Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (ФЭРС) изучены свойства глубоких уровней (ГУ) в высокочистых монокристаллах CdS, отличающихся друг от друга по величине отклонений от стехиометрического состава, что достигалось контролируемым изменением режимов технологического процесса выращивания из паровой фазы. Определены параметры наиболее интенсивно проявляющихся в спектрах ловушек как для электронов, так и для дырок, выявлены технологические условия получения кристаллов, состав которых наиболее близок к стехиометрическому для данного способа выращивания, а также подтверждена возможность использования феноменологической модели ФЭРС для описания фотоэлектрических процессов в высокоомном сульфиде кадмия.