Показано, что в условиях массовых измерений полупроводниковых материалов критерии оценки их степени неоднородности следует устанавливать на основе экспериментально-статистического подхода. Предложенная система критериев контроля примесных неоднородностей в полупроводниках позволяет управлять как процессом выращивания монокристаллов, так и параметрами соответствующих полупроводниковых приборов структур.