Найдено научных статей и публикаций: 932
131.
Изменение формы линии поглощения и дисперсии двухуровневой системы в квазирезонансном монохроматическом поле излучения
Александров Е.Б., Бонч-Бруевич А.М., Ходовой В.А., Чигирь Н.А.. Изменение формы линии поглощения и дисперсии двухуровневой системы в квазирезонансном монохроматическом поле излучения // Письма в ЖЭТФ, том 18, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru
132.
Изменение знака анизотропии электропроводности нематического жидкого кристалла в зависимости от температуры
Куватов З.Х., Капустин А.П., Трофимов А.Н.. Изменение знака анизотропии электропроводности нематического жидкого кристалла в зависимости от температуры // Письма в ЖЭТФ, том 19, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru
133.
Аномальное изменение модуля юнга при сверхпластичности
Резников В.Г.. Аномальное изменение модуля Юнга при сверхпластичности // Письма в ЖЭТФ, том 19, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru
134.
О возможности фокусировки и самофокусировки световых пучков в полупроводнике вследствие изменения электронной части его диэлектрической проницаемости
Маев Р.Г., Падо Г.С., Полуэктов И.А., Пустовойт В.И.. О возможности фокусировки и самофокусировки световых пучков в полупроводнике вследствие изменения электронной части его диэлектрической проницаемости // Письма в ЖЭТФ, том 20, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru
135.
Изменение распыления монокристалла Ni при переходе через точку Кюри
Юрасова В.Е., Черныш В.С., Кувакин М.В., Шелякин Л.Б.. Изменение распыления монокристалла Ni при переходе через точку Кюри // Письма в ЖЭТФ, том 21, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru
136.
Изменение проводимости полупроводников при высокочастотном эффекте поля
Калашников С.Г., Морозов А.И., Федосов В.И., Анисимкин В.И.. Изменение проводимости полупроводников при высокочастотном эффекте поля // Письма в ЖЭТФ, том 21, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
137.
Изменение параметра электрон-фононного взаимодействия в CdS под влиянием одноосного сжатия и электрического поля
Гринь В.Ф., Лепсверидзе Д.С., Сальков Е.А., Шепельский Г.А.. Изменение параметра электрон-фононного взаимодействия в CdS под влиянием одноосного сжатия и электрического поля // Письма в ЖЭТФ, том 21, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru
138.
"Быстрое" изменение поляризуемости при возбуждении ВКР в водороде
Кравцов Н.В., Наумкин Н.И.. "Быстрое" изменение поляризуемости при возбуждении ВКР в водороде // Письма в ЖЭТФ, том 21, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru
139.
О модуляции лазерного действия в теллуридс свинца изменением поляризации излучения накачки
Арешев И.П., Данишевский А.М., Кочегаров С.Ф., Субашиев В.К.. О модуляции лазерного действия в теллуридс свинца изменением поляризации излучения накачки // Письма в ЖЭТФ, том 22, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru
140.
Замечания об изменении слабого тока и устранении аномалий в калибровочных моделях слабых и электромагнитных взаимодействий
Красников Н.В., Кузьмин В.А., Четыркин К.Г.. Замечания об изменении слабого тока и устранении аномалий в калибровочных моделях слабых и электромагнитных взаимодействий // Письма в ЖЭТФ, том 22, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru