров В.А., Намозов Б.Р., Романов Н.Г. - Письма в ЖЭТФ , 1995

Баранов П.Г., Ветров В.А., Намозов Б.Р., Романов Н.Г.. Оптическая ориентация экситонов, индуцированная антикроссингом энергетических уровней и кросс-релаксацией в сверхрешетках GaAs/AlAs типа I // Письма в ЖЭТФ, том 61, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru