Найдено научных статей и публикаций: 932
171.
Изменение ступени интеркалировання у соединения графита С_{16}IСl под действием давления
Брандт Н.Б., Кувшинников С.В., Ионов С.Г.. Изменение ступени интеркалировання у соединения графита С_{16}IСl под действием давления // Письма в ЖЭТФ, том 38, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
172.
Новый эффект магнитно-резонансного изменения сопротивления органического полупроводника: слабо легированный полиацетилен
Франкевич Е.Л., Приступа А.И., Кобрянский В.М.. Новый эффект магнитно-резонансного изменения сопротивления органического полупроводника: слабо легированный полиацетилен // Письма в ЖЭТФ, том 40, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru
173.
Локальные коэффициенты электронной теплопроводности в токамаке с быстрым изменением тороидального магнитного поля туман-2а
Калмыков С.Г., Лашкул С.И., Петров Ю.В., Шприц И.Д.. Локальные коэффициенты электронной теплопроводности в токамаке с быстрым изменением тороидального магнитного поля Туман-2А // Письма в ЖЭТФ, том 40, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru
174.
Изменение формы слабого сверхкороткого импульса при прохождении через инвертированную среду с медленной фазовой релаксацией
Варнавский О.П., Головлев В.В., Киркин А.Н., Можаровский А.М.. Изменение формы слабого сверхкороткого импульса при прохождении через инвертированную среду с медленной фазовой релаксацией // Письма в ЖЭТФ, том 41, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru
175.
Изменение фазы частично когерентной электронной волны при ее прохождении через кристалл
Еремеев П.М., Пискунов Д.И.. Изменение фазы частично когерентной электронной волны при ее прохождении через кристалл // Письма в ЖЭТФ, том 42, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru
176.
Об изменении эффективных сечений перезарядки в плазме
Абрамов В.А., Лисица B.C., Пигаров А.Ю.. Об изменении эффективных сечений перезарядки в плазме // Письма в ЖЭТФ, том 42, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru
177.
Обратимое пикосекундное изменение прозрачности арсенида галлия при межзонном поглощении мощных импульсов света
Броневой ИЛ., Гадонас РА., Красаускас В.В., Лифшиц Т.М., Пискарскас А.С.,Синицын М А., Явич Б.С.. Обратимое пикосекундное изменение прозрачности арсенида галлия при межзонном поглощении мощных импульсов света // Письма в ЖЭТФ, том 42, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru
178.
Изменение реализации случайного потенциала и проводимость образцов малых размеров
Альтшулер Б Л.. Спивак Б.З.. Изменение реализации случайного потенциала и проводимость образцов малых размеров // Письма в ЖЭТФ, том 42, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru
179.
Изменение симметрии поверхности ферми при структурных фазовых переходах в полупроводниках типа а^{iv} в^{vi} с нецентральным ионом
Дмитриев А.И., Лашкарев Г.В., Литвинов В.И., Гаськов А.М., Демин В.Н.. Изменение симметрии поверхности Ферми при структурных фазовых переходах в полупроводниках типа А^{IV} В^{VI} с нецентральным ионом // Письма в ЖЭТФ, том 45, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
180.
Нутации, вызванные изменением темпа релаксации
Александров Е.Б., Балабас М.В., Бонч-Бруевич В.А.. Нутации, вызванные изменением темпа релаксации // Письма в ЖЭТФ, том 45, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru